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Si材料的本身性质，所以现在量产的MWT和EWT都采用激光技术。不论MWT还是EWT其孔径都在30微米～100微米之间，成熟的激光技术对于孔径和孔壁的均匀性都有比较理想的表现，在MWT电池的晶片上，其
，减小激光打孔对孔壁高温灼烧的影响，为制备电池之后的工艺打下良好的基础。现在MWT和EWT在制绒中采用金字塔、纳米柱、倒金字塔等绒面设计，其中陷光效果最好的是纳米柱结构，它不仅改变了硅的表面形貌，还

光伏组件的成本和提高光伏组件的转换效率两个目标，不断推出光伏新设备和新工艺。这将促进太阳能电池片产品生产商加快技术改造的步伐。今年，制备高转换效率纳米表面结构的黑硅材料使用的等离子体浸没离子注入设备、采用
将原先单纯开发工艺的思路，拓展到在研发过程中就着手开发供应链。因为技术再先进，没有高品质、低成本的设备和材料来完善供应链，也很难实现有竞争力的量产。为此，广大光伏产品制造企业应该从技术研发初期就为后期

普通硅晶圆那样，在利用铸锭切割时留下边角料，因此，在硅原料严重短缺的2005年，因硅使用量可削减到原先的1/5左右而备受关注。不过，之后由于硅材料供应增加，原料短缺问题解决，因而并未实现普及。之后
低照度下也能发电的色素增感型太阳能电池（a）。研究结果证实，与薄膜硅型太阳能电池相比，色素增感型太阳能电池即便遮住部分模块，发电量下降也较少（b）。（图：由本刊根据罗姆的资料制作而成

（NREL）已经确认，采用联合太阳能公司专有的纳米结晶（TM）硅生产的大面积太阳能电池初步转换效率已达12%。迄今为止，这是NREL证实的采用薄膜硅光伏技术最高的大面积电池的效率。联合太阳能公司与
。联合太阳能公司三结合式技术将纳米晶体硅层组合到柔性不锈钢基层上，与该公司现有生产的太阳能电池相比，可使电池效率提高约50%。联合太阳能公司突破性的技术将于2012年投入商业生产。这一技术进步可使设置联合

创办于1996年6月，经过十几年的发展，于2007年8月在深圳证交所A股上市，股票代码：002163，股票简称中航三鑫，是中国航空工业集团公司旗下二十一家上市公司之一，是中航工业集团材料板块的重点
发展企业。中航三鑫的主业为：特玻材料和幕墙工程。特玻材料主要产品有：LOW-E节能玻璃材料、太阳能玻璃材料、电子玻璃［1］基片材料等。特玻制品：电子功能玻璃、太阳能玻璃以及LOW-E、钢化、夹层、中空、防火

成本达到1美元/Wp。从组件制造流程中材料成本的巨大影响看，不断提高电池效率是得到低成本的主要途径。为了进一步降低美元/Wp成本，最终达到0.5美元/Wp的水平，现有的Si基微（纳米）电子方面的知识及
工艺及分析工具箱如何能用来有助于基于晶硅的光伏器件的进一步开发。本文介绍了在IMEC正在跟踪研究的一些方法，把微电子和微系统范围广泛的纳米技术工具箱用于晶硅太阳能电池。公认的晶硅太阳能电池路线图现今的

上使CdTe是薄膜太阳能电池应用的最好材料。根据CdTe的物理、化学、光学及电子学性质，它被认为是优良的光吸收半导体材料。它常常是把硫化镉夹在中间形成太阳能电池的p-n结。即使效率较低（16.5%），但
CdTe薄膜提供了比硅节省成本的太阳能电池设计。CdTe能与水银合金做成多功能红外探测材料（HgCdTe）。与少量锌合金的CdTe 制造性能极佳的固态X-射线和伽马射线探测器（CdZnTe）。用于IR

索比光伏网讯:从太阳能中捕获能量是对环境影响最小，并且能够满足太瓦（Terawatt）级绿色能量需求、缓解能源危机的最直接有效方式。如果能够在半导体材料表面捕集光，在固液界面利用太阳光催化分解水产
生氢气，将光能稳定存储为化学能，将会是一种可行、低成本的途径。石墨相碳氮化合物（简称g-C3N4）是具有类石墨烯结构的二维片层状聚合物半导体材料，物质本身只含有地球上富含的碳和氮两种元素，其独特的半导体

后，专家组认为，该专题已按计划完成各项研发任务，一致同意通过项目验收。本专题针对太阳能级多晶硅材料提纯关键技术研发及检测服务平台的标准化建设，取得了以下主要成果：1、研究发展了纳米除硼技术，突破了冶金
法除硼的动力学极限，结合高真空除磷技术和真空熔炼定向凝固一体化技术，成功开发出一套具有普适性和自主知识产权的完整冶金法提纯多晶硅工艺，实现高纯度(6N)的冶金法太阳能硅材料，将B、P含量为 10

，该专题已按计划完成各项研发任务，一致同意通过项目验收。该专题针对太阳能级多晶硅材料提纯关键技术研发及检测服务平台的标准化建设，取得了以下主要成果： 1、研究发展了纳米除硼
技术，突破了冶金法除硼的动力学极限，结合高真空除磷技术和真空熔炼定向凝固一体化技术，成功开发出一套具有普适性和自主知识产权的完整冶金法提纯多晶硅工艺，实现高纯度（6N）的冶金法太阳能硅材料，将B、P含量

电子的定向填充空穴形成的。那么空穴移动和电子填充空穴又是怎么回事呢?先看看太阳能电池的制做材料单晶硅的内部结构。单晶硅内部的分子结构是四价电子结晶形态。硅原子靠这四价电子相互间形成强劲有力的离子键从而
科学家称为PN结，PN结是一个内建电场，具有单向导电性，即加上正向电场就导通，加上反向电场就截止。PN结是半导体器件技术和电子科学发展的最关键之基础。目前实验室内的PN结可以细微到纳米级。这意味着

的薄膜电池，优点是材料用量少，售价较低，重大缺点是光电转化率只有晶体硅的一半，占地面积也较多。主要品种有：1、非晶、纳米晶、微晶等硅薄膜。2、CIGS即铜铟镓硒组成的薄膜。3、TeCd碲化镉薄膜。1
《强辐射催化法提纯多晶硅》正式发表的论文。为什么第三次光伏技术能大幅度节约多晶硅，而且是绿色技术?原因是：a、跟踪：这将使多晶硅的用量减少30%~40%。b、聚光：4倍聚光，尤其对直射光的聚光，可将硅材料、非硅材料的每度电耗能下降到原有的1/4。

是材料用量少，售价较低，重大缺点是光电转化率只有晶体硅的一半，占地面积也较多。主要品种有：1、非晶、纳米晶、微晶等硅薄膜。2、CIGS即铜铟镓硒组成的薄膜。3、TeCd碲化镉薄膜。　　1、为克服
题为《强辐射催化法提纯多晶硅》正式发表的论文。为什么第三次光伏技术能大幅度节约多晶硅，而且是绿色技术？原因是：a、跟踪：这将使多晶硅的用量减少30%~40%。b、聚光：4倍聚光，尤其对直射光的聚光，可将硅材料、非硅材料的每度电耗能下降到原有的1/4。

。1918年波兰科学家Czochralski发展生长单晶硅的提拉法工艺。1921年德国物理学家爱因斯坦由于1904年提出的解释光电效应的理论获得诺贝尔（Nobel）物理奖。1930年B.Lang研究
材料光电转换效率的第一个理论计算。1954年RCA实验室的P.Rappaport等报道硫化镉的光伏现象，（RCA:RadioCorporationofAmerica，美国无线电公司）。贝尔（Bell