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修复硅中的位错、表面悬挂键，提高了硅片中载流子的迁移率因而迅速成为高效电池生产的主流技术。双层SiN减反射膜，通过控制各膜层中硅的富集率实现了5.5%的反射率;而另一种SiN与SiO混合膜，其反射率更是
低至4.4%，目前广泛采用的单层SiN膜减反射率最优为10.4%.在电池背面生长一层10～30nmSiN膜以期最大限度对电池进行钝化与缺陷的修复从而提高电池的效率是目前的一个热点课题，由于该技术牵涉到

反射率一般仍在11%以上)，并产生大量的化学废液和酸碱气体，非环境友好型生产方式。反应离子刻蚀技术(RIE)是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层MASK(掩膜)再显影出表面织构模型，然后再
利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。用这种方法制备出的减反射绒面非常完美，表面反射率最低可降至0.4%，单多晶技术统一，生产工艺与设备都可移植于IC工业，如果生产成本能够进一步降低可望取代化学腐蚀方法而

方法(1)光陷阱结构。一般高效单晶硅电池采用化学腐蚀制绒技术，制得绒面的反射率可达到10%以下。目前较为先进的制绒技术是反应等离子蚀刻技术(RIE)，该技术的优点是和晶硅的晶向无关，适用于较薄的硅片
，通常使用SF6/O2混合气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF4，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理，形成绒面结构。目前韩国周星公司应用该技术的设备可制得绒面反射率

索比光伏网讯:(1) 光陷阱结构。一般高效单晶硅电池采用化学腐蚀制绒技术，制得绒面的反射率可达到10%以下。目前较为先进的制绒技术是反应等离子蚀刻技术(RIE)，该技术的优点是和晶硅的晶向无关
制得绒面反射率低于在2%~20%范围。(2) 减反射膜。它的基本原理是位于介质和电池表面具有一定折射率的膜，可以使入射光产生的各级反射相互间进行干涉从而完全抵消。单晶硅电池一般可以采用TiO2

问题，实现了整个测试范围内的光源光谱平滑，有效增加了洗系统的稳定性。图四：普通卤素灯的光谱图图五：普通氙灯的光谱图独特的测试光路设计：大部分的量子效率测试系统都受困于量子效率测试点和反射率测试点不能够
实现位置的重复定位，导致两参数测试在不同位置，这对于均与性不是很高的样品或高精度测试的试验中影响很大，本系统通过独特的光纤输出反射聚焦结构实现了反射率和量子效率同时同地测量的方式，有效地解决了上述问题

斜面倾斜角为0时，也就是斜面与地面平行时，斜面将全部面向天空，此时将接受全部的水平散射辐射;当斜面与水平面垂直时，只有一半面向天空，只接受一半的水平面散射辐射。当倾斜角为时，斜面上的散射辐射为各向同性的散射示意显然，斜面获得最大散射辐射的条件为，此时表3.1不同地表反射率(本文作者：赵无量)