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金刚线切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料
正在下降。因此，铸锭与拉晶成本对比，单晶VS多晶，多晶勉强维持着一定的相对优势，多晶的对比优势在缩小。三、切片成本对比多晶硅由于材料内部存在晶界和硬质点，且有多晶金刚线切片制绒技术难题，对

多晶金刚线硅片制绒技术难题。在金刚线切片技术上，单晶硅片已占有领先优势，但是阿特斯的湿法黑硅技术为金刚线线切在多晶切片领域的大面积推广铺平了道路，多晶也可以应用金刚线切片。单晶VS多晶，单晶略胜一筹
；　　图4、阿特斯湿法黑硅制绒技术四、电池环节单晶的转换效率高于多晶，但是目前P型多晶量产效率也即将突破20%，因此从性价比看，P型单晶还是不如P型多晶，但是N型单晶电池确实具备一定的优势。P型单晶因为

切的更薄、成本更低。单晶硅片已经普及了金刚线切片工艺，而多晶硅片目前已克服多晶金刚线硅片制绒技术难题。在金刚线切片技术上，单晶硅片已占有领先优势，但是阿特斯的湿法黑硅技术为金刚线线切在多晶切片领域的
大面积推广铺平了道路，多晶也可以应用金刚线切片。单晶VS多晶，单晶略胜一筹; 图4、阿特斯湿法黑硅制绒技术四、电池环节单晶的转换效率高于多晶，但是目前P型多晶量产效率也即将

金刚线切片工艺，而多晶硅片目前已克服多晶金刚线硅片制绒技术难题。在金刚线切片技术上，单晶硅片已占有领先优势，但是阿特斯的湿法黑硅技术为金刚线线切在多晶切片领域的大面积推广铺平了道路，多晶也可以应用金刚线
切片。单晶VS多晶，单晶略胜一筹;　　　　图4、阿特斯湿法黑硅制绒技术　　四、电池环节　　单晶的转换效率高于多晶，但是目前P型多晶量产效率也即将突破20%，因此从性价比看，P型单晶还是不如P型多晶

接近，当然在细节方面还是有所差异，图3是德国ISE研究所提出的一个p型硅MWT电池基本工艺流程。图3所示的MWT电池工艺流程，和常规电池相比，在清洗制绒前增加了一道激光打孔工艺，此外还采
线的电阻损耗，每根主栅线上都需要10~20个孔洞，总的激光打孔数量在30~60个，过多的孔洞数量会增加打孔的时间，同时可能会对硅片产生损伤。图2（b）是荷兰ECN提出的新型布局，每片硅片采用44共16

（PECVD）沉积多层非晶硅层以钝化硅片的表面，这在元器件的性能表现方面起到至关重要的作用。使用精曜科技的PECVD设备在160um厚的绒面常规n型CZ硅片表面沉积5nm厚的非晶硅钝化层，我们得到了非常低的
同样沉积本征钝化层（i）并堆叠掺磷的（n）层。钝化效果通过镀在刻蚀方向为100的绒面CZ硅片上来评估，硅片尺寸为156156mm，并使用Sinton WCT-120进行测试。同时，也采用未制绒的FZ