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。通过改变工艺气体的流量，对各项技术指标进行测量分析，结合国内外的一些文献，得出了工艺气体流量对氮化硅膜的直接影响，同时也直接导致了电池转换效率的变化。通过这些研究为制备高性能电池减反射膜提供实验基础，为
我国的太阳能电池转换效率进一步提高提供一条途径。　　关键词：等离子体增强化学气相淀积；PECVD，太阳电池；氮化硅　　0引言　　氮化硅膜作为晶体硅太阳能电池减反射钝化膜是目前太阳能电池制备的主流

工艺技术，主要包括使用加强的减反射膜玻璃，高导电率色带材料以及光伏生产工艺价值链中的钝化和金属化作用，从而使得单晶硅和多晶硅产品线的电池效率分别提高到18.5%和17.5%。同时，公司进一步计划加强
重大成绩。我们完成了2010年的生产发货目标，营业收入目标及净收益目标，”CNPV首席执行官张顺福先生和首席运营官、首席技术官兼董事会成员乔德瑞先生一同表示。“我们的发货量和销售额较去年同期增长超过

表现，我们还是甚感欣慰”，CNPV 董事会成员兼首席技术和运营官乔德睿 (B Veerraju Chaudary) 先生说。“我们品牌的价值和客户对品牌的忠诚度帮助我们超额完成了季度净收入目标，尽管
涉及到的钝化和金属化技术。至年底，公司的单晶和多晶产品线将分别实现高达 17.50% 和 16.50% 的电池效率目标。此外，公司还计划进一步提升其 BIPV 组件产品的开发能力。公司计划开发与工业

作用，减少了表面不饱和的悬挂键，减少了表面能级。　　综合来看，SiNx膜被制备在硅的表面起到两个最用，其一是减少表面对可见光的反射；其二，表面钝化作用。　　二 PECVD技术的分类　　用来制备
特性和减反射特性都要优越得多。几种PECVD技术的薄膜质量的比较列于表4中。表4 各种PECVD技术制备的薄膜质量技术种类表面损伤表面钝化晶界钝化

网管理系统等多项先进的关键技术。同市场上竞争对手的系统相比， MaxEdge大幅提升了硅片产量和荷载能力，并大大降低了每兆瓦产出的设备占地面积和所需操作人员数量。硅片越薄，每一片使用的硅原料就越
，它可以在不降低产量的前提下，提供超薄的硅片。应用材料公司副总裁、精确硅片切割系统事业部总经理Stefan Schneeberger先生表示：“同业界领先的应用材料公司HCT B

技术。设备主要依赖进口。丝网印刷工艺主要分正面和背面金属化工艺。其中正面栅状电极的设计思路主要从有效收集电流、减小遮光面积以及组件焊接方便来考虑；背面金属化的目标是在背面形成一层铝背场钝化层来提高开路
、钝化膜激光开孔、激光刻边技术，甚至用激光技术实现选择性扩散等。干法刻蚀技术应用在多晶硅制绒方面，能有效降低表面反射进而提高电池效率，是很有发展前途的工艺技术之一，已有多家厂商正在开发

：REC。这些公司分布在晶体硅太阳能电池产业链的各个环节，即晶硅制备(单晶硅、多晶硅、非多晶硅薄膜)、硅片生产、电池制造、组件封装四个环节。产业链最上游是太阳能晶硅制备，这个环节技术门槛高
(尤其是多晶硅)，具有一定垄断性，以Hemlock、Tokuyama、REC等公司为代表，它们掌握晶硅制备技术，占据全球太阳能多晶硅总产量的95%以上。第二个环节是硅片(Wafer)生产。这一环节的主要