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索比光伏网讯:硅片切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分。该工艺用于处理单晶硅或者多晶硅的固体硅锭。线锯首先把硅锭切成方块，然后切成很薄的硅片。(图1)这些硅片就是制造光伏电池的基板。图 1.
，最低可达到80m。相对于业界领先的应用材料公司HCT B5线锯系统，这些改进减少了硅料损失使产量提高多达50%。更高生产力的线锯系统在同样的硅片产量下可以减少机台数量。因此，制造商可以大幅降低设备

控股有限公司盛装出席2012Asiasolar亚洲太阳能光伏工业展会。保利协鑫展位号：1B02展会现场保利协鑫展出高效多晶硅片鑫多晶。据保利协鑫销售人员向世纪新能源网介绍鑫多晶硅片效率达到17.6
产成本远低于直拉单晶硅，而与定向凝固多晶硅锭生产成本相近。高质量，低成本，采用鑫单晶的高功率电池和组件，可以降低太阳能发电成本10%以上，大大地提高了后续组件产品的竞争力。保利协鑫工作人员向客户介绍产品世纪新能源网 www.ne21.com (记者孙文艳、张松)现场报道

将为大家介绍太阳能发电原理、太阳能电池、太阳能电池组件、光伏控制器、光伏逆变器等内容。太阳能光伏发电原理太阳能电池是一对光有回应并能将光能转换成电力的器件。能产生光伏效应的材料有许多种，如：单晶硅
太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。生产过程大致可分为五个步骤：a、提纯过程b、拉棒过程c、切片过程d、制电池过程e、封装过程。太阳能电池的应用上世纪60年代，科学家们就已经将太阳电池应用于空间技术

晶粒(50mm)面积大于50%，单晶籽晶小方锭制备获得的准单晶硅片的形貌图如附图4a、4b所示。对比三种籽晶块对应的长晶效果：单晶籽晶处延续单晶生长，至10cm以上出现少量分裂晶粒，大晶粒延续至硅锭
200m20和180m20两种，6)TTV30m,7)弯曲度15m，8)大晶粒晶向1005o质量好的单位准单晶硅锭按照切片后同一晶向晶粒所占硅片面积的比例大小可分为A、B、C三个质量等级区域：A区：占硅锭比例为

。目前已有产业化的晶体硅(单晶硅、多晶硅)太阳能电池，部分投产的薄膜电池(非晶/微晶硅硅基薄膜、碲化镉和铜铟镓硒)，以及主要处于研究中的染料敏化电池、有机薄膜电池等。一种叶绿素太阳能电池，因为尽可能模仿了
利用变得普遍。1950年代，太阳能利用领域取得两项重大技术突破：一是1954年美国贝尔实验室研制出6%的实用型单晶硅电池，二是1955年以色列Tabor提出选择性吸收表面概念和理论并研制成功选择性太阳

单晶硅光伏组件15598块及240W多晶硅光伏板组件130块。另外，锦州阳光500kW屋顶光伏发电项目位于锦州市滨海新区阳光花苑小区的各个建筑屋顶上，包括A区别墅区、B区经济适用房、C区高层商品房、D
地面两种应用形式，分布在锦懋屋顶（B区）、光伏走廊（K区）和4块地面闲置土地上（A.C.D.L区），采用固定式和跟踪式两种安装方式，其中D区装有平单轴、双轴、斜单轴共150KW，整个项目共计安装190W

索比光伏网讯:近日，江西旭阳雷迪高科技股份有限公司(以下简称旭阳雷迪)与无锡开日能源科技股份有限公司(以下简称开日能源)签署了多晶硅铸锭炉采购合同，将采用开日能源在今年8月新推出的KR-800B型
多晶硅铸锭炉。据了解，对于KR-800型多晶硅铸锭炉的开发项目早在今年年初启动，并相继于6月和8月推出KR-800A型和KR-800B型多晶硅铸锭炉。其中，KR-800B型是在原有KR-800A型多晶硅

LG电子发布了组合异质结构造和背接触构造的单元研究成果（a）。阿特斯在金属贯穿式背电极构造的单晶硅单元上实现了19.5％的转换效率（b）。三洋电机领先一步
索比光伏网讯: 提高单晶硅型太阳能电池的效率有几种方法。制造在实用中转换效率最高的单晶硅型太阳能电池单元的美国SunPower公司采用背接触构造。光的入射面不有采用任何布线，消除了布线阴影

电源系统，控制器和逆变器为控制保护系统，用户负载为系统终端。从上世纪70年代中期开始地面用太阳电池商品化以来，晶体硅就作为基本的电池材料占据着统治地位。以晶体硅材料制备的太阳能电池主要包括：单晶硅太阳电池
、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池和薄膜晶体硅电池。单晶硅电池具有电池转换效率高，稳定性好，但是成本较高；非晶硅太阳电池具有生产效率高，成本低廉，但是转换效率较低，而且效率衰减得比较快；多晶硅

光伏产业园总规划面积6600亩，其中，A区占地600亩，以尚德厂区为核心进行续建、扩建；B区占地6000亩，园完区全是在一张白纸上全新规划，园区于2009年11月奠基。无锡新区管委会主动借助了市场的力量，将
、组件制造企业，同时，园区又顺势地向产业链上下游拓展，吸引韩国WONIK产业集团的光伏设备、西安隆基股份的单晶硅片、芬兰奥林集团的新型燃烧器、尊太逆变器、富智切割器等项目，产业集聚效应迅速突显

光伏产业园调研时，明确指出要把光伏产业园建成新区第一个以产业链为特色的专业园区，成为打造中的东方硅谷的重要组成部分。经过不到2年的开发和招商引资，目前，无锡光伏产业园已成功引进了德鑫电池片、隆基单晶硅
标准厂房3万多平方米。现在，无锡光伏产业园A区已基本建成，B区也初显雏形。【宏图展望】无锡光伏产业发展十年经过了三步大跨越，已奠定了全球光伏新能源产业最大生产基地的地位。按照规划，到2015年，无锡

时，明确指出要把光伏产业园建成新区第一个以产业链为特色的专业园区，成为打造中的东方硅谷的重要组成部分。经过不到2年的开发和招商引资，目前，无锡光伏产业园已成功引进了德鑫电池片、隆基单晶硅片、昌盛光伏
万多平方米。现在，无锡光伏产业园A区已基本建成，B区也初显雏形。　　【宏图展望】无锡光伏产业发展十年经过了三步大跨越，已奠定了全球光伏新能源产业最大生产基地的地位。按照规划，到2015年，无锡

。半年后，昱辉阳光通过增发再次融资1.85亿美元。原本名不见经传的李仙寿，被评为风云浙商。通过几次融资，昱辉阳光不断扩张，在四川眉山、江苏无锡等地，都兴建了生产基地。目前，昱辉阳光单晶硅产能排名
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索比光伏网讯:项目需求描述：　　1. 现场已有市电油机双路ATS输入配电柜设备。　　2. 需要UPS保护的重要负载：　　a) 日本单晶硅线切割机2台，功耗30KW/台;马达性负载，工作电压三相
200V/115V(设备内部已标配380V/220V200V/115V变压器)，可以不同时启动，但需要同时工作。　　b) 曝光机2台;功耗10KVA/台，即8KW/台;工作电压三相200V/115V

连接可能性。第一种情况，输入和输出连接正确，无需保护。第二种情况，输入电压反向连接。如果在这种情况下允许电流流过，那么所有输出二极管都可能损坏。不过，在图5所示B或C的输入端串联一个二极管就可以保护所有
能量。图5B显示了防止反向输出电压的方法之一。最后一种情况是输入和输出的连接都不正确。在这种情况下，如果设计人员实施了第二和第三种保护，输入和输出都将受到保护。设计人员不应忽略电压抑制器，它安装在瞬态

，在图5所示B或C的输入端串联一个二极管就可以保护所有器件。串联二极管的一个缺点是，它会连续耗散系统功率。如果反向极性保护二极管放在高电流系统中，损耗可能会很大。实施反极性保护的另一种方法是放置一个
假定为铅酸电池，保护至关重要，因为损坏的元件可能消耗大量的能量。图5 B显示了防止反向输出电压的方法之一。最后一种情况是输入和输出的连接都不正确。在这种情况下，如果设计人员实施了第二和第三种保护，输入

！以前废料获取也相对容易，现在恐怕算上运输成本和风险成本，和价格已经逐步下行的多晶硅已经相差无几，最关键的是没有能力管控品质，如果说单晶硅片，那问题出现的几率多得多，如果放在多晶片上，那点废料和国产多晶
，别先学那些没用的，先搞个一招半式必杀，笔者保证你发现比啥都管用，哪些做B级片的，个个活的好好的，即便利润低，生意少点，还是比很多人赚钱，B片是什么玩意？入流么？笔者认为绝对不入流，但绝对必杀！其他

索比光伏网讯:博世太阳能公司（BoschSolarEnergyAG）在今年的欧巡展(EUPVSEC)上首次推出了全新产品--由60片高性能单晶硅电池片构成的晶体硅组件。这款组件产品的输出功率为260
"的运用以及元件的进一步优化，光子及电子的损耗也得以减少。这款高性能组件有望于今年第四季度上市销售。博世太阳能的展位为B6-C32。

索比光伏网讯:2011年9月5日，天合光能宣布，公司将在于9月5日至8日在德国汉堡举行的欧洲光伏展上推出新一代多晶硅组件TSM-PC/PA05A。新组件将在天合光能展位(B6/B24)上登台亮相
多晶硅的价格提供单晶硅的效率。保证功率正公差、新推质保该组件与所有普通安装结构兼容，而特殊之处在于其机械强度以及抗风抗压能力，能抗2400帕的风压或承受5400帕的雪压。天合光能同时为组件提供25年的

的欧洲光伏展上推出新一代多晶硅组件TSM-PC/PA05A。新组件将在天合光能展位(B6/B24)上登台亮相。秉承天合光能“更多电力，更少空间”的理念，新的60片电池TSM-PC
以及镀膜玻璃，令组件的电力输出达到245W至260W，而组件转换效能达到15.9%。2012年，计划“蜂蜜”平台的能效得到进一步提升。天合光能的目标朴素无华，既，用多晶硅的价格提供单晶硅的效率