光伏咨询搜索-索比光伏网

转换效率在经过多年的快速攀升之后，目前已经到达了瓶颈期，提升节奏放缓。在此背景下，保障光伏组件的可靠性成为重中之重。光伏领跑者计划要求多晶硅、单晶硅、薄膜电池组件自投产运行之日起，一年内衰减率分别不高于
2.5%、3%、5%，项目全生命周期内衰减率不高于20%。而南德TUV电站业务部经理吴俊谈到，约3%~5%的组件质量是有缺陷的。杜邦调研全球超过60个光伏项目（装机总量大于200MW，组件

在经过多年的快速攀升之后，目前已经到达了瓶颈期，提升节奏放缓。在此背景下，保障光伏组件的可靠性成为重中之重。光伏领跑者计划要求多晶硅、单晶硅、薄膜电池组件自投产运行之日起，一年内衰减率分别不高于2.5
%、3%、5%，项目全生命周期内衰减率不高于20%。而南德TUV电站业务部经理吴俊谈到，约3%~5%的组件质量是有缺陷的。杜邦调研全球超过60个光伏项目（装机总量大于200MW，组件数量大于150万个

利率(4.9%)上浮15%作为折现率，电价下调折成对初始投资的影响，如下表所示。目前已经5月中旬，2015年底完成备案项目中，一类地区，已开工的项目，投资方会抢在630节点前并网;未开工项目
杠杆、短期套利，给金融机构留下负面印象;其次，严重拖欠占营业收入55%以上补贴的情况下又难以归还贷款;第三，光伏电站由于组件存在衰减，从会计角度考虑就是不断下降的现金流，属于贬值资产;同时，前文提到

%）上浮15%作为折现率，电价下调折成对初始投资的影响，如下表所示。目前已经5月中旬，2015年底完成备案项目中，一类地区，已开工的项目，投资方会抢在630节点前并网；未开工项目，由于限电对未来收益预期
拖欠占营业收入55%以上补贴的情况下又难以归还贷款；第三，光伏电站由于组件存在衰减，从会计角度考虑就是不断下降的现金流，属于贬值资产；同时，前文提到，光伏行业造价的下降速度遵循摩尔定律，现有资产会快速

（4.9%）上浮15%作为折现率，电价下调折成对初始投资的影响，如下表所示。目前已经5月中旬，2015年底完成备案项目中，一类地区，已开工的项目，投资方会抢在630节点前并网；未开工项目，由于限电对未来
，严重拖欠占营业收入55%以上补贴的情况下又难以归还贷款；第三，光伏电站由于组件存在衰减，从会计角度考虑就是不断下降的现金流，属于贬值资产；同时，前文提到，光伏行业造价的下降速度遵循摩尔定律，现有资产

成本降低是光伏行业永恒的主题。n型单晶硅较常规的p型单晶硅具有少子寿命高、光致衰减小等优点，具有更大的效率提升空间，同时，n型单晶组件具有弱光响应好、温度系数低等优点。因此，n型单晶硅组件具有发电量高和
工艺技术路线; n型单晶硅电池正面效率达21%，背面效率达19%; 离子注入工艺在太阳电池量产上的应用。 n型单晶硅双面太阳电池除了具有正面效率高，背面也发电的特点，还具有较低的光致衰减和较好的弱光

优质产品相比，B级、C级降级组件可减少10%-20%的发电量，大幅降低投资者收益。目前，各组件生产商每条生产线A级组件的成品率都无法达到100%，会有0.5%左右的降级组件几率，这些组件一般做降价出售
厂时峰值功率可以保证，但是组件不同负荷下的一致性、衰减的稳定性及对于温度敏感性等得不到保证。光伏电站系统使用降级组件，短期内发电量不受影响，但随着时间的推移，光伏组件的发电量衰减或许会相当可怕，与A级

全球主要光伏市场，如日本补贴持续下调、美国税收抵免政策到期等带来的波动影响，企业扩产仍需理性。 B 发展趋势（二）产业投资持续增强技术水平不断提升技术水平不断提升，生产成本逐步降低
光致衰减技术不断改进，领先企业组件生产成本降至2.8元/瓦，光伏发电系统投资成本降至8元/瓦以下，度电成本降至0.6~0.9元/千瓦时。 2016年，技术进步仍将是产业发展主题。预计产业化生产的多晶硅电池

补贴持续下调、美国税收抵免政策到期等带来的波动影响，企业扩产仍需理性。 B 发展趋势（二）产业投资持续增强技术水平不断提升技术水平不断提升，生产成本逐步降低。2015年，在内外部环境的共同推动下
多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展；光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件

，低效片混入)。 D.热损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。 E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。 F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要
包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗。光学损耗产生的差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的，反射率的差异性比较大;B-O复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺不同，单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶

损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗
。光学损耗产生的差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的，反射率的差异性比较大；B-O复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺不同，单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶原料。本文设计实验主要针对以上两点