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值。多晶采用铸锭的方式生长，主要工艺步骤为加热，融化，长晶，退火，冷却步骤。多晶铸锭时坩埚底部热量通过冷却装置把热量带走。坩埚缓慢下降，从而是硅锭离开加热区，多晶铸锭用的坩埚为石英
LID光衰情况。减少单晶原料的衰减可以考虑一下方法，A.模仿多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺，减少氧含量的引入，提高单晶硅棒的品质。C.由掺硼改为掺镓，避免硼氧复合的出现

为加热，融化，长晶，退火，冷却步骤。多晶铸锭时坩埚底部热量通过冷却装置把热量带走。坩埚缓慢下降，从而是硅锭离开加热区，多晶铸锭用的坩埚为石英陶瓷坩埚，在铸锭过程中引入的氧碳杂质较少，这样在光照条件下
多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺，减少氧含量的引入，提高单晶硅棒的品质。C.由掺硼改为掺镓，避免硼氧复合的出现。　　4、结论本文简单描述了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了

寿命低的BO5，影响电池片的输出功率，最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。　　多晶采用铸锭的方式生长，主要工艺步骤为加热，融化，长晶，退火，冷却步骤。多晶铸锭时坩埚底部热量通过冷却装置把热量带走
。坩埚缓慢下降，从而是硅锭离开加热区，多晶铸锭用的坩埚为石英陶瓷坩埚，在铸锭过程中引入的氧碳杂质较少，这样在光照条件下产生的硼氧复合就会减少，因此多晶硅电池的LID光衰值相对偏低。这样导致了多晶CTM

单晶硅棒，如下图所示：多晶晶体的生长工艺本身决定了它无法生长出大面积单一晶向的晶体(单晶)，多晶的本质就是大量的小单晶的集合体，如下图所示： 多晶铸锭的小单晶颗粒之间的晶界会降低电池的发电能力
，多晶铸锭本身简单粗暴的工艺使得它更容易大规模扩张，但是却无法将位错缺陷和杂质密度控制在较低水平，这些要素无一不在影响着多晶的少数载流子寿命。组件功率衰减分为初始光衰和长期衰减两类，单晶综合性