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发生2%~3%的快速功率衰减，原因是晶体生长中使用硼作为掺杂剂，同时有较多的氧原子混杂，替位硼和间隙氧在光照下激发形成较深能级缺陷，引起载流子复合和电池性能衰退。但是，这种衰退在退火作用下是可以恢复的
日照下电池性能会持续衰退到3%左右，并且不会出现恢复现象。温度系数除了衰减率之外，温度系数也是影响发电量的因素之一。单晶和多晶不同厂家不用类型的温度系数均不一样，我们简单整理了一下现有组件，得到数据如下

20/□以下。孔间距离也由2mm缩短为250m，大大减少了横向电阻。如此，在0.5cm和2cm的p型硅片上制作的4cm2的PERL电池，效率可达23-24％，比采用同样硅片制作的PERC电池性能有较大
的接触。交叉排布的发射区与基区电极几乎覆盖了背表面的大部分，十分有利于电流的引出。结构见图1。　　图1（a）IBC电池基本结构图　　图1（b）IBC电池基本结构图这种背电极的设计实现了电池正面零遮挡

希望像PERC和PERL这种局部接触电池(locally contacted cell)概念进入市场。这些是现在正面接触电池生产线的合理延伸，有可能使工业生产的电池效率＞20%，硅片厚度降至120m
使用注入最终的电池性能意味着最佳的掺杂剖面尺寸控制。具有极好面积均匀性和批次-批次重复性的离子注入，给高电阻率发射极或用扩散难以达到的掺杂剖面提供了可能的扩散方法。基于P-注入的120/square

因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高
晶硅电池在过去20年里有了很大发展，许多新技术的采用和引入使太阳电池效率有了很大提高。在早期的硅电池研究中，人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅结，绒面，氧化膜钝化，Ti

水，维护甚为简单，故已被广泛采用。（b）强制循环式:热水系统用水使水在收集器与储水箱之间循环。当收集器顶端水温高于储水箱底部水温若干度时，控制装置将启动水使水流动。水入口处设有止回阀以防止夜间水由收集器
，地面太阳电池大约每5.5年全球产量翻番；而空间太阳电池在空间环境下的性能，如抗辐射性能等得到了较大改善。由于80年代太阳电池的理论得到迅速发展，极大地促进了地面和空间太阳电池性能的改善。到了90年代

％的填充因子和20．8％（AM1．5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术
，人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅结，绒面，氧化膜钝化，Ti／Pd金属化电极和减反射膜等。后来的高效电池是在这些早期实验和理论基础上的发展起来的。1．2．1单晶硅高效电池