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都跃跃欲试，希望能在现有的产品之外添加全新的智能型产品系列。尚德公司(Suntech)是全球晶体硅光伏组件领导生产商之一。该公司最近宣布与分布式集成电路的市场领导者美国国家半导体携手合作，为太阳能产品市场
索比光伏网讯:引言:随着社会对能源的需求量越来越大，充分利用太阳能，可为世界经济发展提供可持续增长的长远战略及出路。近年来，随着科技的进步,太阳能电池用于太阳能光伏发电的技术取得了很大的进展，逐步

2012年2月3日，美国对华晶体硅光伏电池作出反补贴紧急情况初裁：无锡尚德太阳能电力有限公司、常州天合光能有限公司以及所有其他中国出口商或生产商都存在紧急情况。根据该裁决，临时反倾销措施追溯至肯定性
税法》第733（e）（1）（A）条和第733（e）（1）（B）条为美国调查机关判断紧急情况提供法律依据。其中，第733（e）（1）（A）条规定，（i）被调查产品在美国或其他国家有倾销的历史，或（ii）进口商

作者：王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华，中电电气南京光伏有限公司研发中心摘要晶体硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，称之为功率损失或封装损失（powerloss）。本文对
了一些初步的结论，可为组件公司提高产品性能提供参考。另外我们只针对组件封装时的功率损失进行了研究，未涉及电池片光致衰减（LID）导致的组件输出功率下降等问题。　　封装损失的分析常规晶体硅太阳电池组件的

索比光伏网讯:作者：王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华，中电电气南京光伏有限公司研发中心　　摘要:　　晶体硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，称之为功率损失或封装损失
。　　封装损失的分析　　常规晶体硅太阳电池组件的封装结构如图一所示，自上而下的顺序分别是钢化玻璃-密封胶-晶体硅太阳电池-密封胶-背板；封装之前的单焊、串焊工艺将电池片通过涂锡焊带连接；组件层压封装

太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可产生氢钝化的效果。　　在高效太阳电池上常采用表面氧钝化的技术来提高太阳电池的效率，近年来在光伏级的晶体硅
因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高

氧钝化的技术来提高太阳电池的效率，近年来在光伏级的晶体硅材料上使用也有明显的效果，尤其采用热氧化法效果更明显。使用PECVD法在更低的温度下进行表面氧化，近年来也被使用，具有一定的效果。多晶硅太阳电池
索比光伏网讯:晶硅光伏电池在过去20年里有了很大发展，许多新技术的采用和引入使太阳能光伏电池效率有了很大提高。在早期的硅电池研究中，人们探索各种各样的光伏电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅

索比光伏网讯:太阳能电池的工作原理基础是:半导体p-n绪的光生伏打效应。所谓光生伏打效应，简言之，就是当物体受到光照时，物体内的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流的一种效应。当太阳光或其他光照
，空穴就表现为带正电。电子和空穴就是单晶硅中可以运动的电荷。在纯净的硅晶体中，自由电子和空穴的数目是相等的。如果在晶体硅中搂入能够俘获电子的棚、铝、嫁或锢等杂质元素，那么它就成为空穴型半导体，简称p型

索比光伏网讯:晶体硅电池是光电转化的核心器件，但是由于单片电池片的电压、电流、功率有限，所以要将电池片并联起来，使它具有满足用电设备和工业化用电要求的电压、电流、功率。但是，由于晶体硅电池物理脆性
，容易碎裂，因此需要将电池片封装，做成组件保护。图1晶硅光伏组件不同种类一、组件的设计主要考虑三点：1、物理电学性能组件的功率大小、尺寸、承载、安装要求。物理电学性能需要满足IEC61215和

，公用电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备
。报告指出，2012年第一季度的光伏设备收入（包括从晶体硅铸锭到组件环节和薄膜）下降到17.5亿美金，为10个季度以来的最低点，较前一季度和去年同期分别下降了27%和51%。然而，预计资本支出将在