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单晶替代多晶、P-PERC 替代常规单晶的技术迭代。其中常规单晶电池是铝背场电池，在硅片的背光面沉积一层铝膜;P-PERC 电池通过引入背钝化和开槽接触工艺，在电池背面形成背反射器，减少入射光损失
制备一层超薄氧化硅和一层高掺杂多晶硅，氧化硅的化学钝化和多晶硅层的场钝化作用可以显著降低晶硅表面少子复合速率，同时超薄多晶硅层可保证多子的有效隧穿;HIT 通过引入非晶硅本征薄层来提升单晶硅的表面钝化

升级今年上半年，光伏行业密集宣布高强度扩产计划。国内龙头光伏企业大幅布局产能，主要是看好光伏竞争力和市场预期。谁先跑步入场谁有可能先赢，并具有先发优势。中国光伏行业协会副秘书长刘译阳表示。行业
，爱康、阿特斯、腾晖、比太等将对HJT电池进行扩产或建中试线。组件环节扩产企业包括东方日升(300118)、晶澳、尚德、隆基、华君、亿晶、中来、环晟、晶科、展宇、腾晖、协鑫集成(002506

通过人事改革提升了电力局效率，精简了84人，为安置他们的就业，遂创立了晶隆半导体厂，然而效益始终一般。 1996年，靳保芳听说了单晶硅，因多晶硅生产需要大量的电，正好与电力局业务对口，遂上马单晶硅
项目，办起了晶隆半导体厂，正式开启了征战光伏的序幕。同年，又是同年，朱共山终于找到了一个至关重要的项目，和新海康航业组成新海康协鑫热电有限公司，在太仓建了一个热电厂，而这家新海康航业投资有限公司的

GW，对应新增大尺寸硅片产能 150GW~197GW。在硅片制造工艺流程中，核心设备主要包括长晶炉、截断机、滚磨机、切片机及分选机，其中单晶炉价值占比最大。目前，非
氧化物的制备：主要以热氧工艺为主，基本可集成在 LPCVD 机台中实现; 多晶硅沉积：可分为两种方式，一种是先进行非晶硅层生长，而后通过扩散炉晶化并通入磷源进行掺杂，另一种是通入磷源实现原位掺杂

价格说明新增之菜花料报价主要使用在多晶长晶，致密料则大多使用在单晶。因应市场需求变化，单晶硅片报价以低阻硅片、175厚度报价为主，薄片价格按照公式进行折算。 PV Infolink
Infolink的现货价格参考超过100家厂商之资讯。主要取市场上最常成交的众数资料作为均价(并非加权平均值)、但每周根据市场氛围略有微调。硅料价格 51节后上班第一天，硅料价格没有明显变化，国内单多晶用料

晶成硅棒，再切割就形成了硅片，因为生产工艺的不同，铸锭形成的硅锭，切割成了多晶硅片，硅棒则切片成了单晶硅片。硅片再向下可以加工成太阳能电池，到最后封装成组件，和其他辅件安装成了太阳能电站，将太阳光转化
的单晶电池、组件平台，向下游拓展，亲自开拓单晶市场。到了2015年，隆基越发确定单晶的未来前景。彼时，以隆基股份董事长钟宝申为代表，隆基多名高管公开表达观点，认为单晶将在不久的将来取代多晶，成为

，单晶凭借率先导入金刚线切割，成本几乎追平砂浆切割的多晶硅片：1)金刚线切割与砂浆切割相比，线径变细及刀损降低带来出片量提升，减少单片硅耗并摊薄长晶等成本;2)金刚线切片机切割速度是传统砂浆切片机2-3

单晶研发高潮是在10年11年12年这三年，准单晶技术在国内铸锭企业间掀起了一个较大的高潮，后来又戛然而止。其根本原因是采用坩埚底部铺单晶籽晶长晶的方法碰到了当时无法克服的障碍，那就是这样长出来的铸造
单晶硅块中上部位错、缺陷增殖很快，虽然硅锭下部的类单晶片子做出来的电池效率与单晶相当，但是中上部的类单晶由于小角度晶界和缺陷过多，效率比普通多晶还低。这么多的低效片电池厂家无法接受。图1、类

(来源IRENA,2019.11) 另一方面，高功率组件可有效降低度电成本，但存在诸多限制。第一，高效电池技术的应用可显著提升组件功率，但近年量产的多晶PERC、铸锭单晶PERC、单晶PERC等效
串串并联设计，这是由于窑炉出料口及钢化炉尺寸限制、仅能满足长2.2m、宽1.1m的玻璃量产。同时为保持外观的相对一致性，G12组件设计需加接跳线(图2.1)。图2.1 电路设计

前景值得期待。需要指出的是，多晶166mm或者210mm相关技术已经或正在成熟。产业化也不存在瓶颈，阿特斯、协鑫已经磨刀霍霍。据媒体报道，协鑫利用改造切片机切割210鑫单晶
成本下降被新购设备带来的成本上升所抵消。因而短时间内硅片尺寸标准难以再提高，166mm将在相当长的一段时间内成为标准上限。当然，这是现有生产体系最大作用的发挥。来源：隆基股份