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近日,上海微系统所微系统技术重点实验室新能源技术中心刘正新团队在非晶硅/晶体硅异质结(SHJ)太阳电池的掺杂非晶硅(a-Si:H)薄膜中发现到反常Staebler-Wronski效应,并证明该反常 师、名誉教授克里斯托弗R朗斯基(Christopher R. Wronski)在实验室首次发现光照会降低a-Si:H薄膜的暗电导率,这种现象后来被命名为Staebler-Wronski效应,该现象对非晶硅光电