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后无需进行Gate2的判断，因此之前进行初始稳定并不合理，建议可以将B序列的热斑和户外暴晒分为两个序列。IEC 61215-2：4.9.5.2中应该补充应避免任何杂散光从边缘照射到遮挡的电池片，否则
反馈，给出了不同意以及部分同意的理由。其中CA指出该标准要求的模拟器不均匀度等级至少为B，而60904-1中表示模拟器的等级根据IEC 60904-9至少为CCC级，实际的等级要求取决于最终用途

研发，立 8-12 英寸集成电路级抛光片，8 英寸半导体抛光片，钻石线切割超薄硅片项目，整体太阳能级单晶硅材料。 2017项目：布局高效 PERC 电池片项目、高效叠瓦组件项目、高效光伏
20家主流光伏企业研发方向及投入详情：隆基在单晶生长、金刚线切割及单晶材料薄片化技术等方面形成了较强的技术积累和项目储备，成本处于行业领先水平;在单晶电池、组件环节，公司单晶PERC电池

，光伏技术出现新的整合趋势，产业链上中下游的研发路线都在调整。可增效降本的双玻、双面、半片、MBB、多主栅和叠瓦等趋势更为凸显，代表未来趋势的PERC技术、金刚线切割、高效 HJT 异质结电池等高
?国际能源网/光伏头条在文中进行梳理剖析，供诸君参考交流。 20家主流光伏企业研发方向及投入以下为各企业研发详情：隆基在单晶生长、金刚线切割及单晶材料薄片化技术等方面形成

时，金字塔尺寸由1 m 增大到2 m 以上，1250 s 后金字塔尺寸达到平衡。不同添加剂配方可影响单晶硅表面的金字塔尺寸和均匀性，但对表面反射率影响不大。 0 引言晶面为(100
)单晶硅片采用碱溶液可在表面腐蚀出金字塔结构，金字塔的倾斜面为(111)晶面，该过程被称为制绒。金字塔绒面的形成不仅会使硅片表面的反射率减小，还可在电池内部形成光陷阱，增加强入射光吸收效果，增大单晶硅太阳电池

在保证生产工艺和设备正常运行的前提下大幅降低水资源单耗是一个亟待解决的问题。目前，行业中单多晶硅块及硅片的生产环节基本都是利用多线切割方式实现的，即高速运行的钢线携带含有 SiC 颗粒的砂浆把
减小这两个环节的自来水使用量。在实际的单多晶硅片制造过程中，对切割硅块得到的单多晶硅片进行预冲洗的环节主要是对沾满砂浆的硅片进行预冲洗，此时的用水允许含有少量微小颗粒物，所以该环节可以认为是低等

。以金刚线切割的多晶硅片为基础，正面是低反射率的亚微米级绒面，结合SiOx/SiNx薄膜保证正面的钝化效果。背面采用AlOx/SiNx叠层钝化，形成PERC电池结构，大大改善背表面的钝化效果。低反射率的
金刚线切割的多晶硅片硅材料损失较少，单位时间内的切片数增加，在成本上比常规砂浆线切割的多晶硅片有优势。而且其机械损伤较少，相应的缺陷密度较小。但是用常规的酸制绒手段不能实现有效的绒面制备。金刚线切割的

载流子复合几个方面着手。 (1)减小入射光反射率：又可分成表面绒面织构化和减反射膜两个方面。表面绒面织构化最典型的应用就是碱制绒制备单晶硅电池的金字塔绒面结构。采用选择性腐蚀NaOH溶液，利用腐蚀液
如图7所示。以金刚线切割的多晶硅片为基础，正面是低反射率的亚微米级绒面，结合SiOx/SiNx薄膜保证正面的钝化效果。背面采用AlOx/SiNx叠层钝化，形成PERC电池结构，大大改善背表面的钝化效果

方面着手。（1）减小入射光反射率：又可分成表面绒面织构化和减反射膜两个方面。表面绒面织构化最典型的应用就是碱制绒制备单晶硅电池的金字塔绒面结构。采用选择性腐蚀NaOH溶液，利用腐蚀液对各个晶面腐蚀速率
%以上的高效多晶电池的批量生产，有望在年内实现20.5%以上量产效率。其高效多晶硅电池结构如图7所示。以金刚线切割的多晶硅片为基础，正面是低反射率的亚微米级绒面，结合SiOx/SiNx薄膜保证正面的钝化

的硅片原始厚度为180~190m，硅料消耗成本大幅降低，极大地促进了光伏产业的迅速发展。采用金刚线切割技术可以切割出厚度为100m的硅片，将超薄电池的工艺技术又推进了一步。Jan Hendrik
处于很低水平时，电池的效率才会超过21%。当电池的厚度超过110m时，效率的提升幅度明显降低。2.实验　　2.1、PERC电池的制备工艺流程实验采用标准156mm156mmP型单晶硅片，扩散后方阻均为

课题。在目前的制造工艺中，单晶或准单晶硅片的通用制绒工艺采用碱液金字塔刻蚀法，硅表面形成随机金字塔结构，可对太阳光进行两次反射，一般反射率在10%左右。而具有倒金字塔形状的凹坑结构是更为理想的绒面
156 mm2工业用单晶硅倒金字塔制绒片具有大面积均匀、倒金字塔尺寸可调等特点，其反射率为5%左右，其优越的陷光性能得到了验证（图2）。该新工艺采用廉价的铜化合物和酸溶液作为铜催化剂和刻蚀液的原料，同时

片钢线砂浆 1 引言切片工序是制备太阳能硅片的一道重要工序，太阳能硅片的切割原理是转动的钢线上携带着大量碳化硅颗粒，同时工作台位置缓慢下降，由于碳化硅的硬度大于多晶硅（晶体硅的莫氏硬度
由于悬浮液的悬浮作用裹覆在钢线上，对硅块进行切割。但是随着切割的进行，钢线和碳化硅都会出现不同程度地磨损，钢线的椭圆度增大，携砂能力下降，同时碳化硅的圆度变大，平均粒径减小，切割能力也有所降低，因此

工序是制备太阳能硅片的一道重要工序，太阳能硅片的切割原理是转动的钢线上携带着大量碳化硅颗粒，同时工作台位置缓慢下降，由于碳化硅的硬度大于多晶硅（晶体硅的莫氏硬度为6.5，碳化硅的莫氏硬度为9.5），依靠
硅片的切割过程是在导轮上完成的，钢线在导轮上缠绕形成相互平行的均匀线网，并以10-15m/s的速度运动，砂浆经浆料嘴均匀地流到线网，砂浆中的碳化硅由于悬浮液的悬浮作用裹覆在钢线上，对硅块进行切割。但是