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　　目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率
产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的

5．晶体硅太阳电池及材料引言 1839年，法国Becqueral第一次在化学电池中观察到光伏效应。1876年，在固态硒（Se）的系统中也观察到了光伏效应，随后开发出Se／CuO光电池。有关硅
。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可

：#l.G9y8TcmI0il 到2020年全球光伏发电量将占总发电量的1.1%。到2040年占21-26%，而在2050年以后，光伏发电量将达到50%以上。8_@(]7Yr:r6b
太阳电池。}/I$Y2] nY}wj0Tl 目前市场上的主流电池仍然是晶体硅太阳电池，2005年市场份额占95%。其中多晶硅电池52.3%、单晶硅电池38.3%、带硅/片硅电池