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成本达到1美元/Wp。从组件制造流程中材料成本的巨大影响看，不断提高电池效率是得到低成本的主要途径。为了进一步降低美元/Wp成本，最终达到0.5美元/Wp的水平，现有的Si基微（纳米）电子方面的知识及
技术大量涌入PV，这同时顺应了人力资本大量涌入PV部门的趋势。很明显，晶硅太阳能电池制造过去已经从微电子方面现有的关于材料、工艺技术、加工设备、器件物理和的特性描述等方面的知识基础受益匪浅。对于未来十年

90多万度。太阳能是怎样用来发电的?半导体材料具有独特的电子学特性，当太阳光照射在半导体上时，其两个区域的电势会分别升高和降低，从而在外电路中产生电压和电流，将光能转化成电能。并网发电系统可将光伏板上接
太阳能电池组件，利用半导体材料的电子学特性，当太阳光照射在半导体PN结上，由于P-N结势垒区产生了较强的内建静电场，因而产生在势垒区中的非平衡电子和空穴或产生在势垒区外但扩散进势垒区的非平衡电子和空穴，在内

子产品、多晶硅产品、太阳能电池片、组件及建筑一体化系统、特种高压气瓶、复合材料制造应用及卫星应用等。内蒙古神舟硅业有限责任公司是由中国航天科技投资控股有限公司、上海航天技术研究院和中国进出口银行等五家
，主要经营高纯多晶硅、气相白炭黑、高纯四氯化硅、高纯硅化合物产品、无水氯化氢等产品，并提供硅化合物技术服务。OFweek视点：最新的赛维LDK提供的材料显示，该公司已与中冶旗下中国恩菲工程技术有限公司

复合增长，切割液业务将保持30%以上增速。公司处于光伏产业链中价格敏感度最低的环节，随着原材料环氧乙烷的长期产能过剩，奥克股份的采购成本长期下降。新产品聚羧酸型减水剂，在建筑大型化、高端化需求的背景下
光伏市场的中长期高速增长，同时看好公司新材料产品的研发和推广。预计11、12 年业绩2.46 元，4.12 元。公司未来3 年业复合增速60%，未来5 年可能实现10 倍增长。合理价格86 元，对应11

子公司南京红宝丽新材料有限公司的"年产1500万平方米高阻燃聚氨酯保温板项目"首条年产250万平方米连续生产线安装调试完毕，并投料试产成功，生产出合格的高阻燃聚氨酯保温板产品，产品阻燃各项指标均达到B
1级标准(复合达到A级标准)，产品主要性能指标为国内外企业同类产品先进水平。昨日晚间，海润光伏发布公告称，公司非公开发行股票方案已经董事会和股东大会审议通过。但由于证券市场发行变化，为了保证本次非公

)晶体硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命。含有硼和氧的硅片经过光照后出现不同程度的衰减。硅片中的硼、氧含量越大，在光照或电流注入条件下产生硼氧复合体越多，少子寿命降低的幅度就越大，引起电池转换效率下降
。　　(1)试验条件及试验步骤试验的条件：A组采用经过初始光照的电池片，B组采用未经初始光照的电池片，A组和B组使用同样的玻璃、EVA、背板和同样的封装工艺。生产出的所有组件经红外隐形裂纹检测仅探测，并

积是其它材料制备的g-C3N4的6倍左右，孔体积达到4倍，表面光照激发后载流子的复合率也更低。其主要原因在于，尿素在热解的过程中生成大量氨气，气体的存在有利于多孔结构的形成。此外，由于尿素中含有氧原子
索比光伏网讯:从太阳能中捕获能量是对环境影响最小，并且能够满足太瓦（Terawatt）级绿色能量需求、缓解能源危机的最直接有效方式。如果能够在半导体材料表面捕集光，在固液界面利用太阳光催化分解水产

年 9 月上市以来，以高性价比的竞争优势在 2008 年至 2010 年　　实现了 36.41%的复合销量增长，并在 2009 年及 2010 年连续两年位居中国汽车　　工业协会公布的国内轿车
%、75.02%及 74.44%；账龄在一年内的应收账款占应收账款总　　额的比例分别为 97.24%、97.46%及 94.23%。　　尽管报告期内本集团应收款项的复合增长率低于同期营业收入的复合增长

吸收系数保证了从紫外光到对应于CdTe带隙的825nm波长的光量子产率。CdTe作为光伏材料的另一个好处是制造技术的灵活性，能以高质量多晶薄膜形式大面积制造。能量转换效率高达16.5%的小面积CdTe
，CdTe太阳能电池的吸收层厚度通常为5-10m。从原理上讲，把CdTe厚度减薄到～1m或者亚微米能大大减少材料消耗，从而降低太阳能电池生产成本。这对环境保护也是有利的，因为发生事故时会将Cd释放

简介2.1背结电池背结电池的p2n结靠近电池背面,光照产生于正表面区域的光生载流子必须穿过整个衬底才能到达背电极,这就对材料少子扩散长度及少子寿命提出了更高要求。若寿命较短,还未扩散到背结区域就已经被复合
(Interdigitatedbackcontact)电池出现于20世纪70年代,是最早研究的背结电池,最初主要应用于聚光系统中,见图1。电池选用n型衬底材料,前后表面均覆盖一层热氧化膜,以降低表面复合。利用光刻技术,在电池背面分别进行

刻蚀剂，与硅反应后生成具有挥发性的SiF4，后面还将详细介绍。5.1.2刻蚀技术的分类及特点刻蚀是采用化学或物理的方法，有选择地从半导体材料表面去除不需要材料的过程。通常刻蚀技术分为湿法腐蚀和干法刻蚀
两种。1.湿法腐蚀湿法腐蚀是通过化学溶液与被刻蚀材料发生化学反应而去除被刻蚀物质的方法。湿法刻蚀的特点是各向同性，但会因存在侧向腐蚀而产生底切现象，从而导致线宽失真，特别是微细线条的刻蚀更为困难，因此

因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高
的背面。电池正面采用由光刻制成的金字塔（绒面）结构。位于背面的发射区被设计成点状，50m间距，10m扩散区，5m接触孔径，基区也作成同样的形状，这样可减小背面复合。衬底采用n型低阻材料（取其表面及体内

％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高的主要因素。PERC和PERL
的发射区被设计成点状，50m间距，10m扩散区，5m接触孔径，基区也作成同样的形状，这样可减小背面复合。衬底采用n型低阻材料（取其表面及体内复合均低的优势），衬底减薄到约100m，以进一步减小体内复合

自然光线。通过表面印刷，该材料的半透明度可进一步降低到50%；（4）特有抗粘着表面使其具有高抗污，易清洗的特点，通常雨水即可清除主要污垢；（5）ETFE膜达到B1、DIN4102防火等级标准，燃烧时也
系数，使ETFE（F-40）成为和金属的理想复合材料，具有极优良的耐负压特性；（8）ETFE膜使用寿命至少为25～35年，是用于永久性多层可移动屋顶结构的理想材料；（9）ETFE薄膜不仅可以作为建筑用膜

铸锭的方式形成的晶硅材料，在一定尺寸的硅片上表现为同一晶向的晶粒面积大于硅片总面积的50%。通过铸锭技术形成准单晶硅的功耗只比普通多晶硅多5%，所生产的准单晶硅的质量接近直拉单晶硅。简单地说，这种技术
就是用多晶硅的成本，生产单晶硅的技术。由于多晶硅电池存在较多的晶界复合，以及所采用的酸制绒技术无法达到单晶硅碱制绒的完美制绒效果，一般的多晶硅电池光电转化效率要低于单晶硅1~2%。通过铸锭单晶硅技术

(实际运营中还要考虑到电池面的清洁，以及恶劣天气带来的意外损伤等情况)，在全使用期的发电售价约为同期传统电价的2倍。一些新开发的高效率太阳能电池面板造价更为高昂。比如，一种转化效率高达41%的复合
膜蛋白在绿色植物中含量最为丰富，被视为捕光复合物。这是一个具有典型正20面体对称特征的空心球体，其中布满了色素分子，以便吸收光能并进行传递。这些色素分子,包括叶绿素a(Chlorophylla