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PERC 电池为目前主流电池技术，成本最低，对应组件功率也相对最低，并且存在 LID/PID/LETID 等衰减，后期发电能力弱。目前降本增效的空间不大，有进一步工艺升级的需求
，添加 LPCVD、B 扩以及绕镀清洗等设备即可完成产线升级，升级投资较小。 HJT HJT(Hereto-junction with Intrinsic Thin layer)技术最有可能

方法参照IEC TS 62782标准。 - 增加针对柔性组件的特殊要求，包括在静态机械载荷测试后增加弯折试验。 - 对晶硅组件，在湿热试验后增加B-O LID稳定化试验，以排除晶硅电池组件(尤其是
PERC电池组件)B-O LID衰减对湿热试验衰减判定的干扰。 - 对于旁路二极管热试验，如果二极管数量大于三个，可选其中三个进行测试。 - 对于绝缘耐压试验，测试条件与IEC 61730-2

PERC产品上可能会出现的BO-LID不稳定效应，在Damp Heat测试后将被应用特定BO LID 稳定测试。且此测试不会被强制应用到其他环境箱测试中。 4. 当进行MQT06测试时，需要采用
定义导则 2. 对所有的电器件，定义最小RTI值 3. 增加免测可燃性测试的条件，即符合当地防火等级的法规 4. 对于附件B 2.2.4.2中漏电起痕指数(CTI)的测试进行补充，允许对材料的

m。使用Gemini Sigma 300SEM 场发射扫描电镜观察抛光效果，如图1 所示。从图1 中可以看出，5000 倍放大观察，硅片部分区域存在凹凸;而图1b 是20000 倍观察
进行五主栅太阳电池的制备;制备完成后使用时创Anti-LID 4800 电注入设备进行退火处理，然后测试电池效率达到了20.06%，具体如表1 所示。表1 中的对比组为未经过电注入处理的黑硅多晶

、TOPCon、HJT(异质结)三种电池的成本数据，PERC 电池成本最低，对应组件功率也最低，并且存在 LID/PID/LETID 等衰减，后期发电能力弱;TOPCon 的成本较 PERC 高 1 元/片
PERC 设备基础上增加 LPCVD 设备，B 扩以及绕镀清洗难度较低，投资增加 1 亿/GW 可完成技术升级，运营成本低。目前行业中以捷佳伟创为代表的设备商新型 TOPCon 设备已批量

电池的光衰有效控制。研究人员也发现光致衰减实际上是载流子(Carrier)引起的光衰，LID也就可以称之为CID，高剂量光照或高电流注入均可以加速再生过程，生产出B-O光衰基本被消除的PERC电池
本文参考相关文件，分析认为： 1) P型PERC电池的光衰明显高于常规BSF电池，因此需要进行再生处理; 2)单晶PERC电池的光衰以B-O光衰为主，原理上可通过光注入、电注入及掺Ga来解决

对(B-O)导致的光衰(LID)基本可以忽略，可提升电池片使用寿命和长期发电量。同时，可薄片化意味着同片数的电池对应更少的硅用量，有助于在硅成本方面形成比较优势。多方面优势带动产业化热情：出于
异质结电池基本均为N型硅片衬底，因此也具备N型硅片相对于目前主流P型硅片的固有优势，如无光致衰减(LID)和可薄片化(异质结结构本身亦对可薄片化有所贡献)。N型硅片掺杂物质为磷，硼含量极低，因此由硼氧

中的B-O(硼氧对)对引起的，而厂家通常是通过降低硅片中的氧含量、采用掺镓、掺硼、光照+退火等方法可以有效抑制光衰。与常规的掺硼相比，镓掺杂更视作一种防止光诱导降解(LID)的有效方法
10月10日讯，晶澳宣布，晶澳已经与日本信越化工就后者持有的有关在晶体硅电池应用中掺杂镓的专利达成了协议。据晶澳表示，该协议在东京的签字仪式上敲定。单晶硅的LID衰减主要是由电池片

，安全系数1.5，即产品实际能承受的载荷值不小于1200Pa。此类产品必须在铭牌上清楚标识相关设计载荷值，并声明只能由受认可的专业工程师进行系统设计。此外，新的提案中还增加了湿热测试前的BO-LID稳定测试
均需提供RTI值。而对于绝缘厚度，主要针对一些特殊背板材料，如涂覆型产品，涂层不能计入可靠绝缘厚度(RUI，Relied-Upon Insulation)。另外，测试相关方面，主要变化为将B序列的UV

、金属杂质等因素。其衰减幅度可以超过10%，远高于LID。 2018年11月UNSW在14th CSPV报告了LeTID的最新研究进展，研究表明：1)LeTID衰减主要发生在体区，其次在表面钝化;2
这种高温地区，尤其要重视组件的抗LeTID(光热衰减)性能，而N型双面组件由于：1)采用N型硅，没有P型硅中B-O缺陷复合，具有高少子寿命，受LeTID衰减影响较p型硅小;2)N型双面组件可以让部分近

一个结果。实际温度是超过了80度。所以说无论是掺B和掺Ga的，基本上是控制在2%以内，没有用抗光衰工艺的衰减幅度大，目前鑫单晶PERC是沿用多晶抗光衰工艺，当然多晶抗光衰工艺是否符合这样一个产品特性
，后续我们会做优化。相信多晶优化的结果在鑫单晶上更优化，效果比多晶更好。这是我们在Fraunhofer上的组件，分两步测了LID和LeTID。先把我们的组件做了LID的测试

。 LeTID?没有，我们不存在LID问题，我们一直在稳定产品性能。更加了解情况的人会这样回答，LeTID影响的仅仅是mc-Si PERC，但我们生产的是Cz-Si PERC。这些说法都是错的。即使人们是
需求，也会带来麻烦。表2为典型的PERC设备截面，总结了目前已知的三种最严重的衰减机制。 PERC在LeTID中经历的三种重要衰减机制为1) LID, 2) HID 及3) 背部电介质去钝处理

PERC电池的光衰有效控制。研究人员也发现光致衰减实际上是载流子(Carrier)引起的光衰，LID也就可以称之为CID，高剂量光照或高电流注入均可以加速再生过程，生产出B-O光衰基本被消除的PERC
1.晶硅组件的光衰硼(B)掺杂的P型单晶硅(Cz-直拉法)电池的光衰现象早在1973年已发现，该光衰之后被发现可一定程度恢复的。Jan Schmidt发现了该光衰主要是B-O对引起的并给出

上集成PERC技术存在诸多困难，其中包括光致衰减(LID)以及光致高温致衰减(LeTID)等效应。根据UNSW和一些其他研究机构的报道，多晶硅PERC 目前存在两种衰减模式:1)快速衰减模式，发
LeTID效应让这项技术备受关注。 CSI通过结合硅锭材料控制、电池工艺优化、先进的在线控制技术，实现了LID可控多晶硅PERC电池和组件的大规模生产，到2017年底产能超过了1GW，并将

开发，磁性材料智能化技改，永磁材料生产线自动化智能化网络信息化等。 2017年：无线充电用高磁导率铁氧体磁片项目、单晶PERC电池量产化项目、高容量18650型汽车动力锂电池项目、DMS321-B
项目在光伏玻璃生产方面，公司对光伏玻璃成份、配方、原料分选、镀膜液、玻璃压花、钢化强度等生产工艺选型及工艺参数不断优化调整。向日葵上半年：发大规格高效晶体硅太阳能电池及组件， LID抗衰减