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就越多，相应的少子寿命就越短。值得一提的是，相同的基体掺杂浓度，并不意味着有唯一的少子寿命，硅基体的少子寿命还和晶体的生长方式、退火时间和温度、晶体的冷却速度有关。电池性能每组实验电池均为400
片，测试每片电池的电性能，并计算各项参数的平均值。图2a 为不同电阻率的掺镓硅片制成常规铝背场电池的电性能数据，图2b 为不同电阻率的掺镓硅片制成PERC 电池的电性能数据

包括：电池片晶体类型、环境温湿度、焊接机固定台温度、洁净度、敷设手法等，全方位进行关注并采取相应措施，是降低电池片隐裂的有效途径。光伏组件生产过程中，会因为成品组件(或半成品组件)存在某种异常或缺
序;多晶电池片中，硅原子排列仅短程有序，存在晶界(如图2所示)。由于多晶体晶界之间存在一定的作用力，当受到外力时，在晶界之间的相互作用力下，多晶电池片一定程度上不会破碎。相比之下，单晶电池片会比

图1 为采用LCL 型滤波器的三相光伏并网发电系统的拓扑结构。三相并网逆变器主电路包括输入直流母线滤波电容C、6 个绝缘槽双极型大功率晶体管(IGBT)开关管组成的三相全桥电路，以及由滤波电感L1
;下标a、b、c 分别对应逆变器的A、B、C 三相。在三相电网电压平衡的条件下，逆变器三相状态方程为：式中，下标m=、 ;下标k=a，b，c; udc为光伏并网逆变器直流母线

太阳能电池。据官网显示，创益太阳能(TronySolar)是一家主要生产非晶硅太阳能电池、晶体硅太阳能电池、组件、光伏发电系统及应用产品的薄膜光伏制造商。因财务纪录不一致，于2012年6月21日起开
限于(a)始终遵守上市规则项下的持续责任，并定期公佈财务业绩及报告;(b)公布根据证券及期货条例(香港法例第571章)(第XIVA部所要求披露的内幕消息;(c)根据上市规则第13.24条按季度公布该公司的

。 2. 测试接线盒样品的选择为了尽量消除接线盒中其他因素对测量结果的干扰，我们统一选体积相似的接线盒，130mil芯片二极管，同一封装厂制造的二极管，做成5个灌胶接线盒(A/B/C/D/E)对比样品
。为了观察轴向二极管和平面二极管的散热情况，我们选择了2款轴向二极管的接线盒(A/B)，2款贴片二极管的接线盒(C/D)。 4款接线盒(样品A/B/C/D/)的散热方式均是二极管产生的热量先

1、PERC电池技术的转化效率光电转换效率是晶体硅太阳电池最重要的参数。 2017年，我国产业化生产的常规多晶硅电池转换效率达到18.8%，单晶硅电池转换效率达到20.2%。与常规电池
接触区域的复合，如采用局部B掺杂; (5)采用高质量硅片，如提高硅片的少子寿命; (6)双面PERC电池。来源：B Min, M Mller , H Wagner, ARoadmap

来源：摩尔光伏摘要：优化设计太阳电池的电极图形可以获得高的光电转换效率。文中以实例介绍了晶体硅太阳电池上丝网印刷电极的优化设计，讨论了电池的功率损耗与扩散薄层电阻及细栅线宽度的关系，在原始设计的
设计方案。电池可分为4个单电池，每个单元长A=123mm，B=30.75mm。由式(9)计算出每个单电池等宽度主栅线(m=3)的最佳宽度为因为实际主栅线是2个单元电池公用，所以主栅

晶体硅太阳能电池制造工艺中，使用成本昂贵的蒸镀工艺制作电极，如采用Ti/Pa/Ag结构来降低接触电阻，增加与硅底的附着力。而在实际工业生产中，为降低生产成本，常采用导电性能优越的银浆料，用丝网印刷的
%~35%)，形状一般是球形或片状晶体，0.1~5.0m粒径，有研究称纳米级银粉与微米级银粉混合使用可降低烧结温度提高附着力。少量无机添加剂玻璃粉用于烧结过程中烧穿氮化硅减反膜，烧结后在银和硅之间形成

表面反应物的方式，将沉积过程控制在原子水平。以前驱体三甲基铝和水为反应物，经过一系列反应构成了一次ALD循环，在n型晶体硅表面沉积形成Al2O3薄膜，通过控制循环次数即可得到所需的薄膜厚度。原子层沉积的最大
内吸收较为充分，因此为了更好地降低电池表面的复合速率，提高电池的短波响应，同时结合热生长SiO2的表面钝化特性、等离子体增强化学气相沉积法沉积SiNx有良好的减反射以及体钝化特点，研究人员对晶体

具备下列设计或施工其中一项有效资质。允许投标人在国家法律、法规允许的范围内进行分包。如果分包，在投标文件中必须提供与分包商签订的书面分包协议原件。 a)电力行业工程设计新能源发电专业乙级或以上， b
的方式完成从太阳能光伏电站太阳能电池至并网点的全部工程设计、设备材料采购供应(不包括晶体硅太阳能光伏组件、高压接入系统的高压开关柜、计量柜、直流屏、PT柜、10kV升压变压器)、建筑安装

恢复。经过几年的联合研究，通过大量的实验清楚的认识了Cz-Si光衰减的缺陷，证实了引起Cz-Si光衰减缺陷的主要成分是硼和氧。研究指出在晶体硅中硅的原子半径要比B的原子半径大25%，故后者更易于吸引硅
衰减的主要因素，并对如何减小或避免光衰减的改善措施进行了分析。晶体硅太阳电池是最重要的光伏器件，近年来一直是硅材料研究界和光伏产业界的重点关注领域。众所周知，常规的晶体硅太阳电池都是基于P型掺硼硅

6.1 高效晶体硅太阳电池片具体要求及技术指标：无螺钉内置角键连接，紧固密封，抗机械强度高，高透光率钢化玻璃封装，采用密封防水多功能接线盒，确保组件使用安全。表面覆盖深蓝色碳化硅碱反射膜，颜色均匀
，外观精美。产能：100mw 规格：125125mm 156156mm 6.2 单晶体全玻电池组件技术指标要求：功率：165wp 尺寸：18001500mm 重量：84kg

等于第三项的值，在现代天体物理、晶体结构、电子学等应用领域，斐波那契数列都有直接的应用。 3.2.3 短路电流脉冲法短路电路脉冲法的基本原理是在光伏阵列输出最大功率时，其输出电流和短路电流的
电路开关管导通(a)、关断(b)时等效原理图从上图可以看出，在开关管导通时，电源给储能电感充电，上电流逐渐增大，当开关管截止时电感放电，上电流逐渐减小。电容起滤波作用，使负载上的电压波纹减小。下图

隆基股份已经在全厂范围内应用金刚线切片技术。下图为金刚线用于单晶硅切片。 ④多晶硅切片市场，金刚线切割技术目前只有小规模使用。多晶硅切割使用金刚线主要有两个技术问题，一是铸锭晶体的异质节点会导致断线的
29.90%。我国已发展成为全球第一大光伏产品生产国及第一大光伏市场。 B、光伏行业用金刚线市场概况第一，光伏行业的增长状况直接影响金刚线的市场规模。据行业经验估计，每片硅片(约4W)需耗用

高效的新型晶体硅太阳电池。其主要优势有：1) 采用低温技术，整个烧结工艺可在200 ℃左右完成，减少能耗，降低成本;2) 光电转换效率高;3) 稳定性好，没有形成B-O复合体而导致的光衰效应
浆料发展的方向，为未来光伏技术的发展及正银浆料国产化提供了一定的思路 01不同硅基太阳电池技术晶体硅太阳电池主要由经过不同工艺处理的硅基片、正面电极、铝背场及背面电极等组成。图1～图5 分别为不同

实现，都使用区别于常规晶体硅电池制造技术的技术，总结下来，提高晶体硅太阳能电池转换效率主要有以下三个方向： (1)提高光学利用率优化电池片表面陷光结构以及减反射膜，减少正面金属遮挡，甚至转移
1. 晶体硅太阳电池的钝化技术(图片来源Taiyang News 2017) (3)提高内建电场强度通过匹配不同禁带宽度的材料，制造异质结电池，提高内建电场强度，提升开路电压、拓展光谱响应范围

投资回报周期。高品质逆变器内部核心元器件全部采用国际一流品牌;其中开关管元器件，在工艺上采用古瑞瓦特自主创新的晶体管压接技术专利，保证了晶体管的压接牢靠和高效散热，从而保证了产品的高品质和高
可靠，如下对比图所示：古瑞瓦特自主专利的晶体压接方式VS常规对比高性价比古瑞瓦特安装量超15万套的MTL-S系列经典技术平台上升级，最高效率达98.4%，高效发电的同时，也具备了先天

表内发出蜂鸣声以表示线路或器件处于导通状态。进行晶体管测量时，旋动量程选择开关至hFE位置(或NPN或PNP)，将被测三极管依NPN型或PNP型将B、C、E极插入相应的插孔中，显示屏所显示的数值
对象的屏蔽环(如电缆壳芯之间的绝缘层上)或不需测量的部分。兆欧表的常见接线方法如图所示。 (a) (b) (c) 兆欧表的使用： (1)测量前，要先切断被测设备或线路的电源，并将

。其中，a)指的是发电容量为1MW的一所电厂，b)指的是发电容量为10MW的一所电厂，c)指的是采用240W组件的发电容量为50MW的一所电厂)。表3：关于UL为满足质量和耐用性要求而提供的测试
，PV组件在测量之前必须先稳定下来，并且应对比测量值与铭牌上的额定值。图2：电性能测试验证示例。 a)预处理后的组件功率损耗。 b)功率偏差与铭牌上的额定功率。图2b中显示了铭牌额定值的

防雷器耐压值由原来的交流300V上升为直流侧系统电压(500V-1000V左右)需要更换交流侧防雷。对于SPD原来正极接地,正极对地防雷由A和C串联组成，负极对地防雷由B和C串联组成，正极对负极的防雷由
A和B串联组成。将负极接地后(图1-9所示)正极对地防雷由A和B//C串联组成，防雷结构发生了变化,直流侧SPD也需进行合适的选型。 1.3.2 组串式逆变器并联后负极接地在分布式系统中