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地球表面每年接受太阳辐射能量高达5.4*1024J，若能将其中的十万分之一转化为电能，就可以满足目前全世界的能耗需求，因此，太阳能发电对缓解日益严重的环境和能源危机具有特别重要的意义，太阳能发电
主要指光伏发电。据统计资料显示，目前光伏发电系统中，接近99%的安装容量为并网应用，这是因为并网应用相对独立光伏系统有成本低和免维护等优势，并网式光伏发电系统式当今发展方向，全世界并网式光伏系统年增长率

有比较清晰的识。关键词：并网逆变器，单级式，两级式，微逆变器 1引言地球表面每年接受太阳辐射能量高达5.4*1024J，若能将其中的十万分之一转化为电能，就可以满足目前全世界的能耗需求
，因此，太阳能发电对缓解日益严重的环境和能源危机具有特别重要的意义，太阳能发电主要指光伏发电。据统计资料显示，目前光伏发电系统中，接近99%的安装容量为并网应用，这是因为并网应用相对独立光伏系统有成本低

新型后端设备的新低压组件设计 ThinFab使薄膜硅组件的能源回收期间（energy payback-time）缩短至不到一年，拥有业内最低的光伏工厂能耗。欧瑞康太阳能首席执行官Jurg
（EU PVSEC）上，欧瑞康太阳能将在2楼2号展厅B8展台展出。欲了解新ThinFab的详情，请访问www.oerlikon.com/solar/thinfab。关于欧瑞康欧瑞康（SIX

‘微’比‘低’还要小，而‘排’比‘碳’的范围更广。”　　绿色五星级大厦　　2010 年1月18 日，阴天，大雾。上午9 时，记者走进微排大厦的办公楼，大厅的醒目位置竖立着一块电子显示牌，上面记录着当日
已经70 多岁，搞了30 多年太阳能建筑，唯一能够按照我的意见设计的只有自己家，其他人都没能说服。国外建筑设计师在建造低能耗的“绿色”建筑时，通常是将太阳能光伏电板搁置在楼顶上，然后在它的四周种上绿色

目标！促创新、降成本、保发展则已是当前多晶硅产业发展的当务之急！改良西门子法工艺不可避免的存在投资大、能耗高的弊病，但其在制备电子级多晶硅方面具有明显的优势；硅烷法和物理法理论成本低，但存在
安全风险和关键杂质难以去除的问题；我国产业界自主开发烷氧基硅烷法工业体系理论成本低、品质高、且无污染和能耗问题，工业化正在加速进行。产业界应如何科学评估各种体系的优缺点？做到群策群力，协调发展？为我国

领先、国际先进水平，并拥有自主知识产权和自主品牌。　　品质好——该公司生产的多晶硅纯度已达或超过“9个9”电子级，甚至达“11个9”级，品质为国内之最。　　能耗低——综合电耗控制在每生产一公斤
，通过气相沉积法和低温高压的反应炉技术生产的多晶硅，具有生产周期短，70小时能出一炉；单炉产量大，一炉可生产3.5吨；硅棒品质高，多晶硅纯度提高到“9个9”，甚至于“11个9”电子级；单位能耗低，仅为

时候可以快速断开与电网的连接。因此，太阳能逆变器的基本设计标准包括额定电压、容量、效率、电池能效、输出AC电源质量、最大功率点跟踪（MPPT）效能、通信特性和安全性。图1a：半桥逆变。图1b
可达95%。基于太阳能阵列的能量转换效率相对低（约在15%左右）的事实，所以，就以最小的太阳能面板获得最多的输出功率来说，高效逆变器具有非常重要的意义。　　电池能力：在逆变器的DC侧加装电池组

若干年。系统比较简单，而且适应性广。只因其一系列种类蓄电池的体积偏大和维护困难而限制了使用范围。 B）光伏并网发电系统，当用电负荷较大时，太阳能电力不足就向市电购电。而负荷较小时，或用不完电力时
，就可将多余的电力卖给市电。在背靠电网的前提下，该系统省掉了蓄电池，从而扩张了使用的范围和灵活性，并降低了造价。 C）A, B两者混合系统，这是介于上述两个方之间的系统。该方案有较强的适应性，例如

年以来有了较大发展。但1993年人均能耗只有943千克标准煤，仅为世界平均能耗的47%，远低于中等发展中国家的水平。而且，我国的煤、油、气人均资源也只有世界人均资源的三分之一。目前，我国能源供应紧张，尤其
的经济损失360亿元。由于生态环境破坏造成的损失达500亿元。未来的生活需要一种环保型的能源。太阳能可以担任这一角色，它零排放的优越星将成为人类生活的主流。随着人民生活水平的提高，我国民用能耗急剧

技术流程包括铸锭(或单晶生长)、切方滚磨、用多线切割机切片、化学腐蚀抛光，其中铸锭(或单晶生长)环节属于高能耗，切割机等的投资规模相对较大，具有工艺、资金方面的壁垒。在这个环节中Sharp
、Q-cells、BP Solar、Kyocera等公司占据较大的市场份额。第三个环节是太阳能电池制造，我国的代表企业是无锡尚德（Suntech）。第四个环节是组件封装，技术含量相对较低，进入门槛低，属于劳动力

％的填充因子和20．8％（AM1．5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术
1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对电他的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41”角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集效率，对低