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%。半导体业务高速增长，12英寸大硅片量产在即;此外，新能源材料营收120.92亿元，同比增长40.87%;太阳能硅片销量291980万片，同比增长135.45%;产量300375万片，同比
称，公司及全资子公司与银川经济技术开发区管委会签订项目投资协议，就在银川投资建设年产15GW单晶硅棒和硅片项目及年产3GW单晶电池项目达成合作意向，项目合计投资58.5亿元。根据公告，年产15GW

平价上网似乎是光伏产业的救世良方，逻辑在于行业的政策周期性将明显减弱，商业模式由看天吃饭的B2G向B2B、B2C转换，市场空间急剧扩大，估值中枢获得提升。我们认可这一逻辑，但认为这一美好前景的到来
、半导体、先进制造等其他产业链也成立，不是光伏独有的。根据清华大学和美国健康影响研究所《中国燃煤和其它主要空气污染源造成的疾病负担》的研究测算，中国每千瓦时燃煤发电的大气污染成本最多不超过5.4分

FZ硅片上实现了22.8%的高转换效率，其基本结构如图2a所示。1999年，UNSW的该团队再次宣布其PERL太阳电池(如图2b所示)转化效率达到24.7%。与传统的单晶硅太阳电池相比，PERL
的极限效率的方法，考虑了新标准的太阳光谱、硅片光学性能、自由载流子吸收参数以及载流子复合与带隙变窄的影响，当硅片厚度为110m时，单晶硅太阳电池理论效率为29.43%。硅异质结(SHJ)太阳电池的模拟

，现在因为中国的进入，已经被完全白菜化，最为典型的就是太阳能产业，从上游的硅料，硅片，到电池片，电池面板全部国产化，各个环节全球份额都超过了50%，并且在技术上和国外的差距已经抹平，发达国家的
今年才9年。小米2010年成立，到现在成立才8年， OPPO品牌是2004年创立的，华为虽然1987年就成立了，但是真正的下决心开始做消费电子市场，抛弃B2B给运营商定制手机，真正的开始做

，这与企业自身经营、产业发展这两因素息息相关。首先是企业自身因素。多年来，协鑫集团一直深耕新能源特别是光伏产业，先是专注光伏上游材料多晶硅的生产，经过数年时间的不懈努力，成为全球最大的多晶硅及硅片
及硅片的占据 35%以上的全球市场份额，协鑫集成的电池片、组件产量位列全球第一梯队，协鑫新能源的光伏电站装机规模居全球第二。而GE Energy方面，受GE集团整体战略调整影响，GE Energy

，经过数年时间的不懈努力，成为全球最大的多晶硅及硅片生产商;在此过程中，协鑫集团在继续保持上游原材料领先优势的同时，也适时拓展太阳能产业版图，进军产业中下游。目前，协鑫集团旗下已经拥有保利协鑫、协鑫集成
及协鑫新能源三家太阳能光伏产业上市公司，2017年，保利协鑫全年生产74818公吨多晶硅及23902兆瓦硅片，较2016年增长7.9%和38%，位列全球第一;截至2018年6月底，协鑫新能源已在全球

研发，立 8-12 英寸集成电路级抛光片，8 英寸半导体抛光片，钻石线切割超薄硅片项目，整体太阳能级单晶硅材料。 2017项目：布局高效 PERC 电池片项目、高效叠瓦组件项目、高效光伏
、硅片、电池片、组件及光伏发电各细分领域，进一步提高了产品质量，降低生产成本。高纯晶硅、高效硅片生产到太阳能电池组件、太阳能光伏发电以及光热一体化产品。冷氢化、三氯氢硅合成、反歧化、大型节能精馏

19项产品获得高新产品认证。中环股份 2018年上半年项目： 8-12 英寸半导体直拉单晶研发，立 8-12 英寸集成电路级抛光片，8 英寸半导体抛光片，钻石线切割超薄硅片项目，整体太阳能
暗室，通威光伏板块研发投入 33,551.51 万元，增幅 49.95%，涉及多晶硅、硅片、电池片、组件及光伏发电各细分领域，进一步提高了产品质量，降低生产成本。高纯晶硅、高效硅片生产到

。 2、检测设备工作原理 2.1光致发光(PL) PL是检测原材料的有效方法，如Fig.2-1所示，以大于半导体硅片禁带宽度的光作为激发手段，激发硅中的载流子，当撤去光源后，处于激发态的电子属于
源包括：a、晶体表面的机械损伤和微裂纹;b、杂质或O-Si的原子集团，旋涡带;c、掺杂剂的局部聚集等。一般而言，热应力在硅片的边缘比较大，因此边缘的滑移位错比较明显，然后向中心蔓延，严重时可以出现星形

：2019年6月6日 15:00-22:00 展出内容(展品属类)： A、光伏生产设备：硅棒硅块硅锭生产设备：全套生产线、铸锭炉、坩埚、生长炉、其他相关设备硅片晶圆生产设备：全套生产线、切割
生产线、测试设备、玻璃清洗设备、结线/焊接设备、层压设备等薄膜电池板生产设备：非晶硅电池、铜铟镓二硒电池CIS/CIGS、镉碲薄膜电池CdTe、染料敏化电池DSSC生产技术及研究设备 B

薄膜厚度和折射率的影响实验采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备氮化硅薄膜,使用PD-220N型镀膜机,源气体采用硅烷和氨气,基片采用单面抛光的硅片。由于本实验是3因素(射频功率A、沉积温度B
镀膜的最优工艺参数。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的氮化硅薄膜作为理想的减反射膜,具有很好的表面钝化作用,已被广泛地用于半导体器件。沉积参数的设计和工艺安排都会显著影响氮化硅薄膜产量和质量

大面积功率输出的单体太阳能电池尤为重要。 1栅线设计原理与上电极有关的功率损失机理包括由电池顶部扩散层的横向电流所引起的损耗、各金属线的串联电阻以及这些金属线与半导体之间的接触电阻引起的损耗。另外
，可适当的降低Rf和Rb。细栅线遮光相对功率损耗为主栅线遮光相对功率损耗为忽略直接由半导体到主栅线的电流，接触电阻损耗仅仅是由于细栅线所引起，这部分功率损耗一般近似为

，依托其领先业内的技术，将在各个全球领先的各个领域上(多晶硅、单晶硅、硅片、电站运营)上疾行到怎样的高度; B.出口竞争力：保利协鑫的硅料生产已是全球第一，并已出口到全球第二的韩国，随着成本的降低，将在
全球出口中具备全面竞争力; C.夯实技术领先：资金可用于发展鑫华半导体及技术研发领域(譬如FBR多晶硅技术和CCZ技术)，而保利协鑫在技术研发始终处于行业前列。这种领先，不只是中国，而是放在全球范围

。此时浆料内部必须迅速恢复其初始结构，黏度恢复初始黏度，浆料在硅片上形成一定的高宽形貌。从图2可以明显观察到：a、b、d、e四种浆料在OA-Ⅱ与OA-Ⅲ时，相差不大，在OA-Ⅱ阶段相位角均能
有两条主栅和多条细栅平行排列在镀有氮化硅减反膜的N型半导体上，为减小遮光效应和获得较小线阻，要求线宽要小，线高要大，附着力和电导性能优良。而在实际生产中，印刷后栅线是有限制的，烧结后50m宽、20m高

有效抑制了直拉工艺中大量氧进入硅晶体的固有缺陷，而且彻底解决了P型(掺硼)太阳电池的光衰减现象。区熔单晶硅主要用于IC和其它半导体器件的硅片制造，但由于其生产成本较高，迫使一些公司对区熔单晶硅工艺进行
来减少净硼含量。这是因为在补偿硅材料中，硼氧缺陷的浓度与净硼浓度呈线性关系。闻震利等人发现在含B和其它杂质含量都比较高的硅材料中，通过掺入P补偿过多的B，可以延长少数载流子的寿命、提高低质量硅片的

29.90%。我国已发展成为全球第一大光伏产品生产国及第一大光伏市场。 B、光伏行业用金刚线市场概况第一，光伏行业的增长状况直接影响金刚线的市场规模。据行业经验估计，每片硅片(约4W)需耗用
较小。另外，金刚线切割造成的损伤层小于砂浆线切割，有利于切割更薄的硅片。更细的线径、更薄的切片有利于降低材料损耗，提高硅片的出片率。2015年的硅片厚度多为 180m，砂浆切割的刀缝损耗大约