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PV EXPO,东京，2009年2月27日－东京电子（Tokyo Electron）,一家全球领先的半导体制造设备制造商，宣布了与欧瑞康太阳能(Oerlikon Solar)，一家全球领先的薄膜电池
Higashi先生，东京电子有限公司的CEO和董事长对此评论道。东京电子和欧瑞康将一起显著提高薄膜太阳能技术在亚洲部分地区、大洋洲和日本的使用，这些地区在太阳能的使用和输出上早已处于领先地位。该合作将

绿色能源的美好未来。上届回顾： “SNEC (2009)PV POWER EXPO”吸引了来自德国、美国、日本、法国、奥地利、荷兰、瑞士、比利时、新加坡、西班牙、台湾等四十多个国家和地区的业内
生产线，总建设规模超过10万吨，总投资超过1000亿。2007年中国太阳电池产量1088MWp，超过日本（920MWp）和欧洲（1062.8MWp）。组件封装产业2006年为721MWp

、Q-Cells、SolarWorld；日本4个：Kyocera、M．Setek、Sanyo、Sharp、Tokuyama公司；中国大陆1个:Suntech(美国／中国区);中国台湾1个：Motech；挪威1个
密集型产业，国内有较多企业参与这个市场。由上可以看出，美国、欧洲和日本是太阳能技术领先的国家。由于篇幅有限，在此将陆续介绍这些国家优秀公司在太阳能技术方面申请的部分专利，相关专业人士如需更详细

太阳能开发银行，促进太阳能产品的商业化。日本在1974年公布了政府制定的“阳光计划”，其中太阳能的研究开发项目有：太阳房、工业太阳能系统、太阳热发电、太阳电池生产系统、分散型和大型光伏发电系统等。为
实施这一计划，日本政府投入了大量人力、物力和财力。70年代初世界上出现的开发利用太阳能热潮，对我国也产生了巨大影响。一些有远见的科技人员，纷纷投身太阳能事业，积极向政府有关部门提建议，出书办刊，介绍

薄膜 9:30-9:50 日本PVGS 近藤茂树高效晶体硅电池生产技术及光伏组件的质量控制 9:50-10:10 匈牙利SemiLab 黄黎经理太阳级硅单晶少子
定量分析讨论题： 1、中国太阳级硅材料能否赶上世界先进水平？2、物理法提纯太阳级硅面临的问题 B 厅光伏电池主持：林安中

％的填充因子和20．8％（AM1．5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术
高表面复合，局部铝扩散被用来制作电池的表面接触，2cmX2cm电池电池效率达到23．3％（Voc=700mV，Isc－～41．3mA，FF一0．806）。（4）日本sHARP的C一Si