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而限制了使用范围。B)光伏并网发电系统，当用电负荷较大时，太阳能电力不足就向市电购电。而负荷较小时，或用不完电力时，就可将多余的电力卖给市电。在背靠电网的前提下，该系统省掉了蓄电池，从而扩张了使用的
范围和灵活性，并降低了造价。C)A,B两者混合系统，这是介于上述两个方之间的系统。该方案有较强的适应性，例如可以根据电网的峰谷电价来调整自身的发电策略。但是其造价和运行成本较上述两种方案高。我国光伏

光伏产业发展至今时今日的辉煌，多晶硅在产业链中发挥着中流砥柱般的作用。现在光伏行业低迷，众所周知的其中一个原因就是多晶硅产能过剩。每个人都知道产能过剩，可是究竟光伏巨头的产能有多少呢？在这里
OFweek太阳能光伏网为大家盘点一下2012年度国内上市的多晶硅企业产能排名。（排名按权益产能来计算）　　TOP 1：保利协鑫　　旗下多晶硅子公司：江苏中能　　股权比例：100%　　市值（亿人民币）：176

1级标准(复合达到A级标准)，产品主要性能指标为国内外企业同类产品先进水平。昨日晚间，海润光伏发布公告称，公司非公开发行股票方案已经董事会和股东大会审议通过。但由于证券市场发行变化，为了保证本次非公
持有的"上海超日(九江)太阳能有限公司8MW光伏发电示范项目"的建设和运营。在同日公布的另外一则公告中，公司计划与合作方合作在巴西设立S4 CHAORI CLEAN ENERGY PROJETOS E

给出了建议。 1 N 型背结背接触晶体硅电池高转化效率机理首先，与掺硼(B)的P型晶体硅材料相比，掺磷(P)的N型晶体硅材料具有如下优势：（1）N型材料中的杂质（如一些常见的金属离子）对
少子空穴的表面复合速率低于P型材料中电子的表面复合速率。因此，采用N型晶体硅材料少子空穴的复合将远低于P型材料中的少子电子的复合。上述三大优势是 N 型晶体硅电池获得高转化效率的前提。其次，背结

索比光伏网讯: 　　一、多晶硅光伏组件衰减现象的分类　　近年来，在新能源理念的大力倡导下，太阳能发电装置逐渐在全世界范围得到推广。多晶硅太阳能组件由于其价格合理、性能良好而在市场上占有一定的份额
。但是与单晶光伏组件、薄膜光伏组传类织，多晶硅组件在使用过程中同样会产生或多或少的功率衰减现象。影响多晶硅组件功率衰减的主要因素是什么？又该如何降低这些影响因素呢？　　多晶硅光伏组件（如图一所示)是由玻璃

索比光伏网讯:目前，全世界生产的太阳能电池组件85%以上是基于晶硅，其中大多数是基于p型硅片。在p型硅片上加磷扩散发射极和铝背面场得到了常见的多晶或单晶太阳能电池，为绝大多数（95%）基于硅片的PV
忽略不计。在p-Cz材料中由于光照会形成B-O络合物，这在氧中是相当富集的，使材料的体载流子寿命降低。这将严重限制用这些硅片能得到的高效率。第二，发现n型材料对过渡金属杂质（例如Fe）灵敏度低得多。这使n

索比光伏网讯:从太阳能中捕获能量是对环境影响最小，并且能够满足太瓦（Terawatt）级绿色能量需求、缓解能源危机的最直接有效方式。如果能够在半导体材料表面捕集光，在固液界面利用太阳光催化分解水产
积是其它材料制备的g-C3N4的6倍左右，孔体积达到4倍，表面光照激发后载流子的复合率也更低。其主要原因在于，尿素在热解的过程中生成大量氨气，气体的存在有利于多孔结构的形成。此外，由于尿素中含有氧原子

%。　　本集团亦积极研发铁电池和太阳能电池产品，并致力于该等产品在新能源汽　　车、储能电站及光伏发电站等领域的应用。本集团于2008年10月30日和陕西省商　　洛市人民政府签订《太阳能电池等
年 9 月上市以来，以高性价比的竞争优势在 2008 年至 2010 年　　实现了 36.41%的复合销量增长，并在 2009 年及 2010 年连续两年位居中国汽车　　工业协会公布的国内轿车

结构和电学的不均匀性，相当容易产生分流途径。空间电荷区内的复合中心密度因建立不完善的CdS/CdTe和从背接触来的Cu扩散而增加。本研究用实验证明，当前采用厚度6-8m的吸收层CdTe可以减少到～1m，仍能达到比较好的效率。这使CdTe太阳能电池无论是制造成本还是环境保护上均在光伏应用中更具竞争力。

索比光伏网讯:作者：C. C. Lee、Y. H. Chu、H. Z. Wang、J.Y. Chang、Tomi Li、I-Chen Chen，National Central University
相淀积（PECVD）进行的，由于离子轰击可能引起更多的表面缺陷。因此，结界面处较高的载流子复合几率会使短路电流密度(JSC)减少。为了避免这一点，在本研究工作中，采用了电子回旋共振化学汽相淀积

)。为了进一步降低基极接触区的复合速率,在其他区域保持不变的情况下,用局部硼扩散制作的硼背场(B2BSF)替换LFC制作的铝背场(Al2BSF),提高了短路电流,使效率提升到21.5%。由于背面电极是
索比光伏网讯:摘要高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向。背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注。概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其

索比光伏网讯:在前一章中我们较为详尽地介绍了太阳能电池制造过程中的一个重要工序P-N结的制作，即常说的扩散过程，并对制作P-N结的扩散炉进行了简单介绍。而在制造太阳能电池的工艺流程中，通常都在扩散
，以至成为废品。本章首先对光伏" title="光伏新闻专题"光伏刻蚀技术进行了简单的介绍，并在此基础上介绍了几类典型的刻蚀清洗设备的使用和维护。5.1刻蚀技术简介5.1.1刻蚀的原理在刻蚀工艺的前一步

因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高
热生长10nm表面钝化氧化层，并使背面Al和硅形成合金，正面氧化层可大大降低表面复合速度，背面Al合金可吸除体内杂质和缺陷，因此开路电压得到提高。早期PESC电池采用浅结，然而后来的研究证明，浅结只是

％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高的主要因素。PERC和PERL
。由于背面硼扩散一般造成高表面复合，局部铝扩散被用来制作光伏电池的表面接触，2cm*2cm电池效率达到23.3％（Voc=700mV，Isc－～41.3mA，FF一0.806）。（4）日本sHARP的C一

不同，可以得到不同的透光率，所以透明组件广泛的应用于屋顶及光伏建筑一体化(BIPV)等。2、实验设计（1）设计前言首先透明组件的原材料必须符合材料组件工厂材料导入的标准，材料测试复合性能质量要求，参考
索比光伏网讯:晶体硅电池是光电转化的核心器件，但是由于单片电池片的电压、电流、功率有限，所以要将电池片并联起来，使它具有满足用电设备和工业化用电要求的电压、电流、功率。但是，由于晶体硅电池物理脆性

索比光伏网讯:太阳能电池片的浅结构是实现高效太阳能电池的有效途径之一，通常所说的浅结是指太阳能电池PN结结深小于0.3um，利用浅结可以显著的降低太阳能电池片表面的少数载流子复合速度，提高短波段的
=I2dR；(1)dR=psdy/B；(2)式中ps为薄层电阻率；均匀光照下两条细栅线的正中间电流为零，向两侧线性增加，到达栅线处为最大值，因此：I=Jby，J为电流密度。横向功率损耗：通过减小栅线间距离可以