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转向高效的HCPV系统发电 (第三代聚光太阳能)。与前两代电池相比，CPV采用多结的III-V族化合物电池，具有大光谱吸收、高转换效率(HCPV系统转换效率可达25%，远高于目前晶硅电池17%左右的
显示，基于三接面三五族化合物太阳能电池HCPV系统成本为每瓦3.6美元。而根据三安光电介绍，Emcore目前系统成本已为3美元/瓦，三安系统成本为2.5美元/瓦，低于目前硅基太阳能发电系统4美元/瓦的

）等大带隙的透明化合物半导体中添加锰（Mn）等“3d过渡金属”实现的。由此，无需制做多结型电池单元，而直接单纯接合即可开发出转换效率非常高的太阳能电池。虽然目前转移效率还比较低，但开路电压非常高
。但在这种情况下，为了将大范围波长的光转换成电，必须采用变化In添加率等的材料来开发多结型电池单元。而此次的研究有助于虽基于GaN但机理完全不同的太阳能电池。（记者：野泽哲生）

美国复合半导体制造商RF Micro Devices (RFMD) 宣布，公司通过使用标准半导体晶片设备成功制造出太阳能电池，标志着6英寸砷化鎵(GaAs)基片上的III-V族多结光伏电池
量产方面获得突破。去年RFMD开始与美国国家可再生能源实验室(NREL)合作，以NREL的电池设计知识产权为基础，开发高效能多结光伏电池的商用高产复合半导体制程。RFMD计划2012年开始

光伏组件厂商海通集团；在下游，关注光电建筑系统集成商泰豪科技。　　另外，涉及到太阳能电池的上市公司繁多，按结晶状态可分为结晶系薄膜式和非结晶系薄膜式两大类，而前者又分为单结晶形和多结
。体现了国家对大力发展光伏发电的积极态度，各地方也在加大光伏产业建设。　　事实上，光伏发电就是根据光生伏特效应原理，利用太阳能电池将太阳光能直接转化为电能的过程。不论是独立使用还是并网发电

第三代CPV（聚光太阳能）发电方式正逐渐成为太阳能领域的焦点。光伏发电经历了第一代晶硅电池和第二代薄膜电池，目前产业化进程正逐渐转向高效的CPV系统发电。与前两代电池相比，CPV采用多结的III—V
。 CPV系统优势多 CPV系统具有转换率优势和耐高温性能。硅电池的理论转换效率大概为23%，单结的砷化镓电池理论转换效率可达27%，CPV采用的多结的III—V族电池对光谱进行了更全面的吸收，其理论

　　三菱电机2010年3月1日宣布，将于2010年度内开始生产单晶Si型太阳能电池。最初年产能为50MW。该公司称，将以转换效率较高的单晶Si型产品，满足太阳能电池面板的设置面积有限的城市住宅等的
需求。　　三菱电机以前一直在生产、销售多晶Si型太阳能电池。该公司称，虽然新涉足单晶Si业务，但“以前就一直在进行相关研发。单晶Si型的技术与多晶Si型并无明显不同”（该公司太阳能发电系统部长有本

　　为了能够与处理大范围波长的薄膜多结型相组合，业界已开始为用作电极的透明导电膜开发可处理大范围波长的材料。现有薄膜太阳能电池主要利用可视光（400～700nm），但是为了提高效率，同时也在利用红外
光子晶体来控制光线　　在太阳能电池的光线控制方面，光子晶体专家也给予了极大关注。京都大学教授野田进的研究小组通过多种方法对光子晶体在太阳能电池上的应用进行了研究。比如，野田介绍，使用三维光子晶体时

和HIT技术研究的情况。他认为中国应在薄膜、晶硅、高效多结化合物、系统与评价、产业化战略方面参照日本模式进行布局，打造先进太阳能电池技术研究中心，并布署多项技术备选，开展研发，改变我国太阳能研发
力量薄弱现状。在谈及产业化方面的设想时，他介绍了三洋公司的电池技术和产业化模式，认为核心工艺技术和关键设备技术是产业化的关键，可以选择兆瓦级的高效电池技术，突破太阳能电池结构关键技术瓶颈，形成中试工艺规范

)。聚光倍率越高，所需太阳能电池面积越小。　　有业内专家介绍，发展CPV技术的原因很简单，就是减少使用昂贵的半导体器件，用其他低廉材料来降低光伏系统整体成本，同时提高效率。其主要思路包括多结叠层电池
现象——光伏产业成本的下降，再加上政府补贴驱动，中国的光伏发电企业正处在发展机遇期。　　光伏发电的主要实现路径包括一代晶硅、二代薄膜、三代多结聚光等技术，每一代技术下又各有分支，纷繁复杂。各种

明确。其实在两年多以前，波音公司子公司Spectrolab有限公司的科学家已经突破了理论上的40％效率限制。他们所采用的技术是第三代的聚焦型太阳能电池片，电池片的表面采用了多结结构，该结构通过三个
技术在新能源中的应用”的报告，介绍了他所领导的课题组在光伏“表面工作”中的进展。在报告中，庄院士先分析了第一、二、三代太阳能电池的优劣势。作为第一代太阳能电池的硅电池片，虽然有一定的

半导体为底板的结构相比，前者对杂质的抵抗性更大，在理论上更易提高能量转换效率。不过，此前许多结晶硅类太阳能电池几乎都采用以p型半导体为底板的结构。原因是在较厚的p型半导体上能够形成非常薄的n型半导体层
。　　采用n型半导体底板的原因之一在于封装层材料。Fraunhofer ISE表示，作为封装材料，普通的SiO2和SiNx对于p型半导体无法充分发挥出其封装功能。因此，许多结晶硅类太阳能电池采用以p

110KW电力，据合作者透露该项目已经为Betasol产生了效益。该项目安装双轴跟踪式Opel MK-I型高聚光太阳能面板，他可以聚焦500多束太阳光到高效率多结GaAs太阳能电池上。两家
Cabetas指出，他公司和合作伙伴Opel利用高聚光太阳能电池面板大大的提高了整个系统的发电效率，因此从西班牙退税中得到的收益对投资者有更大的吸引力。

电力，据合作者透露该项目已经为Betasol产生了效益。该项目安装双轴跟踪式Opel MK-I型高聚光太阳能面板，他可以聚焦500多束太阳光到高效率多结GaAs太阳能电池上。两家公司预计余下的系统安装
利用高聚光太阳能电池面板大大的提高了整个系统的发电效率，因此从西班牙退税中得到的收益对投资者有更大的吸引力。　　(编辑:xiaoyao)