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索比光伏网讯:第一代光伏发电技术=晶体硅光伏发电，有单晶硅和多晶硅的差别。优点是光电转化率较高，缺点是售价较贵，生产多晶硅耗能较多，也容易污染环境。第二代光伏发电技术=花式品种繁多的薄膜电池，优点是
材料用量少，售价较低，重大缺点是光电转化率只有晶体硅的一半，占地面积也较多。主要品种有：1、非晶、纳米晶、微晶等硅薄膜。2、CIGS即铜铟镓硒组成的薄膜。3、TeCd碲化镉薄膜。(1)为克服第一代

第一代光伏发电技术=晶体硅光伏发电，有单晶硅和多晶硅的差别。优点是光电转化率较高，缺点是售价较贵，生产多晶硅耗能较多，也容易污染环境。第二代光伏发电技术=花式品种繁多的薄膜电池，优点是材料用量少
，售价较低，重大缺点是光电转化率只有晶体硅的一半，占地面积也较多。主要品种有：1、非晶、纳米晶、微晶等硅薄膜。2、CIGS即铜铟镓硒组成的薄膜。3、TeCd碲化镉薄膜。（1）为克服第一代，第二代光伏发电

第一代光伏发电技术=晶体硅光伏发电，有单晶硅和多晶硅的差别。优点是光电转化率较高，缺点是售价较贵，生产多晶硅耗能较多，也容易污染环境。第二代光伏发电技术=花式品种繁多的薄膜电池，优点是材料
用量少，售价较低，重大缺点是光电转化率只有晶体硅的一半，占地面积也较多。主要品种有：1、非晶、纳米晶、微晶等硅薄膜。2、CIGS即铜铟镓硒组成的薄膜。3、TeCd碲化镉薄膜。为克服第一代

2012年2月3日，美国对华晶体硅光伏电池作出反补贴紧急情况初裁：无锡尚德太阳能电力有限公司、常州天合光能有限公司以及所有其他中国出口商或生产商都存在紧急情况。根据该裁决，临时反倾销措施追溯至肯定性
税法》第733（e）（1）（A）条和第733（e）（1）（B）条为美国调查机关判断紧急情况提供法律依据。其中，第733（e）（1）（A）条规定，（i）被调查产品在美国或其他国家有倾销的历史，或（ii）进口商

内量子效率曲线图5 白色TPT的反射率曲线封装损失的分析常规晶体硅太阳电池组件的封装结构如图1所示，自上而下的顺序分别是钢化玻璃-密封胶-晶体硅太阳电池-密封胶-背板；封装之前的单焊、串焊工艺将电池片通过涂锡
195.08W。从表三的测试结果来看，单线电池封装出的组件的封装损失较混线的要小，且混线电池的组件功率的一致性要差一些。从组件封装功率偏差均值来看，A线要比B线小，A线的封装损失较低，说明不同电池生产线之间

作者：王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华，中电电气南京光伏有限公司研发中心摘要晶体硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，称之为功率损失或封装损失（powerloss）。本文对
了一些初步的结论，可为组件公司提高产品性能提供参考。另外我们只针对组件封装时的功率损失进行了研究，未涉及电池片光致衰减（LID）导致的组件输出功率下降等问题。　　封装损失的分析常规晶体硅太阳电池组件的

索比光伏网讯:作者：王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华，中电电气南京光伏有限公司研发中心　　摘要:　　晶体硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，称之为功率损失或封装损失
。　　封装损失的分析　　常规晶体硅太阳电池组件的封装结构如图一所示，自上而下的顺序分别是钢化玻璃-密封胶-晶体硅太阳电池-密封胶-背板；封装之前的单焊、串焊工艺将电池片通过涂锡焊带连接；组件层压封装

电池之间建立串联连接结构非晶硅薄膜太阳能电池简目前可生产的太阳能电池主要有多晶硅太阳能电池、单晶硅太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池。多晶硅太阳能电池和单晶硅太阳能电池受上游晶体硅材料供应的短缺，导致
越来越多的晶硅太阳能电池生产设备产量不足，不断上涨的晶硅价格也限制了晶硅太阳能电池的发展。仅以硅原材料的消耗计算，生产1兆瓦晶体硅太阳电池，需要10～12吨高纯硅，但是如果消耗同样的硅材料用以生产

索比光伏网讯:本文主要了解，晶体硅光伏组件的电位诱发衰减(PID)之实验室对晶体硅光伏组件的PID测试和评估目前在国际电工委员会(IEC)层面上，还没有出台有关实验室进行PID测试和评估的正式标准
要求，从相同生产批次中抽取。2.合格判定在电压耐久结束后，按下列要求进行合格判定：A）STC最大功率，与初始值想不，衰减不超过5%；B）没有目测不合格现象（按IEC61215章节7；和

因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高
太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可产生氢钝化的效果。　　在高效太阳电池上常采用表面氧钝化的技术来提高太阳电池的效率，近年来在光伏级的晶体硅

％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高的主要因素。PERC和PERL
氧钝化的技术来提高太阳电池的效率，近年来在光伏级的晶体硅材料上使用也有明显的效果，尤其采用热氧化法效果更明显。使用PECVD法在更低的温度下进行表面氧化，近年来也被使用，具有一定的效果。多晶硅太阳电池

，空穴就表现为带正电。电子和空穴就是单晶硅中可以运动的电荷。在纯净的硅晶体中，自由电子和空穴的数目是相等的。如果在晶体硅中搂入能够俘获电子的棚、铝、嫁或锢等杂质元素，那么它就成为空穴型半导体，简称p型
。太阳能电池在无光照射时的饱和电流;q一一电子电荷;K/B--理尔兹曼常数:A一一常数因子(正偏压大时A=1，正偏压小时A=2)。当IL=0时，电压U即为Uco可用下式表示:根据以上两式作图""就可

索比光伏网讯:晶体硅电池是光电转化的核心器件，但是由于单片电池片的电压、电流、功率有限，所以要将电池片并联起来，使它具有满足用电设备和工业化用电要求的电压、电流、功率。但是，由于晶体硅电池物理脆性
不同的情况下，比较大组件和小组件之间的性价比（透光率/成本（元/W））的变化趋势。其中，a随着组件的功率增大，而减小。B基本不变。所以，在电池片功率型号一定，透光率一定，电池片数量不同的情况下，大组件

发布《太阳能发电科技发展十二五专项规划》，在太阳能发电规划中，我国将把实现太阳能大规模利用、使其发电成本可以与常规能源竞争作为十二五规划的总体目标。《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大
，公用电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备

索比光伏网讯:单晶硅由于其本身内部完整的晶体结构，其光伏电池效率明显高于多晶硅电池。然而，单晶硅内部杂质和晶体缺陷的存在会严重影响太阳能光伏电池的效率，比如：(a)光照条件下B-O复合体的产生会导致
单晶电池的早期光致衰减；(b)内部金属杂质和晶体缺陷（位错等）的存在会成为少数载流子的复合中心，影响其少子寿命，导致电池性能的下降。一、少子寿命对光伏电池性能的影响少子寿命是指半导体材料在外界注入（光

研发中心最新进展、充分发挥B5线锯系统的技术优势，在产业低谷期降低运营成本、离子注入技术在制造高效电池中的效益以及先进的钝化技术及其整合等。所有来宾还一起参观和体验了应用材料公司西安太阳能技术
研发中心。该中心是全球最大的私营太阳能研发机构，实验室和办公区域面积超过40,000平方米，包含了一套完整的晶体硅太阳能电池工艺实验生产线，可以完全模拟光伏电池制造工厂的实际生产环境，包括市场领先的

索比光伏网讯:氮化硅膜作为晶体硅太阳能电池减反射钝化膜是目前太阳能电池制备的主流，然而由于用PECVD来制备的氮化硅膜，是以SixNyHz方式来表达的，其中的x,y,z的数值直接影响了膜的光学性能和
对晶体硅太阳电池表面和体内的钝化作用，因为其数值对于膜的折射率、消光系数、致密性都有直接的影响，本文的目的就是研究工艺气体流量对膜性能的影响。一、机理分析1.1气体的输运在CVD系统中，气体的流动处于

短期订单，有月和季的短期订单，算是业界首创的经营模式。河北晶龙集团晶龙集团始建于1996年，主要生产太阳能光伏系列产品。是中国企业500强、世界最大的晶体硅生产基地、世界最大的单晶硅太阳能电池
年由特变电工联合清华大学、中国节能投资公司，共同出资成立，是我国最早从事清洁能源太阳能产业开发的高新技术企业之一。南玻集团南玻集团成立于一九八四年，为中外合资企业。一九九二年二月，公司A、B股同时在

最大太阳能电池封装生产商。公司也提供自己生产的多晶硅锭封装成电池。赛维主要客户有CSI、中轻太阳能、林洋新能源、升阳科、Solland Solar Energy B.V.和无锡尚德。赛维和中轻太阳能
之间也接短期订单，有月和季的短期订单，算是业界首创的经营模式。河北晶龙集团晶龙集团始建于1996年，主要生产太阳能光伏系列产品。是中国企业500强、世界最大的晶体硅生产基地、世界最大的单晶硅太阳能电池

气体纯度是6N，因此必须经过精馏提纯气体方可使用。精馏提纯工艺中，使用的精馏塔一般有两种，一种是筛板式，一种是填料式。选用精馏塔的原则，在下认为应该遵循质量和效率两方面。关于B杂质，一般认为，光纤用
四氯化硅对B杂质无多高要求，而做锌还原法则不同，对B有严格要求。关于B杂质的去除，在西门子法的精馏工艺当中，也并非易事。如国内新光，从俄罗斯引进了湿氮除B的工艺，但实验结果并不理想。B杂质在三氯氢硅与