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我们对整个c-Si价值链的生产商进行自下而上的追踪以及为所有影响组件效率和硅片厚度的变量分配电池技术。分析通过硅片制备、铸锭和最终达到多晶硅g/W水平获得了空前详尽的信息，而业内一贯采用的是自上而下
的简易快速估算法。分析内容包括实际电池生产、通过技术方法实现的电池-组件连接损耗、单晶/多晶用途(包括n型和p型电池变量)、金刚线切割的使用、切口损失和影响整个行业多晶硅用量(g/W)不断减少的

双向拉伸对比PVDF传统流延和吹膜聚氟乙烯薄膜(Tedlar，PVF)采用双向拉伸制造工艺，所制备的薄膜在横向和纵向两个方向都经过取向强化，机械性能均衡没有弱点。由于PVF薄膜加工温度和分解温度
3 PVF与PVDF的耐化学性测试此实验依据ASTM D543 塑料耐化学试剂的标准评价方法进行测试，将PVF和PVDF薄膜分别浸入丙酮，硫酸(1 mol/L)和饱和氨水中进行测试，时长为168

２０１１年重大科技计划项目。　　２０１１年公司共计申报专利１７项，其中发明专利８项，实用新型专利９项。其中，报告期内获得国家发明专利三项，分别为：一种晶体硅太阳能电池选择性发射区的制备方法，太阳能电池
硅片清洗剂及其使用方法，一种用于制备单晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法；这些发明专利的取得，显示公司较强的科研实力，同时，也将有力地推动公司技术水平的提高。　　５、完善内控建设，规范公司治理　　公司

相关技术，为深入研究多晶硅生产技术积累经验；2000年，中国恩菲率先在国内开展了多晶硅高效节能环保生产技术与装备研究，率先获得国家发明专利四氯化硅氢化制备三氯氢硅方法授权；2002年，完成年产2000吨
二氧化硅制备工艺技术研究和气相二氧化硅表面处理及尾气循环利用技术研究两个课题，实现利用多晶硅生产副产物四氯化硅生产高品质气相二氧化硅的关键技术突破，成功建成年产2000吨生产线，在进一步延伸产业链的同时

了全新的共挤技术路线工艺。光伏背板赵若斐介绍，聚合物多层包装材料最多可以有9层结构，通过共挤技术来制备，光伏背板只需要3层，不过光伏组件要经受长达25年的户外环境考验，要满足诸多如耐紫外、耐湿热等苛刻
完美的综合耐老化性能还与国内外的认证测试机构以及国内众多的组件企业技术人员交流，有关背板的测试认证方法、反复验证产品性能。经过长达3年的反复测试和多次的改进直至近乎完美，保证产品可靠性、无缺陷、自信

不同封接界面微观组织及相互渗透情况分析，探索封接机理，指导封接工艺；2）进行了耐高温选择性吸收涂层材料与制备技术涉及的主要材料的研究试验，并对试制产品进行了测试，其主要性能指标基本能达到课题目标要求
；3）进行了寿命测试方法初步研究与探讨；4）对太阳集热系统示范进行了系统研究并已建立了太阳集热系统基本框架，搭建了总长度为100m槽式太阳能集热系统：开口宽度5.76m，峰值光学效率不小于78%，最高

上帝给人类最好的礼物之一。晶体硅电池中，成本70%，或者60%是硅材料，所以如果说我们降低硅材料的成本，那我们可以降低硅电池的成本，那么降低硅的成本现在有两个方法，一个是继续降低化学方法来制备
多晶硅技术，另外一个是发展物理方法来提纯多晶硅，物理方法提纯的多晶硅，几年前市场上占有的量是零，现在他所占有的量是10%左右。在我们太阳能中心，还有一个小组是做小锭，也是物理方法提纯，做的效果也很好，做了

索比光伏网讯:2012年12月21日，世纪新能源网记者从中国科学院高分子物理与化学国家重点实验室获悉，化学所在聚合物太阳能电池活性层微观形貌调控方法与机理研究方面取得重要进展。近年来，形貌的优化
能为力。在中国科学院、科技部、国家自然科学基金委和化学所的大力支持下，化学所高分子物理与化学国家重点实验室在聚合物太阳能电池活性层微观形貌调控方法与机理方面最近取得重要进展。研究人员首次引入三元混合

采用等离子体浸没离子注入方法制备黑硅，制备的多晶硅片反射率低至1%（在可见光波段内），表面微观结构和反射率可控。通过系统研究，研制的多晶黑硅电池转换效率最高达18.3%。小批量试产表明工艺稳定。专家组
索比光伏网讯:2013年10月12日，中科院前沿局组织专家在中科院嘉兴对微电子所承担的院知识创新工程重要方向项目等离子体浸没离子注入制备黑硅及太阳电池技术研究进行了现场验收。专家组由来自上海交通大学

工程热物理学家肖翔，刚好就搭乘了那一趟飞往巴西的空难客机..... 这个世界，真的是充满了“巧合”啊! 这种巧合，使得关键岗位的负责人总是被莫名搭讪、这种巧合，使得咱们价值千亿的制备方法获取只需
记者，我们想要拍摄一些新闻素材”。没有阻拦，没有警惕，在热情洋溢的欢迎中，日本人压抑着狂喜的心情“淡定”的拍摄着两步发酵法的制备过程、关键资料，一切，就像在自家后院自拍一般... 临走时，在几番

了金属催化化学腐蚀的概念并在实验室进行了初步的研究；直到2009年，美国国家可再生能源实验室（NREL）的Branz博士提出了全液相黑硅制备方法，将湿法黑硅技术朝产业化方向又推进了一步。但是，他们一直未能
组件输出功率提升4W。2017年底，阿特斯将具备4GW湿法黑硅产能。2017年，苏美达辉伦自主《一种多晶硅表面倒金字塔结构及其制备方法》获得了发明专利。2017年2月，协鑫集成多晶湿法黑硅PERC电池

概念并在实验室进行了初步的研究；直到2009年，美国国家可再生能源实验室（NREL）的Branz博士提出了全液相黑硅制备方法，将湿法黑硅技术朝产业化方向又推进了一步。但是，他们一直未能解决好黑硅表面
4W。2017年底，阿特斯将具备4GW湿法黑硅产能。2017年，苏美达辉伦自主《一种多晶硅表面倒金字塔结构及其制备方法》获得了发明专利。2017年2月，协鑫集成多晶湿法黑硅PERC电池开始量产，湿法黑硅

清洁能源化学与材料实验室阎兴斌团队在对EDLC在离子液体储能机理的研究中取得重要进展。研究人员制备出4种纳米二氧化硅接枝的离子液体，利用充放电过程中只允许离子液体的一种离子自由进出活性炭孔道的特点，实现了
定量分析，即利用循环伏安曲线电流的大小直接反应离子贡献的容量。基于以上方法，研究团队发现，以商用活性炭YP-50F为电极，可以表征阳离子BMIM+、NBu4+和阴离子NTf2、PF6各自贡献的容量以及每种

了一步。值得一提的是，在年底的12月份，天合光能有限公司的发明专利晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极及其制备方法继今年5月获得江苏省专利金奖后，再次荣获中国专利优秀奖。这项技术再一次完善了晶体硅
提升，使其具备很大的应用推广价值。采用TS+黑硅片的电池平均转换效率可达19.0%，组件(60片型)输出功率达275W以上，金善明表示。相比常规多晶组件，基于TS+黑硅片制备的60片组件，其组件功率提高

晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极及其制备方法继今年5月获得江苏省专利金奖后，再次荣获中国专利优秀奖。这项技术再一次完善了晶体硅太阳能电池背面电极布局结构。成功解决了背钝化电池局域背场的形成以及金属
很大的应用推广价值。采用TS+黑硅片的电池平均转换效率可达19.0%，组件(60片型)输出功率达275W以上，金善明表示。相比常规多晶组件，基于TS+黑硅片制备的60片组件，其组件功率提高5W以上

掉，至此，单晶硅太阳能电池的单体片就制成了。单体片经过抽查检验，即可按所需要的规格组装成太阳能电池组件(太阳能电池板)，用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流，最后用框架和封装材料进行封装
。 4、非晶硅片非晶硅太阳能电池是1976年出现的新型薄膜式太阳能电池，它与单晶硅和多晶硅太阳能电池的制作方法完全不同，硅材料消耗很少，电耗更低，非常吸引人。制造非晶硅太阳能电池的方法有多种