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年会上全新推出了ZXM8-TPLDD132-至尊670W高功率组件。新组件搭载了目前先进的单晶210mm PERC电池片，12BB多主栅、半片双面轻质双玻组件沿袭了正信始终如一的品质工艺，并且弱光
环境正常工作，从容应对多种严苛天气的特性更为此款大功率组件锦上添花。大功率高科技采用MBB多主栅技术通过对技术的极致研究，选用12BB多主栅技术将对组件发挥卓越性能起到

。到2025年，战略性新兴产业增加值占全市生产总值比重达到20%以上，增加值超过1万亿元，经济发展主引擎作用更加突出，具有全球影响力的集成电路、生物医药、人工智能上海高地基本形成。重大创新实现新
设计。提升5G通信、桌面CPU、人工智能、物联网、汽车电子等核心芯片研发能力，加快核心IP开发，推进FPGA、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、高端微控制单元（MCU）等关键器件研发。提升集成电路

。据宋毅锋介绍，目前公司的210组件均已采用行业先进的多主栅、无损切割、半片等技术，整体功率提升2%~3%，效率提升0.4%~0.6%，组件隐裂风险显著降低，产品可靠性值得信赖。其中泰坦RSM150系列
功率达510W，转换效率可达20.8%，是简单屋顶环境如工商业屋顶应用场景的最佳选择。小泰坦410W系列则主打复杂屋顶应用场景，产品更加小巧和灵活，但却是同尺寸组件中转换效率最高的产品之一，可达

贴合，并且支撑超薄的硅片应用(120m)和浆料耗量的降低(不需要长的银主栅线)，同时降低了封装损失，提升了组件的耐候性和可靠性。低成本，MWT+HJT成本测算按照目前主辅材的价格，对比常规
，导致转换效率基本不随厚度减薄而改变，这就为超薄硅片的应用提供了可能，这也是降低主材硅成本最为有效和直接的方法。根据测算，硅片厚度每降低10m，单片硅片成本将降低3%~5%，这个对于价格高昂的N型

电池技术，需要相匹配的组件封装技术与封装材料，才能发挥出最大的性能与价值。先进技术助力大尺寸硅片组件实现更高功率。多主栅(MBB)技术可以降低遮光面积、减少电阻损耗、提升组件功率、降低银浆用量
第三方机构TUV南德测试认证，组件功率最高达到703.622W，组件实际测试效率高达23.08%，创造了新的光伏组件转换效率世界纪录。据悉，NewT@N组件产品继承了无损切片、半片技术、MBB多主栅

超过800亿元。通威太阳能在原子层沉积背钝化、选择性发射极工艺、双面电池、多主栅、HJT电池、高效组件等核心技术领域形成了具有自主知识产权的多项技术成果。一方面，公司专注于当前主流PERC技术，通过
。随着近两年硅片尺寸的不断增大，大面积PERC电池的工艺难度和复杂性进一步提高。技术团队通过对栅线图案、陷光结构、扩散和钝化工艺等量产化技术的最优集成，将M6 PERC电池的各项I-V参数都做

，产值超过800亿元。通威太阳能在原子层沉积背钝化、选择性发射极工艺、双面电池、多主栅、HJT电池、高效组件等核心技术领域形成了具有自主知识产权的多项技术成果。一方面，公司专注于当前主流PERC技术
。随着近两年硅片尺寸的不断增大，大面积PERC电池的工艺难度和复杂性进一步提高。技术团队通过对栅线图案、陷光结构、扩散和钝化工艺等量产化技术的最优集成，将M6 PERC电池的各项I-V参数都做