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型单晶硅PERC电池理论转换效率极限为24.5%，导致P型PERC单晶电池效率很难再有大幅度的提升，并且未能彻底解决以P型硅片为基底的电池所产生的光衰现象，这些因素使得P型硅电池很难有进一步的发展。与
P型硅相比，N型硅少子寿命更长，对Fe等金属有更高的容忍度，以N型硅为基底的电池片理论转换效率更高，且不会发生由于B-O复合体导致的LID(Light Induced Degradation)光致

半时间，不管单多晶如何指责对方的衰减率，经过两年半的初期光衰之后，2019年的数据会告诉大家：到底谁在裸泳! 衰减率是累计的，所以理论上应当用大同一期项目2019年12月的各子项目衰减率数据。但研究发现
。亮点1：从表中可以看到，2016年初，多晶60就已经能够做到275-280W的功率档次，这是来源于南京日托的MWT特别技术，因而日托也成为那一年多晶功率的领跑者。亮点2：在大同

直拉法硅片，集成正反面钝化及反光衰等先进的工业钝化发射极触点电池技术。在多晶PERC上，2015年11月，天合光能大面积P型多晶硅PERC太阳电池光电转换率达到21.25%，创造了新的世界纪录
，实现了双面受光、双面发电，背面功率与正面功率相比不低于75%，产品背面可带来最高25%的发电量增益。Hi-MO2首年光衰可低于2%，平均年衰减低于0.45%，均优于常规组件。此外，2017年11月

(LID) P型晶硅电池普遍存在光致衰减的问题，而叠加PERC技术后衰减问题更甚，尤其是多晶PERC，目前导致光致衰减的机理尚不清楚。单晶PERC光衰要高于单晶BSF电池，单晶PERC的光衰主要与电池

，也有可能是电池生产工艺的问题。对电池生产线上出现的黑斑片与正常片做光衰实验对比，发现两组电池的衰减基本都在允许范围内，说明黑斑片的产生与硅片材料质量无关。通常硅片中容易出现黑芯片，黑芯片呈现圈形
太阳电池片及组件存在的隐性缺陷。由于电池片中有缺陷区域没有发出红外光，故在EL图像中呈现黑斑。 3 结果与讨论 3.1EL黑斑通过EL测试，我们选出效率为19.15%和19.37%两个档位的黑斑片

工艺的问题。对电池生产线上出现的黑斑片与正常片做光衰实验对比，发现两组电池的衰减基本都在允许范围内，说明黑斑片的产生与硅片材料质量无关。通常硅片中容易出现“黑芯片”，“黑芯片”呈现圈形年轮状，其
太阳电池片及组件存在的隐性缺陷。由于电池片中有缺陷区域没有发出红外光，故在EL图像中呈现“黑斑”。结果与讨论 EL黑斑通过EL测试，我们选出效率为19.15%和19.37%两个档位的黑斑片

，也有可能是电池生产工艺的问题。对电池生产线上出现的黑斑片与正常片做光衰实验对比，发现两组电池的衰减基本都在允许范围内，说明黑斑片的产生与硅片材料质量无关。通常硅片中容易出现黑芯片，黑芯片呈现圈形
太阳电池片及组件存在的隐性缺陷。由于电池片中有缺陷区域没有发出红外光，故在EL图像中呈现黑斑。 3 结果与讨论 3.1EL黑斑通过EL测试，我们选出效率为19.15%和19.37%两个档位的

初始都有光致衰减现象，但不同批次功率衰减幅度差异较大，1%～3.7%都有，因此改善初始光致衰减现象显得非常必要。通过以上分析可知，组件初始光衰幅度主要取决于电池光致衰减，电池光致衰减则由硅片的硼
摘要：结合在组件生产和电站质量管理中遇到的问题，对组件材料老化衰减及组件初始光致衰减原因进行了分析和实验测试，提出相应对策。结果表明：组件材料老化功率衰减主要是EVA和背板老化黄变引起，组件初始功率