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所谓的B/P共渗工艺。该工艺与我们卓越的钝化工艺相结合，可促使N型电池的转换效率超过20%。目前，ECN已经获得这两项工艺的专利权。ECN认为这将是非常有效并具有成本效益的工业工艺。替代品亦能展现同等
较高，是颇具潜力的高效商业太阳能电池；其次，N型电池没有光诱导退化（LightInducedDegradation，LID)现象，据观察，P型电池效率退化幅度最高可达1%；再次，由于使用寿命高，N型电池

、剂量以及退火条件正确结合在一起。目前为止，该项目仍处于研发阶段。ECN与Tempress联合开发一项智能简单采用著名工业扩散设备的工艺，即所谓的B/P共渗工艺。该工艺与我们卓越的钝化工艺相结合，可促使
（LightInducedDegradation，LID）现象，据观察，P型电池效率退化幅度最高可达1%；再次，由于使用寿命高，N型电池能够运用IBC电池概念，而IBC概念却无法运用在P型电池上；最后，相比于P型电池，N

，未涉及电池片光致衰减（LID）导致的组件输出功率下降等问题。图2 不同厂家玻璃的透射率曲线（玻璃厚度3.2毫米）图3 不同厂家EVA的透射率曲线（膜厚1.5毫米）图4 常规电池高高方阻电池的
195.08W。从表三的测试结果来看，单线电池封装出的组件的封装损失较混线的要小，且混线电池的组件功率的一致性要差一些。从组件封装功率偏差均值来看，A线要比B线小，A线的封装损失较低，说明不同电池生产线之间

了一些初步的结论，可为组件公司提高产品性能提供参考。另外我们只针对组件封装时的功率损失进行了研究，未涉及电池片光致衰减（LID）导致的组件输出功率下降等问题。　　封装损失的分析常规晶体硅太阳电池组件的
一致性要差一些。从组件封装功率偏差均值来看，A线要比B线小，A线的封装损失较低，说明不同电池生产线之间存在一定的差异，可能与校准和设备的差别

两方面分析和讨论了可能影响封装损失的因素，得到了一些初步的结论，可为组件公司提高产品性能提供参考。另外我们只针对组件封装时的功率损失进行了研究，未涉及电池片光致衰减（LID）导致的组件输出功率下降等问题
%档,组件的理论功率为195.08W。　　从表三的测试结果来看，单线电池封装出的组件的封装损失较混线的要小，且混线电池的组件功率的一致性要差一些。从组件封装功率偏差均值来看，A线要比B线小，A线的封装