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硅基材料技术并实现产业化，无疑对促进硅基材料制造业的整体发展，掌握核心知识产权，根本改变产业的竞争格局有着积极的意义。　　上海合晶硅材料有限公司高工叶祖超在接受《中国电子报》记者采访时表示，企业要
采用的P型(100)单晶，要解决B-O络合物对电池转换效率衰退的原理，单晶要解决大直径低氧工艺；明确原料中三、五族杂质补偿度对太阳能电池质量的影响定量关系。在LED领域首要解决晶体生长工艺和量产及外延工艺。

%D4%B4" target="_blank"能源。太阳每秒照射到地球上的能量相当于500亿吨煤，比目前全人类的能耗量还大3.5万倍。太阳内部的核聚变可以维持几百亿年，相对于人类的有限生存时间而言
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；　　　　　⑤硅基薄膜太阳电池新进展；　　　　　⑥参观峨嵋半导体材料厂—多晶硅、单晶硅生产线。会议日期：2007年6月13日～6月15日费用：会务费1000元/人，食宿及交通自理会议地点：四川峨眉山市
定量分析讨论题： 1、中国太阳级硅材料能否赶上世界先进水平？2、物理法提纯太阳级硅面临的问题 B 厅光伏电池主持：林安中

％的填充因子和20．8％（AM1．5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术
。多晶硅电池工艺与单晶硅基本相同，但没有绒面技术。商业化多晶硅电池效率在11一14％之间。（2）刻槽埋栅电他：BP公司利用UNsW技术生产的刻槽埋栅电池已经实现商业化，规模为2MW／年，电池效率15