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工艺及分析工具箱如何能用来有助于基于晶硅的光伏器件的进一步开发。本文介绍了在IMEC正在跟踪研究的一些方法，把微电子和微系统范围广泛的纳米技术工具箱用于晶硅太阳能电池。公认的晶硅太阳能电池路线图现今的
。这样的薄电池只能通过在i-module概念中提出的组件级加工进行处理，其中，电池与组件的加工最终将融合起来。图2是IMEC的高水平晶硅太阳能电池路线图。为了应对这些挑战，现在可看到微电子半导体加工

University, India 碲化镉（CdTe）是具有闪锌矿（立方）晶体结构的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物。以体结晶形式时，它是具有直接带隙=1.45eV的理想半导体，对太阳能的转换非常有用。这在原理
上使CdTe是薄膜太阳能电池应用的最好材料。根据CdTe的物理、化学、光学及电子学性质，它被认为是优良的光吸收半导体材料。它常常是把硫化镉夹在中间形成太阳能电池的p-n结。即使效率较低（16.5%），但

对分散电源进行调度将成为一个值得关注的问题。近年来，光伏系统引起了一些专家和媒体的争议，认为半导体的生产能耗太高。吴斌说，光伏技术越来越成熟，每生产1瓦元器件，耗电约3度，但它25年间可发电25度
90多万度。太阳能是怎样用来发电的?半导体材料具有独特的电子学特性，当太阳光照射在半导体上时，其两个区域的电势会分别升高和降低，从而在外电路中产生电压和电流，将光能转化成电能。并网发电系统可将光伏板上接

），主要产品及业务涵盖制冷智能自控元器件、环境优化与系统集成（含商用、特种、医用空调系统及智能控制与系统集成）、可再生能源利用（污水、工业余热等）、新能源（光伏）、热工（热交换器、压力容器、风机）等
产能：2819　　2012年底产能市值比（吨/亿元）：16企业简介：南玻集团成立于1984年，为中外合资企业。1992年2月，公司A、B股同时在深交所上市，南玻A代码为（SZ.000012），南玻B

太阳能电池是可将光能直接转变成电能的半导体器件，是在玻璃基片上制作形成透明电极、三层 PIN 非晶硅层及背电极层制得。　　25.深圳市拓日新能源科技股份有限公司拓日新能作为一个全方位垂直整合的太阳能产品
从事太阳能光伏电池产品的研发、生产、销售和售后服务。公司目前主要产品为CIS（铜铟硒化合物）薄膜太阳能电池组件，CIS薄膜是由铜、铟、硒等元素组成的直接带隙化合物半导体材料。CIS薄膜电池是第二代光伏技术中

(a)。从图1(b)可以证实，在AAO膜底部的氧化铝阻挡层已彻底除去，这使膜能用作真空蒸发时的遮蔽掩膜。AAO的孔径及厚度可以分别用调节孔加宽处理和第二次阳极氧化的加工时间控制。本研究中用的AAO膜的
成功地用基于AAO模板淀积在玻璃衬底上制作了Ag纳米点阵列。玻璃上Ag纳米点阵列的存在提高了a-Si:H光活性层在长波长区的光吸收。薄膜太阳能电池研究的现状及前景综述目前，人们根据所选用的半导体

析测试平台和半导体光伏材料和器件的物理机制研究平台为依托，建成了太阳能级多晶硅材料综合测试实验室，并通过CMA计量认证。培养了一支专业的检测服务人才队伍，形成了标准的服务、管理制度;3、与福建亿田硅业
法除硼的动力学极限，结合高真空除磷技术和真空熔炼定向凝固一体化技术，成功开发出一套具有普适性和自主知识产权的完整冶金法提纯多晶硅工艺，实现高纯度(6N)的冶金法太阳能硅材料，将B、P含量为 10

、以太阳能级硅材料标准分析测试平台和半导体光伏材料和器件的物理机制研究平台为依托，建成了太阳能级多晶硅材料综合测试实验室，并通过CMA计量认证。培养了一支专业的检测服务人才队伍，形成了标准的服务
技术，突破了冶金法除硼的动力学极限，结合高真空除磷技术和真空熔炼定向凝固一体化技术，成功开发出一套具有普适性和自主知识产权的完整冶金法提纯多晶硅工艺，实现高纯度（6N）的冶金法太阳能硅材料，将B、P含量

达到更高电压，如上图。一旦A/B/C任一片电池片被遮住，该电池片就不再作为电源，而是变成负载消耗其他正常电池片产生的电能。而此时，由于该组的电池片出现反偏，则二极管导通，电流将沿二极管继续形成回路
!据相关资料报道，以上状况在大功率光伏发电应用系统中，时有发生，直接损失逾亿美元。美国国家半导体公司实验并给出数据，表明有10%的阴影将导致整个系统损失总电量的50%。而我司利用自有专利技术的电压监控

索比光伏网讯:太阳能硅片的清洗很重要，它影响电池的转换效率，如器件的性能中反向电流迅速加大及器件失效等。因此硅片的清洗很重要，下面主要介绍清洗的作用和清洗的原理。清洗的作用1.在太阳能材料制备过程中
，在硅表面涂有一层具有良好性能的减反射薄膜，有害的杂质离子进入二氧化硅层，会降低绝缘性能，清洗后绝缘性能会更好。2.在等离子边缘腐蚀中，如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在，会影响器件的质量，清洗后

科学家称为PN结，PN结是一个内建电场，具有单向导电性，即加上正向电场就导通，加上反向电场就截止。PN结是半导体器件技术和电子科学发展的最关键之基础。目前实验室内的PN结可以细微到纳米级。这意味着
工作原理那么电是怎么来的呢?为什么半导体PN结经太阳光一照就有电呢?科学家们将这种光照生电的现象叫做光生伏打效应，简称光伏效应。光伏效应的核心原理就是PN结的空穴导电。空穴代表着正电荷，正电荷的移动就

　　太阳能光伏这个词汇发展到今日，大家已经对它不再陌生。我们通常所说的太阳能发电指的是太阳能光伏发电，简称光电。光伏发电是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术。这种技术的关键
。1918年波兰科学家Czochralski发展生长单晶硅的提拉法工艺。1921年德国物理学家爱因斯坦由于1904年提出的解释光电效应的理论获得诺贝尔（Nobel）物理奖。1930年B.Lang研究

索比光伏网讯:摘要高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向。背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注。概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其
)。为了进一步降低基极接触区的复合速率,在其他区域保持不变的情况下,用局部硼扩散制作的硼背场(B2BSF)替换LFC制作的铝背场(Al2BSF),提高了短路电流,使效率提升到21.5%。由于背面电极是

迫切需要寻找新的途径。直到六十年代人们才发现等离子体可用于去除残留碳化物，并可成功地用于等离子体去胶工艺中，随后很快发展了半导体器件工艺中的干法刻蚀技术。2.干法刻蚀干法刻蚀是把材料的被刻蚀表面暴露于
上的，光刻胶与欲刻蚀材料两者会同时被刻蚀，因而刻蚀选择性偏低。而且被击出的物质并非挥发性物质，这些物质容易沉积在被刻蚀薄膜表面及侧壁上，因此采用完全物理方式的刻蚀方法在半导体器件制程制造过程中很少

有无变压器又可分为变压器型逆变器和无变压器型逆变器。光伏逆变器的结构与工作原理逆变器是一种由半导体器件组成的电力调整装置，主要用于把直流电力转换成交流电力。一般由升压回路和逆变桥式回路构成。升压回路把
IGBT功率器件，先进的MPPT自动跟踪技术，适应严酷的电网环境，多语种的LCD显示功能，方便用户选择，工频高效率隔离变压器，宽范围的MPPT，使组件配置更灵活，内部集成多种通讯接口，便于上位机监控

索比光伏网讯:太阳能电池是利用光电转换原理将太阳的辐射光通过半导体物质转变为电能的一种器件，这种光电转换过程通常叫做光生伏特效应，因此太阳能电池又称为光伏" title="光伏新闻专题"光伏电池
。非晶硅的原料是晶硅太阳能电池生产中西门子法生产多晶硅之前的硅烷气体，通过在硅烷（SiH4）中掺杂乙硼烷（B2H6）和磷化氢（PH3）等气体，在低成本基板上（玻璃、不锈钢）低温成膜，避开了成本最高和技术

因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高
了702mV的开路电压和23．5％的效率。PERC和PER1。电池的另一个特点是其极好的陷光效应。由于硅是间接带隙半导体，对红外的吸收系数很低，一部分红外光可以穿透电池而不被吸收。理想情况下入射光可以

％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高的主要因素。PERC和PERL
效率。PERC和PER1。电池的另一个特点是其极好的陷光效应。由于硅是间接带隙半导体，对红外的吸收系数很低，一部分红外光可以穿透电池而不被吸收。理想情况下入射光可以在衬底材料内往返穿过4n2次，n为硅的

，相当于p型半导体的共轭高分子，与相当于n型半导体的电子受体分子（低分子化合物）混合，构建成这一混合物的相分离，形成所谓整块异质结相分离的随机结合界面。电介质薄膜可补偿整块异质结薄膜上的整流性，电介质
薄膜设置的极薄，并设置了铝质的里面电极，这样，电池就已完成。高分子系有机薄膜太阳能电池的最大特点是：相当于p型半导体的共轭高分子与相当于n型半导体的电子受体分子混合，藉助这一混合物的相分离，构建了接合