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集成电路制造行业和其他行业近百家科研院所、高校以及企业的生产线上发挥着重要作用。据了解，45所产品服务的主要市场领域包括微电子、半导体照明(LED)、太阳能光伏、半导体分立器件及光学
机、划片机等产品。其他光学元件、特种材料等电子元器件设备产品客户在全国各地均有分布，涉及的产品包括切片机、清洗机、甩干机、划片机等。企业的生命力在于产品的生命力。2008年，根据

中需要反复提高的部分。激光技术将在新型上表面和背面加工阶段起重要作用2。比如，在金属环绕穿通（MWT）器件中，较薄的金属接触“手指”被移到背面。在发射极环绕穿通（EWT）器件中，传递功率的母线也被转移
替代能源和“可再生”的能源类型，碳排放量几乎为零，因此只要可能，就有采用绿色生产设备的强烈动力。　　利用DPSS激光进行边缘隔离不仅更加环保，还提高了成品率和器件效率。特别由于晶体硅在这些较短的

。资料显示，此次新华光拟购买西光集团所拥有的防务性资产和负债包括西安导引科技有限责任公司、西安西光物资有限公司和西安西光光学元件有限公司等三家企业的股权。截至2008年9月30日，西光集团防务性资产及负债
。新华光认为，天达光伏的生产规模逐步扩大，相应配套设施完善，具备良好的盈利空间。若上述资产收购能够顺利实施，新华光的主营业务将由原来光伏太阳能、光电材料与器件的生产、销售扩增至防务、光伏太阳能、光电材料与器件三大主业。 (编辑:xiaoyao)

第一股」之后，伴随着新华光的方案出台，兵工集团对旗下上市公司的整合进度有所加快。光电材料与器件、特种化工与石油化工、重型车辆与装备将是其未来发展的三大支柱产业，而「专业化重组和资产注入」将是兵工集团下属
。　　接近新华光的有关人士在接受记者采访时则表示，新华光现有的两块产业——光学玻璃制造和太阳能电池发展状况较为一般：前者是公司多年立业的基础，但一直到现在还没有做起来，竞争对手也很多；太阳能产业原有

。麻省的Solasta公司使用新的电池结构设计技术，采用非晶硅纳米结构。通过缩短电池导线中的电荷运动路径，增加电压和降低材料成本。这一做法有效地分离了光学和电子途径。如果项目成功的话。可生产出光效15
光伏生产商。新罕布什尔州的Spire Semiconductor公司计划设计三结叠层太阳能电池，通过在砷化镓基板上生长不同的双面单元来实现。这家公司获得了297万美元的资助，用来优化器件层的

、锂离子电池和印刷电子器件等。关于NanoGram NanoGram Corporation（美国加利福尼亚州密尔派塔斯市）专业开发并许可用于光学、电子和能源产品独特纳米组分制造的
　　NanoGram Corporation，一家核心先进材料工艺技术以及光学、电子和能源应用工具和解决方案的开发商和许可人，今天宣布已荣获美国 Department of Energy能源效率和

NanoGram Corporation，一家核心先进材料工艺技术以及光学、电子和能源应用工具和解决方案的开发商和许可人，6月11日宣布已荣获美国 Department of Energy
。” NanoGram的光伏技术创新是该公司面向清洁技术（Cleantech）应用领域不断成长的知识产权资产的一部分，具体包括太阳能、平板和柔性显示、固态照明、锂离子电池和印刷电子器件等

有限公司（SKE）自1995年12月成立以来作为京瓷集团的零部件事业制造公司发展至今。现在除片式电容器之外，还生产用于电子元器件的多层集成电路封装、机能零部件（TCXO、VOC、FEM）、压电零部件
位于上海外高桥保税区，并在上海陆家嘴、深圳设有事务所。东莞石龙京瓷光学有限公司东莞石龙京瓷光学有限公司（简称SKO）位于中国华南经济最发达的珠江三角洲---广东省东莞市石龙镇，作为专门生产照相机的

第三次挑战。太阳电池本来是晶体硅的应用领域，挑战者称，太阳电池虽然是高品位的光电子器件，但不一定要用昂贵的晶体半导体材料制造，廉价的非晶硅薄膜材料也可以胜任。1．2非晶硅太阳电池的理论与技术基础的确
立无定形材料第一次在光电子器件领域崭露头角是在1950年。当时人们在寻找适用于电视摄像管和复印设备用的光电导材料时找到了无定形硒（a一Se）和无定形三硫化锑（a一SbS3）。当时还不存在非晶材料

问题也是晶粒的致密度问题。除了上述制备薄膜的方法外，在用多晶硅薄膜制备太阳电池器件方面人们也采取了一系列工艺步聚，以提高效率。这些工艺步聚包括：（１）衬底的制备和选择（２）隔离层的制备
（３）籽晶层或匹配层的制备（４）晶粒的增大（５）沉积多晶硅薄膜（６）制备Ｐ－Ｎ结（７）光学限制：上下表面结构化，上下表面减反射（８）电学限制：制备背场（ＢＳＦ）和前后电极的欧姆

具有纤锌矿结构，是直接带隙材料，带隙较宽，为2.42eV。实验证明，由于CdS层吸收的光谱损失不仅与CdS薄膜的厚度有关，还与薄膜形成的方式有关。 1.2 CdS薄膜光学性质 CdS薄膜
亲和势为4.58eV，与CdS的电子亲和势（4.50eV）相差很小（0.08eV），这使得它们形成的异质结没有导带尖峰，降低了光生载流子的势垒。 2.2 CulnSe2材料的光学性质

。太阳电池本来是晶体硅的应用领域，挑战者称，太阳电池虽然是高品位的光电子器件，但不一定要用昂贵的晶体半导体材料制造，廉价的非晶硅薄膜材料也可以胜任。1．2非晶硅太阳电池的理论与技术基础的确立无定形
材料第一次在光电子器件领域崭露头角是在1950年。当时人们在寻找适用于电视摄像管和复印设备用的光电导材料时找到了无定形硒（a一Se）和无定形三硫化锑（a一SbS3）。当时还不存在非晶材料的概念及有关的