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采用最新的4栅线技术，将太阳能电池组件效率提升到新的高度，配合中来自主研发的透明背板技术，并结合地面白色涂料的使用，将组件发电量提升10%以上。 2) 产品特性更高的发电量采用正面效率
、温度和时间等参数对p-n结特性的影响) 离子注入法磷扩散，简化工艺，提升效率前表面采用Al2O3/SiN钝化工艺，减少载流子复合最新一代的二次印刷工艺，提升Voc，Isc和FF B

，大部分地区年日照时间达3100～3400小时。以拉萨地区为例，年太阳辐照剂量达7600MJ/m2，组件正面年紫外辐照剂量超过100kWh/m2。该地区组件的典型外观失效主要表现为封装材料变色、栅线变色、背板黄
℃，年平均湿度超过80%。湿热气候地区具有高温、高湿和强紫外等环境特点，对组件中的电池栅线、焊带、EVA、背板等材料有显著影响，在海南使用的光伏组件普遍存在电池栅线和焊带腐蚀、封装材料变色等问题(如图5)，该

辐照剂量超过100kWh/m2。该地区组件的典型外观失效主要表现为封装材料变色、栅线变色、背板黄变脆化和剥落。图4是在西藏使用9年的组件，该组件使用的背板材料由空气面向内依次为：白色聚酯PET/透明
、亚热带地区：电池焊带被腐蚀海南是我国典型的热带湿热气候地区，年平均气温22~27℃，年平均湿度超过80%。湿热气候地区具有高温、高湿和强紫外等环境特点，对组件中的电池栅线、焊带、EVA、背板等材料有显著影响

1 IBC电池概述及研究进展 IBC（Interdigitated back contact指交叉背接触）电池，是指电池正面无电极，正负两极金属栅线呈指状交叉排列于电池背面。IBC电池最大的特点是
PN结和金属接触都处于电池的背面，正面没有金属电极遮挡的影响因此具有更高的短路电流Jsc，同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻Rs从而提高填充因子FF；加上电池前表面场（Front

行业一般对于A、B级(也有C级等其它更低等级)组件的划分不是依据组件的电性参数而是根据电池片的外观以及组件整个的封装外观来区别的。Ⅰ、电池片外观不良：色斑、色差、铝刺、鼓包、断栅、结点、图形偏移、缺角
、不平坦的山地电站、滩涂电站、有阴影遮挡的电站、组件阵列朝向不同的电站、农业大棚电站分布式系统图1、集中式逆变器优势：更少的线损、更低的安装成本、更少的运维巡检；集中式逆变器劣势：发电量会稍微低于

行业一般对于A、B级(也有C级等其它更低等级)组件的划分不是依据组件的电性参数而是根据电池片的外观以及组件整个的封装外观来区别的。Ⅰ、电池片外观不良：色斑、色差、铝刺、鼓包、断栅、结点、图形偏移、缺角
、不平坦的山地电站、滩涂电站、有阴影遮挡的电站、组件阵列朝向不同的电站、农业大棚电站分布式系统图1、集中式逆变器优势：更少的线损、更低的安装成本、更少的运维巡检；集中式逆变器劣势：发电量会稍微低于组串式发电

内含专属于杜邦的碲科技(telluriumtechnology)，该产品结合优异的接触性能、细线印刷能力可实现更好的高宽比及更平顺的副栅线。此外，杜邦Solamet PV19B更具备良好的透墨性
新一代先进材料及与客户的重要合作，以协助改善光伏系统的电力输出、可靠性与投资回报率。杜邦光伏解决方案事业部全球总裁徐成增表示：我们很高兴能向市场介绍杜邦 Solamet PV19B最新

跨国公司建立了长期紧密的科研合作关系，共同开展了500多项合作研究，创造了一批国际领先的研究成果。截止2015年底,英利申请PCT国际专利13项，中国专利2006项，《一种太阳能电池栅线电极及太阳能电池
日前，英利绿色能源宣布与杜邦光伏解决方案达成新合作协议，新型高效单晶组件采用杜邦新一代正面导电银浆SolametPV19B，可提升电池转换效率达19.8%，60片电池的常规组件输出功率可达275瓦

层和减反膜，正反面电极使用常规丝网印刷工艺完成。PANDA电池双面发电的设计，能够同时接受从正面和背面进入电池的光线从而实现双面发电的功能；正面采用细密栅线的设计，减少了遮光面积，提高了电池的短路电流
由Schwartz和Lammertz在1975年提出来的，它将pn结、基底与发射区的接触电极以叉指形状全部做在电池背面，完全消除了前表面栅线的遮光，同时无须考虑前表面减反射结构对电极接触的影响，为前

科研合作关系，共同开展了500多项合作研究，创造了一批国际领先的研究成果。截止2015年底,英利申请PCT国际专利13项，中国专利2006项，《一种太阳能电池栅线电极及太阳能电池片》等1512项专利获
索比光伏网讯:日前，英利绿色能源宣布与杜邦光伏解决方案达成新合作协议，新型高效单晶组件采用杜邦新一代正面导电银浆Solamet PV19B，可提升电池转换效率达19.8%，60片电池的常规组件

太阳能电池...1、硅太阳能电池能量损失机理目前研究成果表面，影响晶体硅太阳能电池转换效率的原因主要来自两个方面：①光学损失.包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失，其中反射
和阴影损失是可以通过技术措施减小的，而长波非吸收损失与半导体性质有关；②电学损失.它包括半导体表面及体内的光生载流子复合、半导体和金属栅线的体电阻以及金属-半导体接触（欧姆接触）电阻损失