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、0.97元，对应12.8倍、10.8倍、9.42倍P/E，1.31倍、1.19倍、1.08倍P/B。风险提示业务发展或低预期；行业估值中枢或现波动。森源电气重大事件快评：订单完成将增厚公司业绩
多晶硅(永祥股份)-中游电池片(合肥通威)-下游电站(通威新能源)的光伏产业链，进一步完善布局；另一方面，随着国内光伏发电装机容量迅速提升(预计2020年累计装机容量达150GW，五年复合增速28.3

EPS 0.71元、0.84元、0.97元，对应12.8倍、10.8倍、9.42倍P/E，1.31倍、1.19倍、1.08倍P/B。风险提示业务发展或低预期；行业估值中枢或现波动。森源电气重大事件快评
复合增速28.3%)，电池片业务将持续贡献利润，合肥通威承诺，2016~2019年净利润分别不低于3.95、6.08、7.69和8.20亿元，复合增速达到27.5%。公司未来看点如下：1、饲料业务将

：硅墨水，掩膜etch back,腐蚀浆料etch back, PSG激光掺杂。目前最简单的工艺应该是通过PSG的激光掺杂。降低金属区域的复合速率也是提升效率的有效途径。可以进行局部的激光B掺杂，效率
、PERC电池光致衰减（LID）目前单晶的光致衰减主要是B-O复合引起的，由于PERC电池具有更高的开路电压，导致其具有更高的衰减。降低 LID 的主要措施有：降低硅片氧含量市场主流数值为20ppma

中央热水系统、家用太阳能热水器、太阳能热泵热水器、太阳能集热系统、太阳能采暖系统、光热光电一体化太阳能产品、太阳能热水器制造设备、太阳能热水器原材料及配件 B. 太阳能光伏、光热发电：太阳能并网
)、储能电源、超级电容器、可再生燃料电池、液流电池等技术、设备及材料 B. 储能电站及EPC工程： BMS电池管理系统、PCS储能逆变器、微电网、电动汽车充换电站及相关配套设施 C. 新能源发电

新增光伏装机量达59GW，中国新增装机容量达到15GW，目前中国已经成为全球光伏市场增长最快的国家，受益于光伏市场的良好发展，太阳能电池背板市场需求也呈快速增长态势，同时也是背板材料的最大需求市场，成为
中外光伏背板材料供应商的必争之地。预计2016年全球太阳能电池背板市场需求量将接近5亿平方米。作为光伏组件的关键原材料之一，背板市场早期为进口品牌垄断，价格也一直处于高位。太阳能光伏产业的

、温度和时间等参数对p-n结特性的影响) 离子注入法磷扩散，简化工艺，提升效率前表面采用Al2O3/SiN钝化工艺，减少载流子复合最新一代的二次印刷工艺，提升Voc，Isc和FF B
模式，打造高效专业的国际化科技团队。荣获国家火炬计划项目重点高新技术企业，创建了江苏省光伏薄膜材料工程技术研究中心、CNAS、TUV NORD双认可实验室，公司已获专利107项，其中发明专利52项

老化衰减。另外，PID电势能诱导衰减近年也获得认同。 ①光致衰减(Light Induced Degradation，LID) LID产生的本质原因是太阳能电池收到光照后材料内部产生了复合中心
。目前比较公认的说法是，光照后产生的硼氧复合体降低了少子的寿命。掺硼晶硅中的替位硼和间隙氧在光照下激发形成的较深能级缺陷引起载流子复合和电池性能衰退，造成光伏组件在初始应用的几天输出功率发生较大的急剧性

所示： (1)光学损失，包括电池前表面反射损失、正面电极的遮光损失以及长波段的非吸收透射损失。 (2)(2)电学损失，包括硅片表面及体内的光生载流子复合、硅片体电阻、扩散层横向电阻和金属电极电阻
，以及金属和硅片的接触电阻等的损失。这其中最关键的是降低光生载流子的复合，它直接影响太阳能电池的开路电压。当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速度对太阳能电池特性的

所示： (1)光学损失，包括电池前表面反射损失、正面电极的遮光损失以及长波段的非吸收透射损失。 (2)电学损失，包括硅片表面及体内的光生载流子复合、硅片体电阻、扩散层横向电阻和金属电极电阻，以及
金属和硅片的接触电阻等的损失。这其中最关键的是降低光生载流子的复合，它直接影响太阳能电池的开路电压。当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速度对太阳能电池特性的影响将比

来自两个方面，如图1所示：（1）光学损失，包括电池前表面反射损失、正面电极的遮光损失以及长波段的非吸收透射损失。（2）电学损失，包括硅片表面及体内的光生载流子复合、硅片体电阻、扩散层横向电阻和金属电极电阻，以及
金属和硅片的接触电阻等的损失。这其中最关键的是降低光生载流子的复合，它直接影响太阳能电池的开路电压。当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速度对太阳能电池特性的影响将比

复合至关重要。对于IBC高效电池而言，更好的光学损失分析和光学减反设计显得尤其重要。McIntosh等人采用椭偏仪、量子相应测试与数值模拟相结合的方法，定量的确定了IBC电池的光学损失，包括前表面发射
、减反膜寄生吸收、长波段不完美光陷阱、自由载流子吸收的影响等，如图3所示。图3 IBC电池单层膜(a,c)及多层膜(b,d)的光学损失分布图在电学方面，和常规电池相比，IBC电池的性能受前

本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失可以想办法改善
，低效片混入)。 D.热损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。 E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。 F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要

OFwek太阳能光伏网讯：本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼
损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗

索比光伏网讯:本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失
会引起的输出功率下降。E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗。光学损耗产生的