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综合

MCZ法生长硅单晶，已进入实用阶段。利用磁场进行晶体生长研究的历史如表1所示。四、设备近年来出现的MCZ法是一种很有前途的方法。 MCZ法又可细分
，并在晶体生长时产生周期性的旋转条纹。VMCZ法解决了TMCZ法所存在的问题，与TMCZ比，它有如下特点: 1.尺寸小、重量轻的螺线管可产生强而均匀的磁场; 2.不需要调整常规CZ

。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可
的纯度大部分仍在6N到7N，价格依其品位约在10一20美元／kg。目前半导体工业用的投炉多晶硅料是采用三氯氢硅精馏法（西门子法）生产的，采用改进的西门子法并扩大规模进行生产是未来降低成本的有效措施之一

集成电路与太阳能用单晶硅生长设备，在我国首次研制成功。　　单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在
近日，国家863计划项目超大规模集成电路配套材料重大专项中的TDR－150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）项目在北京正式通过科技部的验收，这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸