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为您找到 “<b>N<b>型单晶”相关结果278 个
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综合
用超声喷雾热解淀积系统合成CdTe薄膜及特性分析
来源:索比光伏
发布时间:2012-12-16 23:59:59
、闭空间蒸汽输运、丝网印刷、MOCVD和射频溅射,这种具有
n
型
CdS窗口层的 p-CdTe薄膜已做出转换效率达16%的太阳能电池。薄膜太阳能电池制造中的一个关键步骤是淀积有可控成分和化学配比的CdTe层
。氧化物浓度比CdTe低得多。这表明,用N2作为载运气体形成单相CdTe薄膜。图2(b)是 CdTe薄膜的紫外-可见光谱。用方程(1)得到吸光率()的值。式中,I=波长处的强度。CdTe薄膜的值为
光伏要闻
光伏并网发电普识大汇总
来源:索比光伏
发布时间:2012-12-11 12:17:50
太阳能电池组件,利用半导体材料的电子学特性,当太阳光照射在半导体PN结上,由于P-N结势垒区产生了较强的内建静电场,因而产生在势垒区中的非平衡电子和空穴或产生在势垒区外但扩散进势垒区的非平衡电子和空穴,在内
建静电场的作用下,各自向相反方向运动,离开势垒区,结果使P区电势升高,N区电势降低,从而在外电路中产生电压和电流,将光能转化成电能。太阳能光伏发电系统大体上可以分为两类,一类是并网发电系统,即和公用
光伏要闻
2012中国光伏产业标准发展论坛——(第三单元)
来源:索比光伏
发布时间:2012-11-09 03:08:59
。然后在UV1000小时以后,第三代的衰减会超过第二代和第一代。我们画了一条横线,以20N/cm,我们看到做完1000小时以后,没法满足基本要求。相比而言,我们选择如果是TPT背板的话,跟UV之间的
一般都有很长时间,至少要一年以上。这本标准九提供了一些替代的方法来去做相对应的评估。746A是塑料材料短期性能评估。746B是塑胶材料长期性能评估。746C是塑料材料应用在电气设备中的评估。UL94是
光伏产业
太阳能
新能源产业
前瞻晶体硅太阳能电池未来产业化——高效
N
型
背结前接触和背结背接触晶体硅太阳能电池
来源:索比光伏
发布时间:2012-11-05 17:35:02
,世界上量产转化效率超过20%的电池有两种,均制备在磷(P)掺杂的
N
型
单晶
硅衬底上。2010年,美国SunPower公司的D. D. Smith 等人成功实现了面积为125125 mm 2 的N 型背结
电池
晶体硅
光伏科技
新型银纳米点增强非晶硅光伏薄膜的光吸收
来源:索比光伏
发布时间:2012-09-18 23:59:59
,组成CdS/CIGS异质结太阳能电池。CdTe薄膜太阳能电池CdTe/CdS异质结薄膜太阳能电池简称CdTe薄膜太阳能电池。它是以p型CdTe和
n
型
CdS为异质结。一般标准的CdTe薄膜太阳能电池的结构
光伏要闻
丝网印刷优化的
n
型
太阳能电池效率达到20%
来源:索比光伏
发布时间:2012-09-18 23:59:59
索比光伏网讯:目前,全世界生产的太阳能电池组件85%以上是基于晶硅,其中大多数是基于p型硅片。在p型硅片上加磷扩散发射极和铝背面场得到了常见的多晶或
单晶
太阳能电池,为绝大多数(95%)基于硅片的PV
光伏要闻
光伏产业“联姻”大盘点【图】
来源:索比光伏
发布时间:2012-09-06 00:54:59
电镀金刚石钢丝线切割的工艺)生产的
单晶
硅片,产品包括直拉
N
型
单晶
硅片、直拉区熔
单晶
硅片等。公告显示,备忘录约定拟由SunPower菲律宾提供多晶硅原料,环欧国际进行晶体、晶片制造并销往SunPower菲律宾的
光伏
太阳能
赛维
双反
尚德
光伏企业动态每日速览(第十五期)
来源:索比光伏
发布时间:2012-06-30 00:00:59
了中国英利带来的低成本、高效率熊猫
N
型
硅太阳电池及组件技术发展主题报告。英利集团首席技术官宋登元博士在报告中表示,英利熊猫电池技术是一种高效率低成本的技术路线,具有很强的市场竞争力和发展潜力。熊猫组件
具有几大技术优势:首先是领先的光电转化效率。目前英利生产的熊猫电池的平均效率已达19%,最高效率达到了20%;其次,实验数据表明,与普通P
型
单晶
硅组件2%的初始光衰减相比,熊猫组件的初始光衰减几乎为零
光伏企业
光伏组件
光伏逆变器
用ECR-CVD改善硅基异质结太阳电池的界面钝化的影响
来源:索比光伏
发布时间:2012-06-20 23:59:59
上的进气口引入工作气体(H2),经位于基座上方的喷淋头引入工艺气体SiH4/Ar/B2H6。 用ECR-CVD在n-型直拉 (CZ) c-Si(100)衬底上淀积20nm-60nm厚度的掺B氢化
光伏要闻
光伏系统知识第一章 光伏系统组成
来源:索比光伏
发布时间:2012-06-14 17:02:58
表现出使晶格趋于稳定的态势。这就是P型半导体的特性。再说说
N
型
半导体。与P型半导体相类似,
单晶
硅在高温高压下形成结晶态之前,在纯硅当中掺杂了五价的磷原子,结晶形成后,某一个磷原子占据了硅原子的位置混在
光伏要闻
全球光伏发展简史(独家)
来源:索比光伏
发布时间:2012-06-07 08:59:59
G.L.Pearson获得太阳能转换器件专利权。1958年美国信号部队的T.Mandelkorn制成n/p
型
单晶
硅光伏电池,这种电池抗辐射能力强,这对太空电池很重要;Hoffman电子的
单晶
硅电池效率达到9
太阳能光伏
光伏发展
光伏产业
“第三代”光伏发电技术简介
来源:索比光伏
发布时间:2012-05-30 13:31:30
转化率为22%的
n
型
硅基聚光电池。如前所述,在聚光条件下,聚光电池,会出现对数式非线性增长。4倍聚光导致开环电压增长了10%!这一
n
型
光电池就呈现出24.5%的转化率!d)在所有上述介绍的绿色技术中
光伏要闻
何谓“第三代”光伏发电技术?
来源:索比光伏
发布时间:2012-05-30 10:31:59
为22%的
n
型
硅基聚光电池。如前所述,在聚光条件下,聚光电池,会出现对数式非线性增长。4倍聚光导致开环电压增长了10%!这一
n
型
光电池就呈现出24.5%的转化率!d)在所有上述介绍的绿色技术中,最重
光伏发电
聚光光伏
光伏技术
“第三代”光伏发电技术
来源:索比光伏
发布时间:2012-05-30 08:51:26
%。由砷化镓薄膜制成的光电池,也做到了28.2%。 b)居于第二位是硅基光电池。其
单晶
的转化率由历史上的17%上升到25.0%,其
单晶
+92倍聚光的光电池转化率,已上升到27.6%。但多晶硅
是4倍聚光漏斗和散热片的一组照片: c)高效聚光硅基电池:硅电池的转化率越高,所消耗的多晶硅就越少。目前用的是美国Sun Power公司供应的转化率为22%的
n
型
硅基聚光电池。如前所述
技术
光伏科技
60家光伏逆变器企业一览表
来源:索比光伏
发布时间:2012-05-23 09:47:59
板、5W
单晶
硅太阳能电池板、CM30智能型太阳能充电控制器。安徽科光新能源有限公司是一家研发、制造太阳能和风力发电、太阳能(风力)路灯的高新技术企业。公司自主研发的太阳能(风能)发电的并网、离网逆变电源
逆变器又称电源调整器,根据逆变器在光伏发电系统中的用途可分为独立型电源用和并网用二种。根据波形调制方式又可分为方波逆变器、阶梯波逆变器、正弦波逆变器和组合式三相逆变器。对于用于并网系统的逆变器,根据
光伏企业
光伏逆变器
光伏市场
台湾上阳推出全球革命性太阳能追日系统
来源:索比光伏
发布时间:2012-05-10 23:59:59
能源(TOPPER SUN)智能型太阳能追日系统iPV,主要特点为追日精准、稳定度高、同时价格平易近人。在追日精准度上,运用独特的追踪角感应系统设计与双轴设计,让整个系统能够以精准的脚步同步并行于
,以创新技术开发该系统的电控与机构模块,其中独创的钢索传动方式,在抗风强度及安全性表现上,十分优异。搭配打破市场行情的合理价位,让使用上阳能源(TOPPER SUN) 智能型太阳能追日系统iPV的建构者
光伏要闻
列数各类高效晶硅太阳能电池
来源:索比光伏
发布时间:2012-05-07 10:55:18
的背面。电池正面采用由光刻制成的金字塔(绒面)结构。位于背面的发射区被设计成点状,50m间距,10m扩散区,5m接触孔径,基区也作成同样的形状,这样可减小背面复合。衬底采用
n
型
低阻材料(取其表面及体内
%(Voc=669mV,Isc=40.5mA,FF=0.79)。 (5)我国
单晶
硅高效电池 天津电源研究所在国家科委八五计划支持下开展高效电池研究,其电池结构类似UNSw的V型槽PEsC电池
晶硅电池
高效电池
光伏科技
列数各类高效晶硅太阳能光伏电池
来源:索比光伏
发布时间:2012-05-07 09:06:56
的发射区被设计成点状,50m间距,10m扩散区,5m接触孔径,基区也作成同样的形状,这样可减小背面复合。衬底采用
n
型
低阻材料(取其表面及体内复合均低的优势),衬底减薄到约100m,以进一步减小体内复合
结,绒面,氧化膜钝化,Ti/Pd金属化电极和减反射膜等。后来的高效光伏电池是在这些早期实验和理论基础上的发展起来的。
单晶
硅高效电池
单晶
硅高效光伏电池的典型代表是斯但福大学的背面点接触电池(PCC),新
光伏要闻
太阳能电池的工作原理和电学性能
来源:索比光伏
发布时间:2012-05-04 10:24:34
,
n
型
区带负电;于是,就使得在n区与p区之间的薄层产生了电动势,即光生伏打电动势。接通电路时便有电能输出。这就是p-n结接触
型
单晶
硅太阳能电池发电的基本原理。若把几十个、数百个太阳能电池单体串联、并
光伏要闻
太阳能硅片的化学清洗技术
来源:索比光伏
发布时间:2012-04-19 17:31:58
。晶片表面的自然氧化膜不会再生长。3.Al、Fe、Ni等金属同DHF清洗一样,不会附着在晶片表面。4.对n+、P+型硅表面的腐蚀速度比n、p型硅表面大得多,可导致表面粗糙,因而不适合使用于n+、P+型
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