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)采用毫米级硅料作为形核中心进行外延生长，铸造低缺陷高品质的多晶硅锭。无籽晶高效多晶硅技术(全熔)采用非硅材料在坩埚底部制备表面粗糙的异质形核层，通过控制形核层的粗糙度与形核时过冷度来获得较大形核率，铸造
多晶硅锭低少子区域分布较多，但是底部红区高度明显偏低。M.Trempa等通过一种高效阻挡层的实验解释了有籽晶高效多晶硅锭底部红区较高的原因，他们认为底部红区是由于底部坩埚与籽晶杂质扩散的共同影响引起的

解决单晶组件光学损失的方法。 3.2、B-O复合损失由表1的实验结果，不难发现单晶电池LID较多晶电池严重，这主要是因为单晶原料和多晶原料的生长环境不同所导致。常规单晶生长使用石英坩埚，石英坩埚
值。多晶采用铸锭的方式生长，主要工艺步骤为加热，融化，长晶，退火，冷却步骤。多晶铸锭时坩埚底部热量通过冷却装置把热量带走。坩埚缓慢下降，从而是硅锭离开加热区，多晶铸锭用的坩埚为石英

。3.2、B-O复合损失由表1的实验结果，不难发现单晶电池LID较多晶电池严重，这主要是因为单晶原料和多晶原料的生长环境不同所导致。常规单晶生长使用石英坩埚，石英坩埚在高温时与硅溶液反应，生成SiO2，这样
为加热，融化，长晶，退火，冷却步骤。多晶铸锭时坩埚底部热量通过冷却装置把热量带走。坩埚缓慢下降，从而是硅锭离开加热区，多晶铸锭用的坩埚为石英陶瓷坩埚，在铸锭过程中引入的氧碳杂质较少，这样在光照条件下

原料和多晶原料的生长环境不同所导致。常规单晶生长使用石英坩埚，石英坩埚在高温时与硅溶液反应，生成SiO2，这样使硅棒中氧的含量有一定幅度提升，从而增加了硼-氧对的数量，硼氧对在经过光照处理时会形成少子
寿命低的BO5，影响电池片的输出功率，最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。　　多晶采用铸锭的方式生长，主要工艺步骤为加热，融化，长晶，退火，冷却步骤。多晶铸锭时坩埚底部热量通过冷却装置把热量带走