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。氧化铝分子间主要由稳定剂的空间位阻进行分散与支撑，使用Despatch 烧结炉预烧结，氧化铝分子开始聚集，经过860 ℃峰值温度烧结后形成较为致密的钝化层，如图3 所示。钝化层与硅接触部分形成正
四面体结构，晶体中多了1 个氧的负电荷，可将p 型电池的少子( 电子) 反射回去减少复合，实现电池背面的有效钝化。峰值温度过高将导致Al-O4减少，氧化铝浆料烧结温度通常低于金属化烧结温度，介质

晶体硅太阳能电池的极限效率，29.43%。制造业积极布局，量产转换效率突破 23%。从海外来看，LG 和REC 在TopCon 技术均有量产产能。国内方面，中来股份已实现
大幅降低。设备投资额的大幅下降有望推动 TopCon 技术加速发展。三、异质结：技术逐步成熟，龙头积极布局异质结(本征薄膜异质结，亦成为 HJT/SHJ)，通常以 n 型晶体硅作衬底，宽带隙的

已具备丰富经验，12 寸晶体部分进入工艺评价阶段。此次中环遵循再融资新规修改定增方案，将加快公司定增募资进展。半导体硅片产线建设主要的资金消耗即是设备采购，募资将极大补充中环的资金，为扩大8 寸
产能和增加12 寸产能奠定基础。晶盛机电半导体设备订单有望放量。晶盛机电是国内半导体硅片设备龙头，参股中环领先，半导体单晶炉、切断机、滚磨机和抛光机等设备已取得订单。设备已进入中环领先8 寸线量产

沉积设备(PECVD 设备或 ALD 设备)和激光开槽设备即可。 PERC 核心产品为 PECVD 设备、丝网印刷等。其中，捷佳伟创的核心产品 PECVD 设备和扩散炉均为自主研发，采用的核心技术
和设备关键性能整体均处于国际先进水平。管式PECVD设备主要采用业内领先的背面钝化叠层膜技术，有效提高晶体硅电池的转换效率。公司研发技术及生产能力覆盖电池片前中端生产所有核心设备，是国内仅有

单晶硅者，硅之单晶体也。属半导材料之上品，纯度极高，颇负盛名。因以此，故多用于太阳能电池之领域，实乃光伏发电之砥柱也。史官有诗赞曰：单晶成型质量先，品格优越美名传。且说电能乃经济之根本，社会之
，其余诸作坊亦苦心之钻研，背接触单晶技术、金刚线切片、单晶背钝化工法、直拉单晶炉等技法终致单晶、多晶之成本差异已然略无矣。公元二零一五年，盛值光伏发展之利时也。国家能源局始推光伏新政，领跑者计划是

硫化镉光伏系统，用于教育电视供电。 1973年美国特拉华大学建成世界第一个光伏住宅。 1974年日本推出光伏发电的阳光计划;Tyco实验室生长第一块EFG晶体硅带，25mm宽，457mm长(EFG
(Laserfired-contact)晶体硅太阳能电池效率达到20%。 2004年世界太阳能电池年产量超过1200MW;德国FraunhoferISE多晶硅太阳能电池效率达到20.3%;非晶硅太阳能电池占市场份额4.4

了巨大的经济效益和社会效益。 3、多年来注重生产各环节的工艺改进和适用技术研究支持，形成了多项发明专利。发明专利《基于顶侧分开控制多晶炉铸锭的加热系统控制和方法》，首次提出电源分区控制。对晶体生长各阶
段的能耗优化控制、热场优化进而影响长进晶质量意义重大。 4、2015年，通过对多晶炉热场升级改造等一系列工艺研发，实现产品质量和技术标准行业领先、树立荣德品牌。何双权个人简历

、明年10月达产。今年下半年，将再布局9GW单晶硅项目。目前，保山正在与中科钢研等大型企业集团洽谈，发展碳化硅和以碳化硅为基础的碳化硅晶体、碳化硅电力电子芯片等下游产业。今年，年产蓝宝石1000万
全产业链发展。多方面降低能耗。根据《十三五节能减排综合工作方案》，保山市水电硅、晶体硅加工生产属可再生能源行业，争取其能耗依规进行扣减。另外，水电硅能耗尽力在保山域内平衡消纳，同时争取省调配支持

研究所所长沈辉教授，他带来主题为《光伏发展评述与未来展望》的演讲报告。沈辉教授从光伏理论建立与发展、我国光伏发展历史回顾、晶体硅太阳电池技术发展、太阳电池发展的经验教训、新型硅基异质结太阳电池
、晶体硅光伏组件技术发展、光伏产业发展前景展望等进行了讲解。沈辉教授表示，光伏发展经历了从1954年的电话机供电需求，单晶硅太阳电池研制，到2007年多晶硅电池产量超过单晶硅，再到现在的新能源时代

，潜在效率28.7%又最接近晶体硅太阳能电池的理论极限效率29.43%，因此大家认为相较于主流的单晶PERC电池TOPCon电池还具有进一步提升转换效率的空间，简单来说就是TOPCon电池能够以较小的
一道新能源并没有像大家期待的那样趁势展开。工艺改动虽然不大，只要改扩散炉和隧穿就能从现有的单晶PERC产线升级到TOPCon，但是稳定性到现在也没有办法完全保证，设备厂商代表告诉记者

，部分产品应用于半导体集成电路产业。 2007年初，公司自主研制成功的国内首台半导体级全自动晶体生长炉，改变了高端单晶炉技术被国外长期垄断的产业格局，实现了进口替代，同时也为公司带来了业绩增长
熔硅单晶炉及蓝宝石晶体生长炉等其他新产品，通过涉足其他应用领域来减少单一行业波动对公司业绩的影响。 2014年，公司营收实现2.45亿元，同比增长40.17%，净利润实现6581.06万元，同比增加

于半导体集成电路产业。 2007年初，晶盛机电自主研制成功的国内首台半导体级全自动晶体生长炉，改变了高端单晶炉技术被国外长期垄断的产业格局，实现了进口替代，同时也为该公司带来了业绩增长
分别46.83%和75.01%。 2014年，晶盛机电通过开发了应用于IGBT、LED等领域的区熔硅单晶炉及蓝宝石晶体生长炉等其他新产品，通过涉足其他应用领域来减少单一行业波动对该公司业绩的影响。该公司

专门研发了GT炉，这炉子就是GT铸锭炉的前身。GT公司在研发中发现，通过定向生长的方法很难长出性能和CZ单晶一样的单晶，但是长出来的多晶也可以做电池，虽然效率略低，但是成本也更低，尤其是对硅料的要求更低
，整体而言多晶的性价比是优于单晶的。随后，GT公司放弃准单晶炉和准单晶技术的研发，直接将铸锭技术和铸锭炉投放市场，这就是多晶硅片的起源。早在二十年前GTsolar公司也做过铸造单晶技术的研发，后来