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专用生产设备，几年后将实现大规模应用。先进的高质量钝化膜将取代当前单一的氮化硅膜。随着选择性发射结工艺的广泛应用，更迫切地需要有先进的钝化膜进一步将上表面的载流子复合速度降低一个
数量级，可能发展为叠层钝化膜，如SiO2-SiNx、a-Si-SiNx等。光衰减效应的研究是维持电池稳定、高效的前提。目前对这方面的研究主要还是基于体材料内部B-O复合体来开展，进一步的

太阳能电池组件内部使用的是高转换率的5’单晶氮化硅电池片。 “获得这一证书是对中国光伏集团晶硅太阳能光伏电池组件设计和生产技术的充分肯定，也反映出了我们在生产标准和流程效率上的不断提高，和对去稳定高效
运营业绩的承诺”，中国光伏集团首席技术和运营官乔德睿(B. Veerraju Chaudary)先生说，“我们期待与TV德国莱茵集团以及其他国际知名的测试机构实现更密切的合作，不断增强我们对现有产品和

％的填充因子和20．8％（AM1．5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术
。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可