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年，荣获总装备部GaAs太阳电池首席专家称号　　2004-2005，荣获获航天人才奖　　2009-2010 荣获航天科技集团公司优秀专利发明人 2、主要贡献　　中国空间主
电源----GaAs电池首要创始人，历时二十年从无到有建立GaAs电池实验室、中试线、生产线，电池转换效率从最初的10%提高到30%，达到国际先进水平，目前已全部替代硅太阳电池；　　十五

，只有与高掺杂的硅才可以接触良好。由于TiO2没有很好的钝化功能，人们在当时并没有过多的考虑钝化。而且由于减反射层在金属电极之上，因此沉积的时候需要用模版遮挡主栅，以便后续的串焊。虽然这一时期，在
ITO，蒸镀Ti/Pd/Ag叠层栅线，背面蒸银作为背面电极。该电池设计开路电压达到692.4mV，填充因子达到79.4%。由于退火温度的不同，这里沉积的非晶硅并未结晶为多晶硅，而是达到了类似薄膜硅电池中的

可以接触良好。由于TiO2没有很好的钝化功能，人们在当时并没有过多的考虑钝化。而且由于减反射层在金属电极之上，因此沉积的时候需要用模版遮挡主栅，以便后续的串焊。虽然这一时期，在实验室中，科研人员已经采用
掺磷和掺硼的非晶硅，之后退火。正面采用溅镀ITO，蒸镀Ti/Pd/Ag叠层栅线，背面蒸银作为背面电极。该电池设计开路电压达到692.4mV，填充因子达到79.4%。由于退火温度的不同，这里沉积的非晶硅

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