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创新的Olympia系统确立了应用材料公司在原子层沉积技术领域的前沿地位独特的模块化架构可生产出各类高质量ALD薄膜，并且在不牺牲产量的前提下支持关键低温工艺 Olympia系统已被多家芯片
)系统。该系统采用独特的模块化架构，为先进3D内存和逻辑芯片制造商带来了高性能ALD技术。3D设备的兴起推动了对新型图形转移薄膜和新共型材料的需求，以及降低材料热预算的要求。在这一背景下，ALD技术

，2015年7月13日应用材料公司今天宣布推出下一代刻蚀设备Applied Centris Sym3 刻蚀系统。该系统设有全新的反应腔，可实现原子级精度工艺。为了克服芯片内部特征差异，Centris
Sym3系统超越了现有的蚀刻技术，大幅改善了蚀刻的可控性和精准度，提供给芯片制造商制造先进内存和逻辑芯片的密集型三维结构。应用材料公司蚀刻业务部门副总裁兼总经理Raman

Olympia系统已被多家芯片制造商成功用于生产各类逻辑和内存设备应用加利福尼亚州圣克拉拉，2015年7月13日应用材料公司今天宣布推出全新的Olympia原子层沉积(atomic
layer deposition, ALD)系统。该系统采用独特的模块化架构，为先进3D内存和逻辑芯片制造商带来了高性能ALD技术。3D设备的兴起推动了对新型图形转移薄膜和新共型材料的需求，以及降低材料热

的归属于母公司所有者权益（未经审计）为91，782.51万元，采用收益法的预估值为278，000.00万元，预估增值率为202.89%。业内人士认为，本次交易完成前，太极实业主要从事半导体后
芯片都由十一科技进行设计。十一科技盈利能力较强，收购完成有望优化公司的业务结构，改善公司的盈利状况，提升抗风险能力。

2025全面发力。英飞凌最新一代PrimePACK功率模块为提高风电、光伏和工业传动等应用的功率密度和系统寿命及可靠性提供了最佳解决方案。它结合了IGBT5和创新.XT技术，是IGBT芯片和模块
了最新的封装技术，有助于减少系统总成本和确保设计的未来适用性。英飞凌推出全新可控逆导型IGBT芯片以提高牵引和工业传动等高性能设备的可靠性， RCDC（Reverse Conducting

金质细线作为电极，而且不必再移除使用过的催化剂粒子。研究人员发现，以化学浴沈积进行蚀刻也发生在距离设定的金属线外之处。Barron表示，这一距离的存在似乎与硅晶的半导体特性有关。Yen-Tien以金质的
我们如何试验，都会出现这样的距离。电子显微镜影像显示在用于太阳能电池的芯片表面上快速制作出可吸收光线的精细突起与孔隙。莱斯大学研究人员开发出在黑硅工艺中兼负双重任务的金电极作为催化剂加速表面蚀刻

则可在初期工艺用于设置金质细线作为电极，而且不必再移除使用过的催化剂粒子。研究人员发现，以化学浴沈积进行蚀刻也发生在距离设定的金属线外之处。Barron表示，这一距离的存在似乎与硅晶的半导体特性有关
在触点以外的一定距离处进行蚀刻。无论我们如何试验，都会出现这样的距离。电子显微镜影像显示在用于太阳能电池的芯片表面上快速制作出可吸收光线的精细突起与孔隙。莱斯大学研究人员开发出在黑硅工艺中兼负

产品品质起到了积极作用。各企业也在不断进行技术创新，以提高逆变器产品的发电效率。华为相关负责人介绍，在硬件上，华为逆变器三电平拓扑结构设计、两级功率变换、多路MPPT设计、使用业界最好的芯片和功率
半导体以及优化的磁性器件。在软件上，结合实际运行环境持续优化，使实际运行工况下的效率最高，措施包括MPPT算法优化、动态算法调整等。通过软硬件的技术结合，给业界提供最好品质的逆变器。除了此次中国效率测试

英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日推出发挥英飞凌新一代IGBT优势的最新一代PrimePACK功率模块。IGBT5和创新的.XT技术结合，是IGBT芯片和模块
等应用大部分高功率逆变器的最佳选择。新推出的PrimePACK功率模块采用英飞凌最新推出的IGBT5芯片，其最高工作结温（Tvjop）提高了25K，可达到175C。与前代产品相比，IGBT5

工智能、自动控制、信息处理等半导体器件的电子信息基础材料，被称为微电子大厦的基石，而最重要的是多晶硅是太阳能的核心原材料，目前我国多晶硅基本依赖进口，而由于技术垄断，公司发展前景非常看好。公司新设立的
亚洲地区规模最大的企业，并成为太阳能上游资源的垄断龙头。特变电工(600089)：在1月18日与峨嵋半导体研究所、新疆特变(集团)有限公司特变集团、上海宏联创业投资有限公司签署了《特变电工多晶硅

的因素，招标时不再是价格最低者中标。光伏逆变器高度依赖于电力电子和微电子技术的发展，特别是半导体开关器件，以及微处理器。下面是TI公司C系列MCU的发展情况：可以看到，逆变器的微处理器
是向着速度更高，功能更强的方向发展，每一代产品更新时间约为5-6年，逆变器使用时间约为8-10年，从芯片上市到逆变器大规模采用的时间约为2-3年，芯片的生产批量生产时间约为10-15年，对于集中式

支持10纳米及更小的铜互连图形生成。芯片尺寸的不断缩小需要更先进的硬掩模技术，从而保证紧凑、微型互连结构的完整性。随着这一全新技术的推出，应用材料公司成功延续氮化钛（TiN*，半导体行业的首选硬掩膜材料
的半导体、平板显示和太阳能光伏行业精密材料工程解决方案供应商应用材料公司，近日推出全新的Applied Endura CirrusTM HTX物理气相沉积(PVD)*系统，采用突破性硬掩模技术，可

为0.29美元，同比增长38% 2015年5月14日，加利福尼亚州圣克拉拉--全球领先的半导体、平板显示和太阳能光伏行业精密材料工程解决方案供应商应用材料公司（纳斯达克：AMAT），公布了其截止
；以及特定税费项目。GAAP和非GAAP财报之间的调整信息包含在本新闻稿中的财务报表中。请参见后文非GAAP财务计量方法的使用。第二季度各事业部的财务表现及与上季度的比较 半导体产品事业部

聚光光学系统来替代昂贵但是高效率的III-V半导体芯片，使得它在发电度电成本上与光热技术和通常的平板（晶硅）系统具有竞争力，特别是在一些高辐射度的地区。高倍聚光特别适合于在阳光充足的地区（直射
III-V族半导体材料的多结芯片（如三结GaInP/InGaAs/Ge）。低倍聚光（LCPV）系统的聚光比一般小于100，通常使用高效的单晶硅芯片，采用单轴跟踪系统或双轴跟踪系统，本文对此不作重点

议论，但项目安装仍然在继续，在成本下降和技术进步方面看起来也还是乐观的。高倍聚光的基本原理是利用相对廉价的聚光光学系统来替代昂贵但是高效率的III-V半导体芯片，使得它在发电度电成本上与
（HCPV）系统采用高聚光比模组和双轴跟踪系统（统计至2014年11月）。所谓高聚光比指的是聚光比在300~1000之间，采用III-V族半导体材料的多结芯片（如三结GaInP/InGaAs/Ge