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生产线。基于此，全铝沉积物能够被清除。值得指出的是，背面的铝材料被清除后，薄型硅片就可以被采用，生产成本就此得以削减。事实上，传统组件设备也能够运用于N型组件的生产。使用丝网印刷术的优势在于可以降低银
。运用MWT的好处就在于其适用于薄型硅片以及交叉指型背面接触式电池（Interdigitated back contact cell，IBC）这类全背面接触式电池。因此，每一家企业均将IBC纳入发展

面也有利于薄电池集成到组件中）方面具有很多固有的优点。Sunpower公司的结果证明这种方法有高效率的潜力，效率高达24.2%。一旦薄硅片加工成为工业标准，BC电池就可能取代正面电池的市场份额。按
硅片-硅片间重复性是1.4%（1），而硅片内的不均匀性低至0.6%（1）。B注入避免了与B扩散和去除B-氧化物有关的难点。与硬掩膜结合也能使工艺步骤数显著减少，实现PERL和IBC电池概念中的局部掺杂区

通过B2B的形式，应用于国内众多的工厂屋顶，替代工业发电。　　争议薄膜发电尽管看似前景光明，但在整个光伏行业不景气的大背景下，业内不少人士对汉能逆市布局薄膜电池这一举动表示担忧，关注的焦点在其薄膜电池的
。下一页业内人士认为，与风电行业发展路径类似。从事组件生产的光伏制造企业，由于产能过剩、双反等因素，产品利润率越来越薄，未来光伏产业的利润将逐渐向研发和

发展路径类似。从事组件生产的光伏制造企业，由于产能过剩、双反等因素，产品利润率越来越薄，未来光伏产业的利润将逐渐向研发和电站投资转移。华泰联合证券分析师王海生认为，上半年硅片-电池-组件的价格与利润大幅
薄膜电池将主要通过B2B的形式，应用于国内众多的工厂屋顶，替代工业发电。争议薄膜发电尽管看似前景光明，但在整个光伏行业不景气的大背景下，业内不少人士对汉能逆市布局薄膜电池这一举动表示担忧，关注的焦点

。从事组件生产的光伏制造企业，由于产能过剩、双反等因素，产品利润率越来越薄，未来光伏产业的利润将逐渐向研发和电站投资转移。华泰联合证券分析师王海生认为，上半年硅片-电池-组件的价格与利润大幅
等分布式发电领域。国内分布式发电仍处在起步阶段。据李河君介绍，汉能未来的薄膜电池将主要通过B2B的形式，应用于国内众多的工厂屋顶，替代工业发电。争议薄膜发电尽管看似前景光明，但在

，对光照角度也没有晶硅电池要求高，特别适用于屋顶等分布式发电领域。国内分布式发电仍处在起步阶段。据李河君介绍，汉能未来的薄膜电池将主要通过B2B的形式，应用于国内众多的工厂屋顶，替代工业发电
项目实际情况，选择持有部分电站。汉能控股总裁王勇表示。业内人士认为，与风电行业发展路径类似。从事组件生产的光伏制造企业，由于产能过剩、双反等因素，产品利润率越来越薄，未来光伏产业的利润将

。 1 2 8 9 下一页之前我们的合作伙伴比较青睐A+B的合作模式，现在一些企业，尤其是央企也开始采用A+B+C的模式
，今年以来开始爆发。硅片项目2011 年起贡献业绩，也将为公司业绩提供强有力的拉动。 8 9 下一页余下全文我们看好

说事，完全是拿美国双反那时候的资料在说。都什么时候了，还在唱八股？第2条：将要调查的商品是 400微米厚度以下的硅片和电池片。短评：这下国内的切片机厂商该笑了，犯不着切那么薄啊，切厚点，不就多用点硅吗？反正
都没有怎么太在意，提出来，大家讨论一下：标题：通告将要启动对来自中国的晶体硅技术的太阳能组件以及电池片和硅片倾销调查。短评：仅仅只是说价格低而已，只能说是单反。网络上暴多的人把政府补贴也拿出来

年产　　太阳能硅片800MW项目正在建设。　　(2)手机部件及组装业务　　本集团是全球最具竞争能力的手机部件及组装业务的供应商之一，主要客户　　包括诺基亚、苹果、HTC、摩托罗拉、华为
息；　　净资产收益率：分别披露根据中国证监会发布的《公开发行证券公司信息披　　露编报规则第9 号――净资产收益率和每股收益的计算及披露》的规定计算的全　　面摊薄法和加权平均法计算的净资产收益率

,从而使开路电压得以提高。在前表面的钝化层下又进行了浅磷扩散以形成n+前表面场,提高短波响应。背面电极与硅片之间通过SiO2钝化层中的接触孔实现了点接触,减少了金属电极与硅片的接触面积,进一步降低
)。为了进一步降低基极接触区的复合速率,在其他区域保持不变的情况下,用局部硼扩散制作的硼背场(B2BSF)替换LFC制作的铝背场(Al2BSF),提高了短路电流,使效率提升到21.5%。由于背面电极是

硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒金字塔技术
）：PESC电池1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对电池的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集

结果。近年来硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒
电池1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对光伏电池的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集

均维持在0.25%以内。本期受下游组件出货至欧洲、尤其是德国速度加快的带动影响，电池片厂家反映近日要货有所增加，现货消化速度加快，除单晶电池片维护出货之外，多晶电池片出货也有所好转，且近期B级低
市场需求可能出现小回暖。图：光伏产业链现货价格数据来源：PVinsights从目前的原辅料价格和成本看，下降空间已经越来越有限。从各个环节看，硅料0.15美元/瓦、硅片0.15美元/瓦、电池片0.13

要求较高，但其线痕并不是一个大问题，因为相对而育其硅片较厚，切割过后有一抛光研磨过程可以去除线痕；而光伏" title="光伏新闻专题"光伏行业的硅片非常薄，且在整个光伏行业原料紧缺的情况下，更不
索比光伏网讯:硅棒的切割不管是在半导体行业还是太阳能光优行业都是必不可少的一道工序，硅片质量的好坏直接关系到后续工序的制造和加工。线痕是影响硅片表面质量的一个比较重要园索。半导体行业对硅片表面质量

=I2dR；(1)dR=psdy/B；(2)式中ps为薄层电阻率；均匀光照下两条细栅线的正中间电流为零，向两侧线性增加，到达栅线处为最大值，因此：I=Jby，J为电流密度。横向功率损耗：通过减小栅线间距离可以
阻的印刷烧结。三、高方阻实现方法1、低温淀积+高浓度淀积在较低温度下淀积一个低浓度的薄扩散层，接着在较高温度下加大源流量，在短时间内进行高浓度扩散。由于时间很短故只在表面堆积一层高掺杂浓度的磷硅玻璃层

不是硅棒数量越多越牛B。当硅棒数量（包括还原炉尺寸）大到一定程度后，继续增加带来的节能效益变得微乎其微（如下图所示）。（单位还原电耗与硅棒数量、反应压力的关系，来源：GTAT研究报告）由上图可以发现
氢化装置单位建设成本的影响，尽管有点过时（冷氢化工艺现在的优势应该更为明显），但仍具有指导意义。（工艺方案和产能规模对单位建设成本的影响，来源：GTAT研究报告）(2)开工率高的开工率能有效地摊薄单位