世界记录。HIT太阳电池组件HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)硅太阳能电池,是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂 种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后,改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%,开路电压达到729mV,并且全部工艺可以在200℃以下实现。与常规晶体硅太阳电池组件相比,HIT太阳电池组件
5月创造的22.94%的同项世界纪录,也是天合光能光伏科学与技术国家重点实验室第13次打破世界记录。HIT太阳电池组件HIT(Heterojunction with intrinsic 729mV,并且全部工艺可以在200℃以下实现。与常规晶体硅太阳电池组件相比,HIT太阳电池组件的单位面积发电量更高、高温时能发更多的电、制成双面组件能够利用反射光,发电量进一步提升。HIT电池特点有:1
在2014年5月创造的22.94%的同项世界纪录,也是天合光能光伏科学与技术国家重点实验室第13次打破世界记录。HIT太阳电池组件HIT(Heterojunction with intrinsic 达到729mV,并且全部工艺可以在200℃以下实现。与常规晶体硅太阳电池组件相比,HIT太阳电池组件的单位面积发电量更高、高温时能发更多的电、制成双面组件能够利用反射光,发电量进一步提升。HIT电池特点