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综合
三菱重工业07年量产新型太阳能电池
来源:索比光伏
发布时间:2007-07-03 10:00:59
三菱重工业日前宣布,2007年4月开始量产供应通过结合使用非晶硅和微晶硅提高功率的“
微
晶
串联太阳能电池”。为了量产
微
晶
串联太阳能电池,将投资约100亿日元,在其长崎造船所誎早工厂里建设一家年产
三菱
太阳能
光伏要闻
多晶
硅薄膜
的制备方法 (1)
来源:索比光伏
发布时间:2007-06-20 01:48:28
温度处于500~600℃,则不能采用廉价的普通玻璃而必须使用昂贵的石英作衬底。 LPCVD法生长的多晶
硅薄膜
,晶粒具有择优取向,形貌呈“V”字形,内含高密度的微挛晶缺陷,且晶粒尺寸小
) 所谓固相晶化,是指非晶固体发生晶化的温度低于其熔融后结晶的温度。这是一种间接生成多晶硅的方法,先以硅烷气体作为原材料,用LPCVD方法在550℃左右沉积a-Si:H
薄膜
,然后将
薄膜
在600℃以上的
多晶硅 太阳能 光伏
光伏科技
太阳能光伏技术——世界太阳能开发利用现状
来源:索比光伏
发布时间:2007-06-08 17:29:30
聚光器(光电池)17202530 非晶硅(包括叠层电池)5~67~91014 CuInSe\-2-8~101214 CdTe-8~101214 低成本基片
硅薄膜
-8~101215
/5.002.00/3.331.20/2.000.75/1.25
薄膜
硅
2.00/3.331.20/2.000.75/1.25 CIS 2.00/3.331.20/2.000.75/1.25
太阳能 光伏 多晶硅
光伏科技
太阳能光伏技术——多晶
硅薄膜
太阳电池
来源:索比光伏
发布时间:2007-06-08 17:26:56
较致密的多晶
硅薄膜
。但由于作为籽晶层的
微
晶
层中晶粒较小,其上生长的多晶
硅薄膜
中的晶粒也不大,影响了电池的效率,目前我们正在研制ZMP设备,以增大晶粒尽寸。 采用CVD法必须有再结晶步聚,而
太阳能 光伏
光伏科技
太阳能光伏技术——多晶
薄膜
与
薄膜
太阳电池
来源:索比光伏
发布时间:2007-06-08 17:25:55
速率大于10m/s。 用等离子体喷涂沉积多晶
硅薄膜
太阳电池,全部采用低温等离子CVD工艺。用碱或酸溶液腐蚀沉积的多晶硅层,在其上于200℃用等离子CVD形成厚度约20010-8cm的微晶硅作为
太阳能光伏
光伏科技
太阳能光伏技术——非晶硅太阳能电池
来源:索比光伏
发布时间:2007-06-08 17:21:47
插入污掺杂层以克服界面壁垒。(3)p层材料采用宽带隙高电导的
微
晶
薄膜
,如μc-sic,可以减少P层的光吸收损失;减少电他的串联电阻。(4)为减少p/i界面缺陷,减少二极管质量因子,在p/i界面插入C含量
太阳能 光伏
光伏科技
太阳能光伏技术——多晶硅及其它转换材料
来源:索比光伏
发布时间:2007-06-08 17:17:56
研发阶段。目前,铸造多晶硅太阳能电池已经取代直拉单晶硅成为最主要的光伏材料。但是铸造多晶硅太阳能电池的转换效率略低于直拉单晶硅太阳能电池,材料中的各种缺陷,如晶界、位错、微缺陷,和材料中的杂质碳和氧
太阳能 光伏 多晶硅
光伏科技
(一)非晶硅太阳电池进一步的发展与现状
来源:索比光伏
发布时间:2007-05-22 17:08:02
)P层材料采用宽带隙高电导的
微
晶
薄膜
,如μc一Slc,可以减少P层的光吸收损失;减少电池的串联电阻。(4)为减少P/I界面缺陷,减少二极管质量因子,在P/I界面插入C含量缓变层。此层的最佳制备方法是
非晶硅 太阳能 电池
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