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作者：王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华，中电电气南京光伏有限公司研发中心摘要晶体硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，称之为功率损失或封装损失（powerloss）。本文对
膜厚电池的封装对比选取三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶S125-D165（对角线165mm）电池制作组件（板型：49=36片串联），在板式PECVD时，调节氮化硅膜厚分别为70-75

索比光伏网讯:作者：王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华，中电电气南京光伏有限公司研发中心　　摘要:　　晶体硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，称之为功率损失或封装损失
的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。　　封装实验及讨论　　不同氮化硅膜厚电池的封装对比　　选取三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶

索比光伏网讯:太阳光电集团子公司，上阳能源科技(TOPPER SUN Energy)于日前推出全球革命性「iPV太阳能追日系统」(iPV Tracker)，并针对此全球革新专利系统举行产品发表会暨
，在发电自用的角度而言，每度发电成本大幅下滑；在发电投资的角度上，有效缩短回收效益年限。「iPV太阳能追日系统」的太阳能电池模块，系采用母公司太阳光电 (BIG SUN) 单晶硅高效率太阳能电池，在

近年来，由于传统化石燃料引起环境问题，使太阳能发电作为一种清洁的新能源，正在受高度关注。为了广泛地应用太阳能广泛技术，需要开发高效率、低成本的太阳能电池。在当今全球低迷的光伏环境中，全球各大厂商也
纷纷改善生产技术，尽可能地开发高效太阳能电池片。以下为OFweek列出的全球目前市售的十大最高效率单晶硅太阳能电池信息。1.美国Sunpower电池效率：22.5%电池类型：Maxeon Cell

／Pd金属化电极和减反射膜等。后来的高效电池是在这些早期实验和理论基础上的发展起来的。　　单晶硅高效电池　　单晶硅高效电池的典型代表是斯但福大学的背面点接触电池（PCC），新南威尔士大学
因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高

索比光伏网讯:太阳能电池的工作原理基础是:半导体p-n绪的光生伏打效应。所谓光生伏打效应，简言之，就是当物体受到光照时，物体内的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流的一种效应。当太阳光或其他光照
射半导体p-n结时，就会在p-n结的两边出现电压，叫光生电压。使p-n结短路，就会产生电流。单晶硅的原子是接照一定的规律排列的。硅原子的外层电子亮层中有4个电子，如图l所示。图1硅原子结构图每个原子的

本周光伏产品价格小幅下滑，其中多晶硅价格下降0.08%至24.64美元/kg,156多晶硅片下降0.65%至1.074美元，125单晶硅片下降0.67%至0.886美元/kg；156多晶电池片下降
0.21%至1.897美元，125单晶电池片价格与上周持平。组件跌0.23%至0.86美元。3月以来，多家光伏组件企业投资光伏电站谋求出路。德国市场一季度光伏装机1.9GW，低于预期。中国、日本等市场