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领域。去年末，夏普推出了两款薄膜太阳能电池板，据说转换效率达8.5%，功率可达90W。这些产品基于串连电池设计，把单独的非晶与单晶层结合在一起。它的一个关键特点是能够在玻璃基板上面形成厚度只有2微米
左右的硅原材料层。夏普表示，这样的厚度大约是传统多晶硅太阳能电池的百分之一，降低了消费者的总体成本。夏普声称，已开发出了一种堆叠式三结薄膜太阳能电池，可实现大量生产。这种三结结构把两个非晶硅层和一个微

温度处于500～600℃，则不能采用廉价的普通玻璃而必须使用昂贵的石英作衬底。 LPCVD法生长的多晶硅薄膜，晶粒具有择优取向，形貌呈“V”字形，内含高密度的微挛晶缺陷，且晶粒尺寸小
达10个小时以上，不适用于玻璃基底，基底材料采用石英或单晶硅，用于制作小尺寸器件，如液晶光阀、摄像机取景器等。准分子激光晶化(ELA) 激光晶化相对于固相晶化制备多晶硅来说更为理想

较致密的多晶硅薄膜。但由于作为籽晶层的微晶层中晶粒较小，其上生长的多晶硅薄膜中的晶粒也不大，影响了电池的效率，目前我们正在研制ＺＭＰ设备，以增大晶粒尽寸。采用ＣＶＤ法必须有再结晶步聚，而
，SiO2，Si，Al2O3，SiAlON，Al等，从目前的文献看有以下一些衬底: （１）单晶硅（２）多晶硅（３）石墨包SiC （４）SiSiC （５）玻璃碳（６）SiO2膜

CdS变成n-CdS，电导率可达102-1cm-1左右。对CdS热处理也能使电导率增加108-1cm-1的量级。在相对低温下进行热扩散，以免使膜退化。当在空气中加热到300℃时，由于氧在晶界
有化学吸收，使光电导率衰减。未掺杂的CdS薄膜的电阻率高，不是由于膜的不连续引起的，很可能是由于氧气介入，氧俘获导带电子，形成化学吸附，存在晶界的多晶CdS薄膜更易吸收氧，在热退火过程中

插入污掺杂层以克服界面壁垒。（3）p层材料采用宽带隙高电导的微晶薄膜，如μc-sic，可以减少P层的光吸收损失；减少电他的串联电阻。（4）为减少p／i界面缺陷，减少二极管质量因子，在p/i界面插入C含量
太阳电池发电，与常规能源竞争。 70年代曾发生过有名的能源危机，这种背景催促科学家把对a-Si材料的一般性研究转向廉价太阳电池应用技术创新，这种创新实际上又是非晶半导体向晶体半导体的第三次挑战