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。双玻组件和普通组件相比较，有以下几个方面的优势： A.全生命周期更高的发电量，高出21%。 B.普通组件质保是25年，双玻组件是30年。 C.传统组件的衰减大约在0.7%左右，双玻组件是0.5
面，到这样的变形情况下面我们去测量它的隐裂。我们发现会有一些隐裂。当你发生15厘米变形的时候，这个变形量是很大的。双玻组件不会，因为它的刚性可能会更好一些，它不会导致隐裂。 J.防火。从这个角度来讲

，判断时无需CAD测量各个坐标点的位置，对组串输出端点的X和Y值分别从大到小排序就可以快速确定，若在维修通道上不适合安装汇流箱，可靠近这个位置的区域进行选择。图3规则方阵的汇流箱选址而
原点建立坐标系，假设该方阵内汇流箱的最优解位置的坐标为（Xn，Yn），在X轴上的垂足为A点，其坐标为（Xn，0），在Y轴上的垂足为B点，坐标为（0，Yn），由于是规则方阵，另外两个点C和D是B和A的

危害警示标识GB/T 1927.1-2003 雷电电磁脉冲防护第一部分通则GB/T 6495.1-1996 光伏器件第 1 部分：光伏电流－电压特性的测量GB/T 6495.2-1996
光伏器件第 2 部分：标准太阳电池的要求GB/T 6495.3-1996 光伏器件第 3 部分：地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐照度数据GB/T 6495.4-1996 晶体硅光伏器件的 I-V

传播。如图所示，在图1（a）的截面模型中，LCO，d1限制了硅和铝的接触面积，电池背面全部覆盖着铝，LCO在结构的背面，而BSF在LCO中形成，这是铝硅的相互扩散。图1（b）的显微镜图片所示的是和图1
由于刻蚀膏的扩散），丝网印刷后多出的20m的铝接触完全覆盖了背钝化和开缝。样品在烧结炉中烧结后会形成合金，3个发射峰值温度是：750℃、850℃和950℃。深灰色可见区域的宽度值可以用光学显微镜测量

第一部分通则 GB/T6495.1-1996 光伏器件第1部分：光伏电流－电压特性的测量 GB/T6495.2-1996 光伏器件第2部分：标准太阳电池的要求 GB
/T6495.3-1996 光伏器件第3部分：地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐照度数据 GB/T6495.4-1996 晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法 GB

了硅和铝的接触面积，电池背面全部覆盖着铝，LCO在结构的背面，而BSF在LCO中形成，这是铝硅的相互扩散。图1（b）的显微镜图片所示的是和图1（a）相同背面结构的太阳能电池背面的一部分，深灰色部分（在
和开缝。样品在烧结炉中烧结后会形成合金，3个发射峰值温度是：750℃、850℃和950℃。深灰色可见区域的宽度值可以用光学显微镜测量。铝层可以用扫面电子显微镜（SEM）和能量色散谱/能量色散x射线来

指标因子就是我们在验证、测量的时候，我能够直接获取数据的那些特性(参数)，我们把它称之为指标因子。条件参数就是比如我去这样一些特性或者参数(运行数据、检测表)我需要在一定的边界条件下去获取它，才能够
PR值来算，这次我们导入一个PCR指标，下面有指标计算的五个因子。比如一个电站性能指数多少适合(80、60、70)，比如说A电站性能指数到80，但是它1瓦的投资是14块钱；B电站性能指数是75，但是1

验证、测量的时候，我能够直接获取数据的那些特性(参数)，我们把它称之为指标因子。条件参数就是比如我去这样一些特性或者参数(运行数据、检测表)我需要在一定的边界条件下去获取它，才能够真实地反映我这个电站
PCR指标，下面有指标计算的五个因子。比如一个电站性能指数多少适合(80、60、70)，比如说A电站性能指数到80，但是它1瓦的投资是14块钱；B电站性能指数是75，但是1瓦的投资是7块钱，如果从投资的

，『新型（有机、聚合物、钙钛矿）太阳能电池准确测量的方法』发表于英国皇家化学会旗下的《Journal of Materials Chemistry C》上，引起国内外同行的广泛兴趣，并入选该期刊最高
研究于不同等级的太阳光模拟器与标准硅电池组合条件下，分别测算了不同带隙(光谱响应)的光谱不合致度因子，并对此提供新型（有机、聚合物、钙钛矿）太阳能电池效率的准确测量方法，可应用于有机小分子、聚合物

建筑物高度等基本信息，相关尺寸可以通过实地测量或参考业主提供的建筑结构图纸和平面图纸，便于在初步设计时用于阴影计算，确定实际可安装面积。对于钢结构彩钢瓦屋顶，一般都有一定的坡度，坡角较小（5
投资收益问题，特挑选以下几个屋顶作为例子进行简单分析和比较，各屋顶对比要点参考表2, 屋顶图片如图6所示。表2 各屋顶对比情况（部分列出来作为参考）（A）某水泥屋顶（B）某水泥

（b）是通过改变阴影透过率的情况下分别计算和实际测量的I-V特性曲线。当组件上的一个电池用不同的透过率（一个组件由36块电池组成）时，短路电流大致变化不大。结果是透过率越低，电流随着电压的升高下降越快
。另一方面，开路电压基本上相同。由图可看出：测量结果与计算的结果相吻合。　　图2以遮挡透过率为变量的I-V特性曲线（遮挡电池数：1）（a）计算结果，（b）测量结果　　图3（a）和（b）是

（a）和（b）是通过改变阴影透过率的情况下分别计算和实际测量的I-V特性曲线。当组件上的一个电池用不同的透过率（一个组件由36块电池组成）时，短路电流大致变化不大。结果是透过率越低，电流随着电压的升高
下降越快。另一方面，开路电压基本上相同。由图可看出：测量结果与计算的结果相吻合。图2以遮挡透过率为变量的I-V特性曲线（遮挡电池数：1）（a）计算结果，（b）测量结果图3（a）和（b）是通过改变遮挡的电池

分别对地放电，并将测量结果记录在《交流电缆绝缘电阻测试记录表》。2）包缠电缆，套电缆终端头套 a.剥去电缆外包绝缘层，将电缆头套下部先套入电缆。 b.根据电缆头的型号尺寸，按照电缆头套长度和内径，用塑料
电阻剥开电缆头包缠电缆、套电缆终端头压电缆芯线接线鼻子与设备器具连接2、主要施工方法及技术措施 1）摇测电缆绝缘 a.选用500V摇表对电缆进行摇测，绝缘电阻应大于0.5M。 b.电缆摇测完毕后，应将芯线

硅片制作的太阳电池有较大幅度的早期光致衰减，会超出客户所能接受的范围。其实直拉单晶工艺是很成熟的，只要我们把好用料质量关，按正规拉棒工艺生产，硅棒的质量是可以得到较好控制的。寰瀀愀最攀戀爀攀愀欀崀B
，完全可以控制在测量误差之内。同时也大幅度地减少了光伏组件出现热斑的几率。5.0小结提高了光伏组件的输出稳定性,为我们的用户带来更多的效益。尽管通过光照预衰减是一种亡羊补牢的方法,但在硅片质量没有

攀戀爀攀愀欀崀B、利用磁控直拉硅单晶工艺（MCZ）改进单晶硅棒产品质量此工艺不仅能控制单晶中的氧浓度，也使硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善这种工艺已在国内部分拉棒公司开始试用。C、利用区熔单晶硅
早期光致衰减就非常小了，完全可以控制在测量误差之内。同时也大幅度地减少了光伏组件出现热斑的几率。5.0小结提高了光伏组件的输出稳定性, 为我们的用户带来更多的效益。尽管通过光照预衰减是一种亡羊补牢的方法

基金的支持。 a）实验装置示意图。通过超声焊接连接 Cu 片与铁磁金属样品。b) 磁性金属与Si各自的横向光伏电压和测量电极间距之间的关系。符号是实验数据，实线是理论计算结果
。激光功率为 30 mW，波长为650 nm。 a) 和 b) 分别在n-Si/Py 和 p-Si/Py 肖脱基结上测得的横向光伏电压随磁场的变化。红色和蓝色分别对应Si和陂莫合金的横向