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是为了降低成本，其优点是能直接制备出适于规模化生产的大尺寸方型硅锭，设备比较简单，制造过程简单、省电、节约硅材料，对材质要求也较低。晶界及杂质影响可通过电他工艺改善；由于材质和晶界影响，电池效率较低。电池工艺主要
。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可

集成电路与太阳能用单晶硅生长设备，在我国首次研制成功。　　单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在
和样机达到了较高的技术水平，已成功拉制出12英寸无位错合格单晶。通过项目的实施，课题组还建立了高端晶体生长设备的研发平台，达到了积累经验、获取成果、培养队伍的目的。　　验收会上，专家们认为该成果的