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索比光伏网讯: 世纪新能源网专访无锡帝科电子材料有限公司董事长史卫利博士中国是世界太阳能电池最主要生产国家，但在太阳能电池正面导电银浆行业，由于其极高的技术壁垒，一直被杜邦、贺利氏、三星、硕禾等进口
骨子里不安分的他看到了回国创业的良机。作为硅太阳能电池的最重要原材料之一，正银浆料由于技术门槛高、稳定性要求高，一直被国外巨头垄断。创业之初选择了这个行业，主要是心中憋着一股劲，想凭借自己的技术积累和

转化效率。SOL9641B系列助力PERC电池效率迈上全新的台阶。贺利氏全新的SOL9641B系列可适用于ULDE和PERC单晶硅和多晶硅电池，该系列采用改良的副栅线设计，可显著提升电池效率（最多可提升0.2
。两次印刷正银浆料组合9642A/9642B兼顾上一代产品的所有优势。升级版两次印刷的SOL9642A和SOL9642B正银浆料组合，兼顾了SOL9641A和9641B系列的所有优势。经改良的超细线

来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的“B-O对”导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，“B-O对”与
世界记录。HIT太阳电池组件HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂

Staebler-Wronski效应，转换效率无因光照而衰退的现象，也不存在B-O对导致的光之衰减现象;6、双面发电，HIT电池的对称结构，使得正反面受光照后都能发电，其组件年平均发电量比单面电池组件高出
一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷会产生更明显

发现Staebler-Wronski效应，转换效率无因光照而衰退的现象，也不存在B-O对导致的光之衰减现象；6、双面发电，HIT电池的对称结构，使得正反面受光照后都能发电，其组件年平均发电量比单面
，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷

。太阳能电池，是基于光生伏特效应开发出来的一种光电转换器件，日前国际光伏市场上的太阳能电池主要有晶体硅（包括单晶硅、多晶硅）、非晶／单晶异质结（HIT）、非晶硅薄膜、碲化镉（CdTe）薄膜及铜铟硒（CIS
）薄膜太阳电池等。其中商品化的晶体硅太阳能电池仍占主流，其光电转化效率已达25％，其计算的转换效率的极限值为31%，但受到材料纯度和制备工艺限制，很难再提高其转化效率或降低成本；而非晶硅太阳能电池虽然能

证券市值（以下简称MVPHS）未能达到1500万美元最低市值的要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）条之规定，因而收到了纳斯达克的退市警告。彼时，如若未来6个月内中电光伏不能重新
，中电光伏收到纳斯达克股票市场上市资格部的通知函，告知公司的MVPHS未能达到1500万美元的最低要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）中MVPHS不得低于1500万美元的规定

了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）条之规定，因而收到了纳斯达克的退市警告。彼时，如若未来6个月内中电光伏不能重新达到最低要求，有可能将被取消纳斯达克的上市资格。记者获悉，自2007年5
1500万美元的最低要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）中MVPHS不得低于1500万美元的规定。通知函指出，中电光伏必须在未来180天内重新达到MVPHS的最低要求，在此期间

上市规定》第5450（B）（3）（C）条之规定，因而收到了纳斯达克的退市警告。彼时，如若未来6个月内中电光伏不能重新达到最低要求，有可能将被取消纳斯达克的上市资格。记者获悉，自2007年5月18日成功
的最低要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）中MVPHS不得低于1500万美元的规定。通知函指出，中电光伏必须在未来180天内重新达到MVPHS的最低要求，在此期间中电光伏的证券

发现采用基于双面Tedlar PVF 薄膜的TPT背板，用20、30年前的工艺做的光伏组件仍然非常坚挺，还在正常发电，这都得益于高可靠的材料保障了组件的长期可靠性。其中有一块组件，接线盒外壳
都已经烧化，但经过重新接线后，仍然正常工作。再如云南林场一批老组件，经过现场户外功率测试仪分析，已经运行 20年的老组件功率衰减共计约14.5%，年均功率衰减约为0.7%。同时，经检测，黄度b*值变化

双面高效电池量产的企业很少。在过去三年，中来为这个项目进行了深入的技术研究和储备，做出的技术突破主要表现在以下方面：对n型单晶硅双面太阳能电池技术及工艺进行优化，开发了高效、低成本、可量产
. 产品特点电池正面平均效率21.0%，最高效率可达21.15%; n型单晶硅双面太阳能电池背面颜色均一，背面效率亦有19%; 无光致衰减，长期发电量高，使用寿命长; 单晶硅双面太阳能电池的背面

1、晶体硅电池效率损失机制 太阳能电池转换效率受到光吸收利用、载流子输运、载流子收集的限制。对于晶体硅电池而言，其转换效率的理论最高值是28%。影响晶体硅电池转换效率的原因主要来自两个方面，如图1
，以及金属和硅片的接触电阻等的损失。这其中最关键的是降低光生载流子的复合，它直接影响太阳能电池的开路电压。当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速度对太阳能电池特性的

1.晶体硅电池效率损失机制 太阳能电池转换效率受到光吸收利用、载流子输运、载流子收集的限制。对于晶体硅电池而言，其转换效率的理论最高值是28%。影响晶体硅电池转换效率的原因主要来自两个方面，如图1
金属和硅片的接触电阻等的损失。这其中最关键的是降低光生载流子的复合，它直接影响太阳能电池的开路电压。当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速度对太阳能电池特性的影响将比

索比光伏网讯:1.晶体硅电池效率损失机制太阳能电池转换效率受到光吸收利用、载流子输运、载流子收集的限制。对于晶体硅电池而言，其转换效率的理论最高值是28%。影响晶体硅电池转换效率的原因主要
金属和硅片的接触电阻等的损失。这其中最关键的是降低光生载流子的复合，它直接影响太阳能电池的开路电压。当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速度对太阳能电池特性的影响将比

PERL电池结构示意图　　图7 PassDop激光掺杂示意图（a）基体硅背面（b）沉积磷掺杂的a-SiCx钝化层（c）激光开槽形成局部重掺（d）沉积Al背电极日本三菱电机的n-PERL电池则采用双面受光
由于晶硅太阳电池成熟的工艺和技术、高的电池转换效率及高达25年以上的使用寿命，使其占据全球光伏市场约90%份额。理论上讲，不管是掺硼的P型硅片还是掺磷的N型硅片都可以用来制备太阳能电池。但由于太阳能电池

双面BACKOECO电池在OECO电池的基础上，德国ISFH研究所又开发出了BACKOECO电池，即将所有的电极设计在电池的背光面上，如图7（b）所示。　　图7（b）BACKOECO电池结构与标准
虽然晶硅光伏已经占据了光伏市场的绝大部分份额，但其即使研发并没有停滞下来。作为研发最新方向的高效晶体硅太阳能电池技术，目前基本已经有商业化的产品问世。下面我们就来盘点一下这几款已经商业化的高效晶体硅