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综合
薄膜晶体硅太阳能电池的潜力
来源:索比光伏
发布时间:2007-12-20 10:27:08
±77.8%)。然而,短路电流(Jsc )受限于薄的光学有源层(20mm)。穿透外延层的光会被高掺杂、低质量的衬底收集而
损失
掉。因此,这两种太阳能电池技术之间的短路电流相差7 mA/cm2并不少见。体硅
100%地漫射(即Lambertian折射器)。这使得
光子
能够以60°的平均角穿过有源层,使光程长度增大为原来的2倍。换而言之,使20 mm薄层的光学表现相当于40mm厚的有源层。我们发现,通过去
太阳能
光伏科技
太阳能基本知识
来源:索比光伏
发布时间:2007-07-02 23:00:33
逆流,引起热
损失
。由此种型式的热水系统的流量可得知(因来自水的流量可知),容易预测性能,亦可推算于若干时间内的加热水量。如在同样设计条件下,其较自然循环方式具有可以获得较高水温的长处,但因其必须利用
,避免损坏PN结;二是这样的表面会吸收所有波长的光,包括那些
光子
能量不足以产生电子-空穴对的红外辐射,使太阳电池的温度升高,从而抵消了采用绒面而提高的效率效应;三是电极的制作必须沿着绒面延伸,增加了接触
光伏 太阳能 能源
光伏科技
太阳能光伏技术——多晶薄膜与薄膜太阳电池
来源:索比光伏
发布时间:2007-06-08 17:25:55
具有纤锌矿结构,是直接带隙材料,带隙较宽,为2.42eV。实验证明,由于CdS层吸收的光谱
损失
不仅与CdS薄膜的厚度有关,还与薄膜形成的方式有关。 1.2 CdS薄膜光学性质 CdS薄膜
/),对于太阳电池基区
光子
的吸收、少数载流子的收集,因而也即对光电流的收集产生了非常有利的条件。这也就是CdS/Cu1nSe2太阳电池会有39mA/cm2这样高的短路电流密度的原因,这样小的吸收长度
太阳能光伏
光伏科技
太阳能光伏技术——非晶硅太阳能电池
来源:索比光伏
发布时间:2007-06-08 17:21:47
在105-106,此区中光生电子空穴是光伏电力的源泉。非晶体硅结构的长程无序破坏了晶体硅光电子跃迁的选择定则,使之从间接带隙材料变成了直接带隙材料,对
光子
的吸收系数很高,对敏感光谱域的吸收系数在
实现织构,从而增加太阳电池对光的吸收。采用aSiC:H作为p型的窗口层,带隙更宽,减少了P层的光吸收
损失
,更好地利用入射的太阳光能。(2)对a-Si层和两个电极薄层分别实现了激光划线分割,实现了集成化
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