来看,首年功率衰减一般不高于2.5%或3%),主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的“B-O对”导致组件功率降低。采用了PERC技术后,光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集,“B-O对”与 Catalyzed Chemical Etching,MCCE)。以现有设备来看,RIE技术因效率提升较高、已有量产实绩等因素较被市场接受,然而其机台价格昂贵,让不少欲进入者踌躇不前。湿法MCCE方面
一般不高于2.5%或3%),主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后,光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集,B-O对与杂质、缺陷会产生更明显 Chemical Etching,MCCE)。以现有设备来看,RIE技术因效率提升较高、已有量产实绩等因素较被市场接受,然而其机台价格昂贵,让不少欲进入者踌躇不前。湿法MCCE方面,虽然机台价格远低于干法制绒
,首年功率衰减一般不高于2.5%或3%),主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后,光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集,B-O对与杂质、缺陷 Chemical Etching,MCCE)。以现有设备来看,RIE技术因效率提升较高、已有量产实绩等因素较被市场接受,然而其机台价格昂贵,让不少欲进入者踌躇不前。湿法MCCE方面,虽然机台价格远