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，PERC产线需要6000-8000万元/GW改造升级为TOPCon产线。改造方式以多技术路线并进，包括LPCVD和PECVD两条路，分为三种工业化流程： 1)方法一：本征+扩磷。LPCVD制备多晶硅膜结合
; 3)方法三：原位掺杂。PECVD制备多晶硅膜并原位掺杂工艺。该方法沉积速度快，沉积温度低，还可以用PECVD制备多晶硅层，简化很多流程，实现大幅降本。气体爆膜现象已经得到解决，稳定性有待

近日，国际科学家团队使用特定的排列方式在26㎝的面积上实现了钙钛矿电池21.4%的转换效率，创造了该尺寸的效率记录。在0.09 cm的面积上，钝化制备的电池达到了23.9%的转换效率，当放大到
是一种有效的策略，研究采用了一种钝化层的新方法，以开发新的有机阳离子钝化剂具有连续和稳定的钝化效果，研究人员表示:这可能为扩大钙钛矿型光伏电池的商业相关尺寸铺平了道路。钙钛矿实现产业化的一大制约

mbh)的精炼方法硅碳热还原法制备太阳能电池级硅(西门子研究实验室) 太阳能级硅的冶金路线(埃肯) 定向凝固镁硅制备太阳能硅碳化物路线(Enichmico) 硅烷基多晶硅工艺
操作。由于硅烷比氯硅烷对于杂质更易分离，这种方法可以生产出世界最纯净的多晶硅，这在半导体领域发挥着重要作用。但是由于硅烷是一种化学活性很高的气体，用西门子炉子来生长多晶硅时，结晶过程很难控制，所以

，一般使用VHF-PECVD制备微晶硅，但该技术目前规模化生产的薄膜均匀性较差，纳米晶硅/微晶硅作为未来HJT的发展方向，大规模应用仍需解决技术工艺问题。电池材料优化：靶材、银浆材料优化，提升
越高，97/3和99/1低锡含量溅射靶材所制备的异质结电池的转换效率要优于普通成分比为90/10的ITO靶材。RPD主要采用IWO和ICO靶材，新型ICO靶材载子迁移率可达50-150cm2/Vs，高于

成为一种非常清洁的新型燃料。以多种方式制备的氢气，通过燃料电池直接转变为电力，可以用于汽车、火车等交通工具，实现终端污染物零排放;也可用于工业、商用和民用建筑等固定式发电供热设施(见图16)。世界上一些
商业性受控热核聚变发电的示范(见图17)。实现受控热核聚变，除ITER采用的磁约束方式外，还有惯性约束等其他方法。中国在积极参加ITER计划的同时，对这些不同的技术方法，也需进行探索和研究。此外，对

径。中科院院士、中国科技大学校长包信和介绍，现阶段，我国煤炭有两种主流利用方式，一是大量作为能源，直接燃烧发电;二是作为原料，通过煤化工等手段，制备化学品。我国对化学品需求量很大，又不可能像国外一样
，完全依赖石油化工来生产，因此，利用煤炭转化制备化学品比较现实、可靠。以煤为原料制备化学品，离不开碳、氢、氧三个元素的反应变换。因此，煤的结构及反应过程，决定其燃烧一定会产生二氧化碳。据测算，燃烧

有望逐步替代多晶硅，保利协鑫已经走在该领域的前列目前，硅料的制备主要有两种方法 ●一是主流的改良西门子法 ●二是技术尚未成熟的硅烷流化床法前者具有产品纯度高、技术成熟的优点，缺点是能耗高
，只有美国的REC Silicon采用此方法。根据保利协鑫的数据显示，应用颗粒硅单晶成本是应用棒状硅单晶成本的81%，理论上颗粒硅生产成本有望较棒状硅低30%。目前，内蒙中环、上机包头、宁夏协鑫等

达 30GW 以上。 3.2. HJT 设备：多技术路线百花齐放，国产设备厂将强力推动产业化进程 HJT 4 大工艺步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO 制备、电极制备，对应的设备分别为
。 TOPCon 原理：在电池的背面制备一层超薄的隧穿氧化层和高掺杂的多晶硅薄层。两者共同形成的钝化接触结构，为硅片的背面提供了良好的表面钝化。超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层时租到少子空穴复合，进而

中空碳包覆FeNi3合金纳米颗粒的巧妙方法，其中涉及到金属离子在聚苯乙烯(PS)球表面的吸附过程和高温碳化过程，具体制备流程如图3所示。首先将 PS 球均匀分散在 Tris 溶液中，然后加入醋酸镍
) FeNi3@C 和 Ni@C 催化 NaPSs 转化的能量图。插图表示 NaPSs 在 FeNi3@C 上的优化吸附构型。要点二：FeNi3@HC高效催化剂的设计构筑本工作提出了一种制备

差距。重点突破膜、炭纸、催化剂、双极板、膜电极、氢气再循环泵、空压机等质子交换膜燃料电池关键材料、部件批量制备技术，车用燃料电池安全监管保障技术，固体氧化物燃料电池热电联供系统技术。 5.关联技术领域
氢能材料及装备产业化基地建设项目在房山建设氢气制备、储运供应产业链及装备产业化基地。建设高纯氢提纯设施及配套系统和氢气液化示范项目、建设一体化运氢物流及加氢基础设施;引导在京的氢能企业统筹布局

产业链扩产节奏的错配。改良西门子法是目前主流多晶硅制备方法。多晶硅生产的主要技术路线可分为改良西门子法与流化床法，前者为目前主流的技术路线。改良西门子法以工业冶金级硅粉为原料，与氯化氢(HCl
还原电耗、综合电耗预计有望分别从 2020 年的 49 kWh/kg-Si，66.5 kWh/kg-Si 下降至 44 kWh/kg-Si，60 kWh/kg-Si，进一步推动多晶硅制备成本下降

光伏+5G网络、光伏+数据中心、光伏+充电桩等特色行业智能光伏应用。新能源材料。重点突破高端钴酸锂等锂电池正极材料制备技术，发展硅碳附件、中间相炭微球等负极核心材料，推进六氟磷酸锂电解液材料生产
试剂盒等高端医用试剂产品，支持基因测序产品、生物检测产品以及与仪器配套使用检测品的研发和产业化，攻克原料抗体、酶等关键开发制备技术。智慧医疗与大健康。重点发展医用智能传感器、家用可穿戴式健康监控仪器设备

认为，TOPCon只有在双面都做氧化硅和多晶硅时才能达到理论最大值28.7%，单背面理论效率只能达到24.9%。但是短期来看，TOPCon可能会卡在多晶硅钝化层的制备等技术环节难以发展;中期来看
突破。但是其实无主栅才是最终的降本目标，奈何目前专利掌握在海外，短期内还处在保护期。另外一个方法就是银包铜，1/3的银用铜来替代。3)设备降本：2021年底或明年降至3.5亿元/GW目前HJT的设备

用于太阳能电池生产的可回收钙钛矿新方法。预计这一工艺将对太阳能领域产生持久的影响。使用这种结构制备的太阳能电池的功率转换效率达到11.08%，开路电压高达0.988V。
和表面科学部的研究人员使用一种更精确的粉末设计方法合成了名为FAPbI3的钙钛矿结晶粉末。文章的主要作者之一、博士后学者Guoqing Tong博士解释称，钙钛矿中的结晶粉末--FAPbI3--

京地方法院正式诉讼韩国韩华侵犯其三栅线电极构造的专利权。不只韩华，国内很多企业都收到了京瓷的专利侵权警告信。诉讼案件的结果是，2015年10月，京瓷宣布，同韩华签署了太阳能光伏专利交互授权契约，同时撤销
阿特斯日本子公司未经许可使用了 Maxeon叠瓦太阳能电池组件专利， Maxeon在日本东京地方法院对阿特斯日本子公司提起专利侵权诉讼。 2021年6月11日，美国

专家王文静认为，TOPCon只有在双面都做氧化硅和多晶硅时才能达到理论最大值28.7%，单背面理论效率只能达到24.9%。但是短期来看，TOPCon可能会卡在多晶硅钝化层的制备等技术环节难以发展;中期
一个方法就是银包铜，1/3的银用铜来替代。 3)设备降本：2021年底或明年降至3.5亿元/GW 目前HJT的设备成本是4.5亿元/GW，根据产业链调研来看，今年底设备成本有望下降到3.5亿元/GW

形态为棒状硅，2020 年采用此方法生产出的棒状硅约占全国总产量的97.2%。除了改良西门子法，目前多晶硅料的制备还有硅烷流化床法制硅路线(在流化床反应器中利用硅烷法分解，并在预先装入的细硅粒
? 光伏产业链长啥样? 概括来说，行业上游为从硅料到硅片的原材料制备环节;中游则是从光伏电池开始到光伏组件的制造环节，负责生产有效发电设备;下游则是应用端，即光伏发电系统。与同为半导体的芯片

到化学物质的转化而得到了广泛研究。但大多数无机半导体光催化剂存在禁带宽度大、对太阳光的利用率低、制备方法复杂、光生载流子复合速率高以及长时间照射时的光腐蚀等固有缺陷，限制了其进一步的发展和应用。相比之下
和-堆积作用，我们成功制备了自组装锌卟啉超分子(SA-ZnTCPP)，并深入研究了其光催化产氢的机理和规律。文章简介本文中，清华大学朱永法教授在国际知名期刊Advanced Energy

副产热能的配套工艺。改良西门子法是目前最为成熟、应用最广泛、扩展速度最快的多晶硅制备工艺。该路线产品形态为棒状硅，2020 年采用此方法生产出的棒状硅约占全国总产量的97．2％［3］。除了改良
，多晶硅（料）不等于多晶硅（片），多晶硅片是硅料通过一系列工艺制备而成的产品，位于产业链中游。两者因为名称区分度不高，常引起误解。此处的多晶硅料，亦是制备单晶硅的原材料。多晶硅的纯度决定了其应用领域

三种工业化流程： 1) 方法一：本征+扩磷。LPCVD 制备多晶硅膜结合传统的全扩散工艺。此工艺成熟且耗时短，生产效率高，已实现规模化量产，但绕镀和成膜速度慢是目前最大的问题。该技术为目前
TOPCon厂商布局的主流路线，主要是晶科能源和天合光能; 2) 方法二：直接掺杂。LPCVD 制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺。离子注入技术是单面工艺，掺杂离子无需绕度，但扩硼工艺要比扩磷工艺