黑硅技术的工艺,能同时兼顾硅片端降本与电池片端提效两方面。目前黑硅技术主要分成干法制绒的离子反应法(Reactive Ion Etching,RIE)技术,以及湿法制绒的金属催化化学腐蚀法(metal %的光电转换效率创造了156×156mm2大面积N型单晶硅IBC电池的世界纪录。这一数值突破天合光能在2014年5月创造的22.94%的同项世界纪录,也是天合光能光伏科学与技术国家重点实验室第13次打破
端降本与电池片端提效两方面。目前黑硅技术主要分成干法制绒的离子反应法(Reactive Ion Etching,RIE)技术,以及湿法制绒的金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed 26日,天合光能光伏科学与技术国家重点实验室宣布,经第三方权威机构JET独立测试,以23.5%的光电转换效率创造了156156mm2大面积N型单晶硅IBC电池的世界纪录。这一数值突破天合光能在2014年
同时兼顾硅片端降本与电池片端提效两方面。目前黑硅技术主要分成干法制绒的离子反应法(Reactive Ion Etching,RIE)技术,以及湿法制绒的金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed 年4月26日,天合光能光伏科学与技术国家重点实验室宣布,经第三方权威机构JET独立测试,以23.5%的光电转换效率创造了156156mm2大面积N型单晶硅IBC电池的世界纪录。这一数值突破天合光能